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ES1PA通ES1PD
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电流密度表面贴装超快整流器
机箱样式SMP
阴极带
特点
反向电压
50至200伏
正向电流
1.0 A
反向恢复时间
15纳秒
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
非常低调 - 1.0毫米典型的高度
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
超快恢复时间效率高
低正向电压，低功耗
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高温焊接：
260 ° C（最大值） / 10秒码头
符合每J- STD- 020C MSL等级1
机械数据
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
案例：
SMP
终端：
雾锡镀（ E3后缀）的线索，焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.0009盎司， 0.024克
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
贴装焊盘布局
0.012 （ 0.30 ） REF
尺寸以英寸
（毫米）
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.100
(2.54)
0.050
(1.27)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
最大额定值&热特性
(T
参数
器件标识代码
最大反向电压
最大正向平均整流电流见图1
峰值正向浪涌电流10ms的单一正弦半波
叠加在额定负荷
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
符号
V
RM
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJA
R
θJL
R
θJC
T
J
, T
英镑
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
ES1PA
EA
50
ES1PB
EB
100
1.0
30
ES1PC
EC
150
ES1PD
ED
200
单位
V
A
A
° C / W
°C
105
15
20
-55到+150
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
参数
符号
最大正向电压
(2)
在我
F
= 0.6A ，T
J
=25°C
V
F
在我
F
= 1A ，T
J
=25°C
最大反向电流
T
J
= 25°C
I
R
额定VRM
(2)
T
J
=125°C
以我的最大反向恢复时间
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A
TRR
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
TRR
在我
F
= 1.0A ，V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
=100°C
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
QRR
在我
F
= 1.0A ，V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
=100°C
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
500
15
25
30
8
10
10
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
注意事项：
（ 1 ）从结点到环境和结热阻铅安装在PCB用5.0× 5.0毫米铜垫的地方。
θJL
处测得的三 -
minal阴极带。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号88918
23-Sep-04
www.vishay.com
1
ES1PA通ES1PD
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 最大正向电流
降额曲线
1.2
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
1.0
0.8
0.6
0.4
T
L
测
在阴极频带终端
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
25
20
15
10
05
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
10000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向电流（ μA ）
1000
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 150°C
正向电流（A ）
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
0.1
1
0.1
0.01
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
100
1000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
Transien热阻（ ° C / W）
结电容（pF ）
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
2
文档编号88918
23-Sep-04
ES1PA通ES1PD
新产品
威世半导体
原通用半导体
高电流密度表面贴装超快整流器
机箱样式SMP
阴极带
特点
反向电压
50至200伏
正向电流
1.0 A
反向恢复时间
15纳秒
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
非常低调 - 1.0毫米典型的高度
对于表面安装应用程序
玻璃钝化结
超快恢复时间效率高
低正向电压，低功耗
内置应变救灾，非常适于自动贴片
高温焊接：
260 ° C（最大值） / 10秒码头
符合每J- STD- 020C MSL等级1
机械数据
0.013 (0.35)
0.004 (0.10)
0.045 (1.15)
0.033 (0.85)
0.012 (0.30)
0.000 (0.00)
0.018 (0.45)
0.006 (0.15)
案例：
SMP
终端：
雾锡镀（ E3后缀）的线索，焊
按J- STD- 002B和MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：
颜色频带端为负极
重量：
0.0009盎司， 0.024克
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
贴装焊盘布局
0.012 （ 0.30 ） REF
尺寸以英寸
（毫米）
0.105
(2.67)
0.025
(0.635)
0.030
(0.762)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.100
(2.54)
0.050
(1.27)
0.103 (2.60)
0.087 (2.20)
0.032 (0.80)
0.016 (0.40)
最大额定值&热特性
(T
参数
器件标识代码
最大反向电压
最大正向平均整流电流见图1
峰值正向浪涌电流10ms的单一正弦半波
叠加在额定负荷
典型热阻
(1)
工作结存储温度范围
符号
V
RM
I
F（ AV ）
I
FSM
R
θJA
R
θJL
R
θJC
T
J
, T
英镑
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
ES1PA
EA
50
ES1PB
EB
100
1.0
30
ES1PC
EC
150
ES1PD
ED
200
单位
V
A
A
° C / W
°C
105
15
20
-55到+150
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明。 ）
参数
符号
最大正向电压
(2)
在我
F
= 0.6A ，T
J
=25°C
V
F
在我
F
= 1A ，T
J
=25°C
最大反向电流
T
J
= 25°C
I
R
额定VRM
(2)
T
J
=125°C
以我的最大反向恢复时间
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A
TRR
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
TRR
在我
F
= 1.0A ，V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
=100°C
在典型的反向恢复时间
T
J
=25°C
QRR
在我
F
= 1.0A ，V
R
= 30V的dv / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 ％ IRM牛逼
J
=100°C
在4.0V ， 1MHz的典型结电容
C
J
价值
0.865
0.920
5.0
500
15
25
30
8
10
10
单位
V
A
ns
ns
nC
pF
注意事项：
（ 1 ）从结点到环境和结热阻铅安装在PCB用5.0× 5.0毫米铜垫的地方。
θJL
处测得的三 -
minal阴极带。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
（2 ）脉冲测试： 300μS脉冲宽度， 1 ％的占空比
文档编号88918
23-Sep-04
www.vishay.com
1
ES1PA通ES1PD
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
图。 1 - 最大正向电流
降额曲线
1.2
30
图。 2 - 最大非重复性峰值
正向浪涌电流
正向平均整流电流（ A）
峰值正向浪涌电流（ A）
1.0
0.8
0.6
0.4
T
L
测
在阴极频带终端
0.2
0
80
90
100
110
120
130
140
150
25
20
15
10
05
0
1
10
100
铅温度（ ℃）
周期数的AT 50 H
Z
图。 3 - 典型的瞬时
正向特性
100
10000
图。 4 - 典型的反向漏
特征
瞬时反向电流（ μA ）
1000
100
T
J
= 125°C
10
T
J
= 150°C
正向电流（A ）
10
T
J
= 150°C
1
T
J
= 25°C
0.1
1
0.1
0.01
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
正向电压（ V）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 5 - 典型结电容
100
1000
图。 6 - 典型的瞬态热
阻抗
Transien热阻（ ° C / W）
结电容（pF ）
100
10
10
1
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
100
反向电压（ V）
T，脉冲持续时间（秒）。
www.vishay.com
2
文档编号88918
23-Sep-04
新产品
ES1PB ， ES1PC ， ES1PD
威世通用半导体
高电流密度表面贴装超快整流器
特点
非常低调 - 1.0mm的典型高度
ESMP
系列
适合自动放置
玻璃钝化结
超快恢复时间的高效率
低正向电压，低功率损耗
低热阻
符合每J- STD- 020 ， LF最大MSL等级1
260℃峰值
DO- 220AA （ SMP）的
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
t
rr
V
F
T
J
马克斯。
1.0 A
100 V, 150 V, 200 V
15纳秒
0.92 V
150 °C
根据IEC 61249-2-21定义的无卤素
机械数据
案例：
DO- 220AA （ SMP）的
塑封料符合UL 94 V - 0阻燃等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
底座P / NHM3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
汽车级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须测试， HM3后缀
符合JESD 201级2晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
典型应用
对于次级整流及续流的使用
超快开关速度的AC / DC和DC / DC转换
为消费者和汽车应用。
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流10毫秒单一正弦半波
叠加在额定负荷
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
T
J
, T
英镑
符号
ES1PB
EB
100
ES1PC
EC
150
1.0
30
- 55至+ 150
ES1PD
ED
200
V
A
A
°C
单位
文档编号： 88918
修订： 19 -APR- 11
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
www.vishay.com
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
1
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
ES1PB ， ES1PC ， ES1PD
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
最大反向电流
为V
R
最大反向恢复时间
典型的反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1 A，I
rr
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 % I
RM
I
F
= 1.0 A，V
R
= 30 V,
的di / dt = 50A / μs的，我
rr
= 10 % I
RM
4.0 V， 1 MHz的
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
I
F
= 0.6 A
I
F
= 1 A
测试条件
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
符号
V
F (1)
价值
0.865
V
0.920
5.0
μA
500
15
25
t
rr
ns
30
8
Q
rr
C
J
nC
10
10
pF
ns
单位
I
R (2)
t
rr
典型的存储电荷
典型结电容
笔记
(1)
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
(2)
脉冲测试：脉冲宽度
40毫秒
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
R
θJA
(1)
典型热阻
R
θJL
(1)
R
θJC
(1)
记
(1)
ES1PB
ES1PC
105
15
20
ES1PD
单位
° C / W
Th
从结点到环境和结ermal抗铅安装在PCB用5.0毫米× 5.0毫米铜垫的地方。
θJL
is
在阴极频带的终端进行测量。
θJC
的测量是在所述主体的顶部中心
订购信息
（例）
首选的P / N
ES1PB-M3/84A
ES1PB-M3/85A
ES1PBHM3/84A
(1)
ES1PBHM3/85A
(1)
(1)
单位重量（g ）
0.024
0.024
0.024
0.024
首选包装代码
84A
85A
84A
85A
基地数量
3000
10 000
3000
10 000
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
记
汽车级
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
文档编号： 88918
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订： 19 -APR- 11
本文如有更改，恕不另行通知。
本文所述产品及本文档受具体免责声明，所阐述
www.vishay.com/doc?91000
新产品
ES1PB ， ES1PC ， ES1PD
威世通用半导体
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
C
除非另有说明）
1.2
10 000
正向平均整流电流（ A）
瞬时反向电流（ μA ）
1.0
1000
T
J
= 150 °C
0.8
100
T
J
= 125 °C
0.6
10
0.4
T
L
测
在阴极频带终端
0.2
1
T
J
= 25 °C
0.1
0
80
90
100
110
120
130
140
150
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
铅温度（ ℃）
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
图。 1 - 最大正向电流降额曲线
图。 4 - 典型的反向漏电特性
30
100
山顶前进
浪涌
电流（A ）
20
15
结电容（pF ）
1
10
100
25
10
10
5
0
1
0.1
1
10
100
周期数的AT 50赫兹
反向电压（ V）
图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流
图。 5 - 典型结电容
100
1000
10
T
J
= 150 °C
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
正向电流（A ）
100
1
T
J
= 25 °C
0.1
10
T
J
= 125 °C
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1
0.01
0.1
1
10
100
正向电压（ V）
吨 - 脉冲持续时间（ S）
图。 3 - 典型的正向特性
文档编号： 88918
修订： 19 -APR- 11
图。 6 - 典型的瞬态热阻抗
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
3
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www.vishay.com/doc?91000
新产品
ES1PB ， ES1PC ， ES1PD
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 220AA （ SMP）的
阴极带
0.012 （ 0.30 ） REF 。
0.086 (2.18)
0.074 (1.88)
0.053 (1.35)
0.041 (1.05)
0.036 (0.91)
0.024 (0.61)
0.142 (3.61)
0.126 (3.19)
0.158 (4.00)
0.146 (3.70)
0.103 (2.60)
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修订： 19 -APR- 11
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文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
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