ES2A THRU ES2D
威世通用半导体
表面贴装塑料超快整流器
特点
玻璃钝化结
适合自动放置
超快恢复时间的高效率
低正向电压，低功率损耗
高正向浪涌能力
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机，汽车和
电信。
2.0 A
50 V至200 V
50 A
20纳秒
0.90 V
150 °C
DO- 214AA （ SMB ）
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
机械数据
案例：
DO- 214AA （ SMB ）
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为高可靠性等级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
颜色频带端为负极
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
L
= 110 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
ES2A
EA
50
35
50
ES2B
EB
100
70
100
2.0
50
- 55至+ 150
ES2C
EC
150
105
150
ES2D
ED
200
140
200
V
V
V
A
A
°C
单位
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
电压
(1)
最大DC反向电流在
额定阻断电压DC
文档编号： 88587
修订： 27 - 8 - 07
2.0 A
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
测试条件
符号
V
F
I
R
ES2A
ES2B
0.90
10
350
ES2C
ES2D
单位
V
A
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1
ES2A THRU ES2D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
马克斯。反向恢复时间
测试条件
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A,
l
rr
= 0.25 A
I
F
= 2.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，
I
r
= 10 % I
RM
I
F
= 2.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，
I
r
= 10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
t
rr
ES2A
ES2B
20
30
50
10
25
18
ES2C
ES2D
单位
ns
最大反向恢复时间
t
rr
ns
最大存储电荷
典型结电容
注意：
Q
rr
C
J
nC
pF
（1 ）脉冲测试： 300毫秒脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
(1)
注意：
安装在P.C.B. （ 1）单位5.0 ×5.0毫米（ 0.013毫米厚）土地面积
符号
R
θJA
R
θJL
ES2A
ES2B
75
20
ES2C
ES2D
单位
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
ES2D-E3/52T
ES2D-E3/5BT
ES2DHE3/52T
(1)
ES2DHE3/5BT
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.096
0.096
0.096
0.096
首选包装代码
52T
5BT
52T
5BT
基地数量
750
3200
750
3200
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
3.0
60
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
50
8.3
毫秒单一正弦半波
在T
L
= 110 °C
2.0
40
30
1.0
负载电阻或电感
P.C.B.安装在
0.2× 0.2" （ 5.0 ×5.0 MM）
铜焊盘区
0
80
90
100
110
120
130
140
150
20
10
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
数
环，在60赫兹的
图1.最大正向电流降额曲线
图2.最大非重复峰值正向浪涌电流
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ES2A THRU ES2D
威世通用半导体
100
60
T
J
= 25 °C
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50 MVP -P
正向电流（A ）
10
T
J
= 150 °C
结电容（pF ）
1.4
50
40
T
J
= 125 °C
1
T
J
= 100 °C
30
20
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
10
0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
10 000
瞬时反向漏
电流（ μA ）
T
J
= 150 °C
1000
T
J
= 125 °C
T
J
= 100 °C
100
10
T
J
= 25 °C
1
0.1
0
20
40
60
80
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图4.典型的反向漏电特性
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AA （ SMB ）
贴装焊盘布局
阴极带
0.085 MAX 。
（ 2.159 MAX 。 ）
0.086 (2.20)
0.077 (1.95)
0.155 (3.94)
0.130 (3.30)
0.086 MIN 。
（ 2.18 MIN 。 ）
0.180 (4.57)
0.160 (4.06)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.096 (2.44)
0.084 (2.13)
0.060最小。
（ 1.52分钟）
0.220 REF 。
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.220 (5.59)
0.205 (5.21)
0.008 (0.2)
0 (0)
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文档编号： 91000
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