ES2F & ES2G
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
玻璃钝化结
适合自动放置
超快反向恢复时间
低开关损耗，效率高
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
DO- 214AA （ SMB ）
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
2.0 A
300 V, 400 V
50 A
35纳秒
1.1 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大RMS电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 110 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RWM
V
RMS
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
ES2F
EF
300
225
210
2.0
50
- 55至+ 150
ES2G
EG
400
300
280
V
V
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88588
修订： 20 - NOV- 07
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PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
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1
ES2F & ES2G
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向电压
(1)
在V最大反向电流
RRM
最大反向恢复时间
最大反向恢复时间
最大反向恢复电流
最大存储电荷
典型结电容
测试条件
2.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
I
F
= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
R
= 30 V，I
rr
= 0.1 I
RM
4.0 V， 1 MHz的
符号
V
F
I
R
t
rr
t
rr
I
RM
Q
rr
C
J
ES2F
1.1
10
200
35
50
3.0
50
15
ES2G
单位
V
A
ns
ns
A
nC
pF
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大热阻
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位5.0 ×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
符号
R
θJA
R
θJL
ES2F
75
25
ES2G
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
ES2G-E3/52T
ES2G-E3/5BT
ES2GHE3/52T
(1)
ES2GHE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
3.0
60
负载电阻或电感
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
50
8.3
毫秒单一正弦半波
在T
L
= 110 °C
2.0
40
30
1.0
20
10
0
0
80
90
100
110
120
130
140
150
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
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2
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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100
200
正向电流（A ）
T
J
= 150 °C
10
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
0.1
T
J
= 25 °C
恢复的存储电荷/
反向恢复时间NC / NS
160
5 A， 50 A / μs的
120
2 A， 20 A / μs的
5 A， 50 A / μs的
80
2 A， 20 A / μs的
1 A， 100 A / μs的
40
1 A， 100 A / μs的
t
rr
Q
rr
25
50
75
100
125
150
175
0.01
0.2
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向
电压
(V)
结温（ ° C）
图3.典型正向特性
图5.反向开关特性
1000
100
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
瞬时反向漏
电流（ μA ）
100
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
结电容（pF ）
80
100
10
10
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
20
40
60
1
0.1
1
10
100
1000
百分比额定峰值反向
电压
(%)
反向
电压
(V)
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型结电容
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
贴装焊盘布局
阴极带
0.085 MAX 。
（ 2.159 MAX 。 ）
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 MIN 。
（ 2.18 MIN 。 ）
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060最小。
（ 1.52分钟）
0.220 REF
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.2)
0 (0)
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