ES3F & ES3G
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
玻璃钝化结
适合自动放置
超快反向恢复时间
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AB （ SMC）的
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AB （ SMC）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
3.0 A
300 V, 400 V
100 A
35纳秒
1.1 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大RMS电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 110 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
RMS
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J,
T
英镑
符号
ES3F
EF
300
225
210
3.0
100
- 55至+ 150
ES3G
EG
400
300
280
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88590
修订： 20 - NOV- 07
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
ES3F & ES3G
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
最大DC反向电流工作
峰值反向电压
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大反向恢复电流
最大存储电荷
典型结电容
测试条件
3.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
I
RM
Q
rr
C
J
ES3F
1.1
10
350
35
50
3.0
50
30
ES3G
单位
V
A
ns
ns
A
nC
pF
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位5.0 ×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
符号
R
θJA
R
θJL
ES3F
50
15
ES3G
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
ES3G-E3/57T
ES3G-E3/9AT
ES3GHE3/57T
(1)
ES3GHE3/9AT
(1)
单位重量（g ）
0.211
0.211
0.211
0.211
首选包装代码
57T
9AT
57T
9AT
基地数量
850
3500
850
3500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
3.0
150
负载电阻或电感
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
125
8.3
毫秒单一正弦半波
在T
L
= 110 °C
2.0
100
75
1.0
50
25
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
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2
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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100
100
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
结电容（pF ）
1.5
10
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图6.典型结电容
10 000
3.0
D = 0.5
T
J
= 150 °C
D = 0.3
D = 0.2
2.0
D = 0.1
D = 0.8
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 125 °C
100
T
J
= 100 °C
平均功耗（ W）
1000
2.5
D = 1.0
1.5
T
10
T
J
= 25 °C
1.0
1
0.5
D =吨
p
/T
t
p
3.0
3.5
0.1
0
20
40
60
80
100
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
百分比额定峰值反向
电压
(%)
平均正向电流（ A）
图4.典型的反向漏电特性
图7.正向功率损耗特性
200
恢复的存储电荷/
反向恢复时间NC / NS
5 A， 50 A / μs的
160
120
2 A， 20 A / μs的
5 A， 50 A / μs的
80
2 A， 20 A / μs的
1 A， 100 A / μs的
40
1 A， 100 A / μs的
t
rr
Q
rr
25
50
75
100
125
150
175
0
结温（ ° C）
图5.反向开关特性
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ES3F & ES3G
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AB （ SMC）的
阴极带
0.185 (4.69)
马克斯。
贴装焊盘布局
0.126 (3.20)
0.114 (2.90)
0.246 (6.22)
0.220 (5.59)
0.126 (3.20)
分钟。
0.280 (7.11)
0.260 (6.60)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.103 (2.62)
0.079 (2.06)
0.060 (1.52)
分钟。
0.320 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.2)
0 (0)
0.320 (8.13)
0.305 (7.75)
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