（E S）我
I
ES
先进的信息
Excel的半导体公司。
ES25P40
4Mbit的CMOS 3.0伏闪存
同为75Mhz SPI总线接口
架构优势
单电源工作
- 2.7V -3.6V的读取和编程操作
内存架构
- 八大行业，512 KB的每个
程序
- 页面的程序（最多256个字节）为1.5ms （典型值）
- 计划周期是一页一页的基础上
擦除
- 0.5S典型扇区擦除时间
- 3S典型的批量擦除时间
·耐力
-
每扇区10万次（典型值）
·数据保留
-
20年（典型值）
参数页
-
256字节页独立于主存储器
参数存储
- 独立的阵列，擦除时间为20ms <
设备ID
- JEDEC标准两字节电子签名
- RES指令单字节的电子签名
向后兼容性
- 制造商和设备类型ID
工艺技术
- 对0.18微米工艺技术制造
封装选项
- 工业标准管脚引出线
- 8引脚SO （ 208mil ）封装
- 所有无铅器件符合RoHS
性能特点
速度
-
75MHz的时钟速率（最大）
省电待机模式
-
待机模式下的50uA （最大值）
-
深度掉电模式为1uA （典型值）
内存保护功能
内存保护
- W＃引脚工作与状态寄存器位配合
为了保护指定的存储区
- 状态寄存器块保护位（ BP2 ， BP1 ， BP0 ）
在内存状态寄存器来配置部分为已读
只
软件特点
- SPI总线兼容的串行接口
ES25P40
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牧师0D 2006年5月11日
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一般产品说明
该ES25P40设备是3.0伏（ 2.7V至3.6V ）
单电源闪存设备。 ES25P40 CON-
八部门，每个512 KB内存sists 。
输入数据时，数据出现在SI输入引脚
入存储器和从SO输出引脚时
从存储器输出的数据。该装置是
设计了要被编程在系统的
标准体系的3.0V Vcc电源。
该存储器可以被编程为1 256个字节
一时间，使用页面编程指令。
内存支持扇区擦除和整体擦除
指令。
每个设备只需要一个3.0伏电源
（ 2.7V至3.6V ），用于读取和写入功能。
内部产生的，规范的电压亲
vided进行编程操作。该器件不
需要Vpp的供应。
框图
SRAM
PS
XDEC
阵L -
逻辑
阵列 - R的
RD
数据路径
IO
CS ＃
SCK
SI
GND
HOLD ＃
SO
VCC
W#
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信号说明
串行数据输出（ SO ）
该输出信号被用于串行传输数据
从设备中。数据移出在下降
串行时钟（SCK）的边缘。
SPI模式
这些设备可以由一个微控制器来驱动
在任一两跟着它的SPI外围设备的运行
降脂模式：
CPOL = 0 ， CPHA = 0
CPOL = 1 ， CPHA = 1
对于这两种模式中，输入数据被锁存的
串行时钟（SCK ）和输出数据的上升沿
可从串行时钟（SCK ）的下降沿。
两种模式之间的差异，如图
图1是时钟的极性时，总线主机
在待机状态，而不是传输数据：
SCK保持在0℃ （ CPOL = 0 ， CPHA = 0 ）
SCK保持为1 （ CPOL = 1 ， CPHA = 1 ）
串行数据输入（ SI ）
这个输入信号被用来传输数据串行地成
该设备。它接收到的指令，地址和
的数据进行编程。值被锁存
串行时钟（SCK ）的上升沿。
串行时钟（ SCK ）
该输入信号提供串行的时间
界面。指令，地址和当前数据
在串行数据输入（ SI ）被锁止在利培
荷兰国际集团串行时钟（ SCK ）的边缘。串行数据数据
串行下降沿后输出（ SO ）的变化
时钟（ SCK ） 。
操作特性
所有数据插入设备的进出移入8位
大块。
片选信号（ CS ＃ ）
当该输入信号为高时，该装置是dese-
lected和串行数据输出（ SO ）是在高
阻抗。除非内部编程，擦除或
写状态寄存器周期正在进行中，
设备将处于待机模式。驱动芯片选择
（CS ＃ ）低使得该装置，将其放置在
有源功率模式。
上电后，在芯片选择下降沿（ CS ＃ ）
之前的任何指令的起始是必需的。
网页编程
要设置一个数据字节，两个指令都
要求：写使能（WREN ），这是一个字节，
和一个页编程（PP）的序列，它由
的4个字节加上数据。这之后是间
最终程序循环。为了传播这种开销，
页编程（ PP ）指令允许多达256个
字节，以在一个时间被编程（比特变化
从1到0 ） ，只要它们存在于连续
地址的存储器的同一页上。
HOLD （ HOLD ＃ ）
的保持（HOLD ＃ ）信号被用于暂停任何
与没有该设备的串行通信
取消选择该设备。
在保持指令，串行数据输出
（ SO ）是高阻抗，以及串行数据输入（ SI ）
和串行时钟（ SCK ）的不在乎。
要启动保持状态，设备必须
选择，带片选（ CS ＃ ）变为低电平。
扇区擦除，或批量擦除
在页编程（PP）的指令允许位被
从1到0编程之前，这可以应用
存储器的字节需要被首先擦除所有
1的（ FFH ）的任何编程之前。这可以是
实现方式有两种： 1）一个扇区的时间使用
扇区擦除指令（SE） ，或2 ）在整个
整个内存，使用批量擦除（ BE ）指令
化。
写保护（ W＃ ）
这个输入信号的主要目的是要冻结
的存储器区域的受保护的大小
对编程或擦除指令（如指定
在的的BP2 ， BP1和BP0位的值
状态寄存器） 。
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SO
SPI接口与
（ CPOL ， CPHA ） =
（0,0）或（1,1）的
总线主控
SI
SCK
SCK
SO
SI
SCK
SO
SI
SCK
SO
SI
SPI存储器
设备
CS1 CS2
CS3
CS ＃
W#
HOLD ＃
SPI存储器
设备
SPI存储器
设备
CS ＃
W#
HOLD ＃
CS ＃
W#
HOLD ＃
图1. Bus Master，和内存上的SPI总线器件
注意：
写保护（ W＃ ）和保持（ HOLD ＃ ）信号应该是驱动，高或低视情况
CS ＃
CPOL CPHA
0
0
SCK
1
1
SCK
SI
最高位
SO
最高位
图2. SPI模式支持
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牧师0D 2006年5月11日
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