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纳安解决方案公司
1982年Zanker路,圣何塞,加利福尼亚95112
电话: 408-573-8878 ,传真: 408-573-8877
www.nanoamp.com
ES62UXX256家庭
ES62UL256家庭
32Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该ES62UXX256是一个集成存储设备
含有低功率256千比特静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。该装置采用了先进的制造
CMOS工艺和纳安的高速/低
电源电路技术。此装置也
设计为非常低的电压动作使它
非常适合于具有由电池供电的设备
都是非常低的工作电流和待机电流。该
器件的引脚与其它标准兼容
32K ×8的SRAM 。该ES62UXX256有两种
速度等级( 45和25纳秒)和两个非常广阔
电压范围。
特点
工作电压
1.5到3.6伏特
扩展级温度范围
-20
o
+80
o
C
快速的周期时间
T
< 25纳秒@ 3V
极低的工作电流
I
CC
< 0.8毫安典型为2V , 1兆赫
极低的待机电流
I
SB
= 50 nA的典型
图1 :工作信封
工作电压范围
50
典型的我
CC
(MA )
40
30
速度/功耗
40 MHZ
20兆赫
20
10
1兆赫
5兆赫
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
库存号23003-03 4/99
1
纳安解决方案
图2 :引脚配置
ES62UL256家庭
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
28
27
26
25
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
ES62UL256S
( SOP )
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ES62UL256T
( TSOP )
表1 :引脚功能
引脚名称
A0-A14
I / O0 - I / O7
CE
OE
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能(低电平有效)
输出使能(低电平有效)
WE
V
CC
V
SS
引脚名称
引脚功能
写使能(低电平有效)
动力
图3 :功能框图
输入/
地址
输入
A
0
- A
14
地址
解码
逻辑
32K ×8
RAM阵列
产量
MUX
缓冲器
I / O
0
- I / O
7
数据I / O
CE
WE
OE
控制
逻辑
表2 :功能描述
CE
H
L
L
L
WE
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
I / O
0
-I / O
7
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
活跃
动力
待机
主动 - 待机*
主动 - 待机*
主动 - 待机*
*该设备将消耗有功功率在这种模式下,每当地址变更
库存号23003-03 4/99
2
纳安解决方案
ES62UL256家庭
表3 :绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40至125
-20至+80
260
o
C, 10秒(仅适用于铅)
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 :工作特性(在规定温度范围)
电源电压
数据保持电压
输入高电压
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC2
I
SB
I
SB
I
OH
= 200
A
I
OL
= –200
A
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
CC
or
CE = V
CC
V
IN
= V
CC
或0V
CE = V
SS
V
IN
= V
CC
或0V
t
A
= 55
o
C
V
IN
= V
CC
或0V
t
A
= 25
o
C
CE = V
CC
测试条件
最小/最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
最大
最大
L
1.5
3.6
1.2
0.7V
CC
V
CC
+0.3
–0.3
0.3V
CC
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
0.4 * F * V
0.5 * F * V
1.0
单位
V
V
V
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电流(注1 )
最大待机电流
(注2 )
典型待机电流
(注2 )
*注意事项
V
V
V
A
A
mA
A
A
典型值
0.05
注意: 1。工作电流是工作频率和电压的线性函数。你可以计算工作电流
使用具有操作频率(f)所示的公式表达在兆赫和工作电压(V)的单位为伏特。例如:
第l设备在2兆赫在2.0伏特操作将以此为0.4 * 2 * 2 = 1.6 mA的典型电流。
注2:本设备假定待机模式下,如果CE被禁用(高) 。它也将自动进入待机
模式时所有的输入信号是静止的(不切换),无论CE的状态。为了实现低
在启动模式( CE低)的待机电流,所有输入必须在0.2伏两种第五
CC
或V
SS
.
库存号23003-03 4/99
3
纳安解决方案
ES62UL256家庭
表5 :电容
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
最大
5
5
单位
pF
pF
表6 :时序测试条件(在规定温度范围)
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.1V
CC
至0.9V
CC
5nS
0.5V
CC
CL = 50pF的
表7 :读周期时序
3.0-3.6V
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片使能到输出高阻态
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
最小/最大
最大
最大
最大
最大
最大
1.5V
-45
200
200
200
60
20
20
0
50
0
50
20
45
45
45
15
5
5
0
15
0
15
5
-25
25
25
25
10
5
5
0
10
0
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
表8 :写周期时序
3.0-3.6V
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
最小/最大
最大
1.5V
-45
200
100
100
0
75
0
0
60
60
0
20
45
35
35
0
25
0
0
20
25
0
5
-25
25
20
20
0
15
0
0
15
15
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
库存号23003-03 4/99
4
纳安解决方案
ES62UL256家庭
图4 :读周期时序(WE = V
IH
)
t
RC
A0-A14
t
AA
t
CE
CE
t
LZ
t
OE
OE
t
OLZ
D0-D7
数据有效
t
OH
t
OHZ
t
HZ
图5 :写周期( 1 )定时( OE时钟)
t
WC
A0-A14
t
AW
OE
t
CW
CE
t
WP
WE
t
AS
t
WHZ
t
DW
DATA IN
t
OHZ
数据输出
高-Z
t
OW
数据
t
DH
t
WR
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5
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1982年Zanker路,圣何塞,加利福尼亚95112
电话: 408-573-8878 ,传真: 408-573-8877
www.nanoamp.com
ES62UXX256家庭
ES62UL256家庭
32Kx8位超低功耗异步静态RAM
概观
该ES62UXX256是一个集成存储设备
含有低功率256千比特静态随机
存取存储器组织为32,768字×8
位。该装置采用了先进的制造
CMOS工艺和纳安的高速/低
电源电路技术。此装置也
设计为非常低的电压动作使它
非常适合于具有由电池供电的设备
都是非常低的工作电流和待机电流。该
器件的引脚与其它标准兼容
32K ×8的SRAM 。该ES62UXX256有两种
速度等级( 45和25纳秒)和两个非常广阔
电压范围。
特点
工作电压
1.5到3.6伏特
扩展级温度范围
-20
o
+80
o
C
快速的周期时间
T
< 25纳秒@ 3V
极低的工作电流
I
CC
< 0.8毫安典型为2V , 1兆赫
极低的待机电流
I
SB
= 50 nA的典型
图1 :工作信封
工作电压范围
50
典型的我
CC
(MA )
40
30
速度/功耗
40 MHZ
20兆赫
20
10
1兆赫
5兆赫
0
1
2
V
CC
(V)
3
4
库存号23003-03 4/99
1
纳安解决方案
图2 :引脚配置
ES62UL256家庭
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
V
SS
1
2
3
4
28
27
26
25
V
CC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
OE
A11
A9
A8
A13
WE
V
CC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
V
SS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
ES62UL256S
( SOP )
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ES62UL256T
( TSOP )
表1 :引脚功能
引脚名称
A0-A14
I / O0 - I / O7
CE
OE
引脚功能
地址输入
数据输入/输出
芯片使能(低电平有效)
输出使能(低电平有效)
WE
V
CC
V
SS
引脚名称
引脚功能
写使能(低电平有效)
动力
图3 :功能框图
输入/
地址
输入
A
0
- A
14
地址
解码
逻辑
32K ×8
RAM阵列
产量
MUX
缓冲器
I / O
0
- I / O
7
数据I / O
CE
WE
OE
控制
逻辑
表2 :功能描述
CE
H
L
L
L
WE
X
L
H
H
OE
X
X
L
H
I / O
0
-I / O
7
高Z
DATA IN
数据输出
高Z
模式
待机
活跃
动力
待机
主动 - 待机*
主动 - 待机*
主动 - 待机*
*该设备将消耗有功功率在这种模式下,每当地址变更
库存号23003-03 4/99
2
纳安解决方案
ES62UL256家庭
表3 :绝对最大额定值*
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN,OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
等级
-0.3到V
CC
+0.3
-0.3 4.0
500
-40至125
-20至+80
260
o
C, 10秒(仅适用于铅)
单位
V
V
mW
o
C
o
C
o
C
*应力大于上述所列可能导致器件的永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件在此操作章节中所示的功能操作
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
表4 :工作特性(在规定温度范围)
电源电压
数据保持电压
输入高电压
符号
V
CC
V
DR
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
I
LO
I
CC2
I
SB
I
SB
I
OH
= 200
A
I
OL
= –200
A
V
IN
= 0至V
CC
OE = V
CC
or
CE = V
CC
V
IN
= V
CC
或0V
CE = V
SS
V
IN
= V
CC
或0V
t
A
= 55
o
C
V
IN
= V
CC
或0V
t
A
= 25
o
C
CE = V
CC
测试条件
最小/最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
典型值
最大
最大
L
1.5
3.6
1.2
0.7V
CC
V
CC
+0.3
–0.3
0.3V
CC
V
CC
–0.2
0.2
0.5
0.5
0.4 * F * V
0.5 * F * V
1.0
单位
V
V
V
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
电流(注1 )
最大待机电流
(注2 )
典型待机电流
(注2 )
*注意事项
V
V
V
A
A
mA
A
A
典型值
0.05
注意: 1。工作电流是工作频率和电压的线性函数。你可以计算工作电流
使用具有操作频率(f)所示的公式表达在兆赫和工作电压(V)的单位为伏特。例如:
第l设备在2兆赫在2.0伏特操作将以此为0.4 * 2 * 2 = 1.6 mA的典型电流。
注2:本设备假定待机模式下,如果CE被禁用(高) 。它也将自动进入待机
模式时所有的输入信号是静止的(不切换),无论CE的状态。为了实现低
在启动模式( CE低)的待机电流,所有输入必须在0.2伏两种第五
CC
或V
SS
.
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3
纳安解决方案
ES62UL256家庭
表5 :电容
输入电容
I / O容量
符号
C
IN
C
I / O
测试条件
V
IN
= 0V
V
IN
= 0V
最大
5
5
单位
pF
pF
表6 :时序测试条件(在规定温度范围)
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
0.1V
CC
至0.9V
CC
5nS
0.5V
CC
CL = 50pF的
表7 :读周期时序
3.0-3.6V
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片使能到输出高阻态
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
符号
t
RC
t
AA
t
CE
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
最小/最大
最大
最大
最大
最大
最大
1.5V
-45
200
200
200
60
20
20
0
50
0
50
20
45
45
45
15
5
5
0
15
0
15
5
-25
25
25
25
10
5
5
0
10
0
10
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
表8 :写周期时序
3.0-3.6V
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻态
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入低-Z输出
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
最小/最大
最大
1.5V
-45
200
100
100
0
75
0
0
60
60
0
20
45
35
35
0
25
0
0
20
25
0
5
-25
25
20
20
0
15
0
0
15
15
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
库存号23003-03 4/99
4
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ES62UL256家庭
图4 :读周期时序(WE = V
IH
)
t
RC
A0-A14
t
AA
t
CE
CE
t
LZ
t
OE
OE
t
OLZ
D0-D7
数据有效
t
OH
t
OHZ
t
HZ
图5 :写周期( 1 )定时( OE时钟)
t
WC
A0-A14
t
AW
OE
t
CW
CE
t
WP
WE
t
AS
t
WHZ
t
DW
DATA IN
t
OHZ
数据输出
高-Z
t
OW
数据
t
DH
t
WR
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    ES62UL256-25SC
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
ES62UL256-25SC
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