ES2A - ES2D
分立功率&信号
技术
ES2A - ES2D
特点
对于表面安装应用。
玻璃钝化结。
薄型封装。
方便取放。
内置应变救灾。
超快恢复时间
高英法fi效率。
0.050 (1.270)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.220 (5.588)
0.200 (5.080)
0.083 (2.108)
0.075 (1.905
)
0.185 (4.699)
0.160 (4.064)
2
1
0.155 (3.937)
0.130 (3.302)
SMB/DO-214AA
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.083 (2.108)
2.0安培超快整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
参数
平均整流电流
.375 "引线长度@ T
A
= 110°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到铅**
存储温度范围
工作结温
价值
2.0
单位
A
50
1.66
13.3
75
20
-50至+150
-50至+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
2A
2B
100
70
100
10
350
20
0.90
18
2C
150
105
150
2D
200
140
200
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
nS
V
pF
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
最大正向电压@ 2.0 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
ES2A - ES2D ，版本A
ES2A - ES2D
典型特征
正向电流降额曲线
2.5
正向特性
50
正向电流（ A）
10
正向电流（ A）
2
1.5
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
1
1
0.5
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
反向电流（
A)
1000
反向特性
T
A
= 100
C
100
10
T
A
= 75
C
1
T
A
= 25
C
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
60
50
电容（pF）
40
30
20
10
0
0.1
0.5 1
5 10 20 50 100
反向电压（ V）
500
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
注意事项：
1.上升时间= 7.0 ns（最大值） ;输入阻抗= 1.0兆欧22 PF 。
2.上升时间= 10 ns（最大值） ;源阻抗= 50Ω 。
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
ES2A - ES2D ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
ES2A - ES2D
分立功率&信号
技术
ES2A - ES2D
特点
对于表面安装应用。
玻璃钝化结。
薄型封装。
方便取放。
内置应变救灾。
超快恢复时间
高英法fi效率。
0.050 (1.270)
0.030 (0.762)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
0.220 (5.588)
0.200 (5.080)
0.083 (2.108)
0.075 (1.905
)
0.185 (4.699)
0.160 (4.064)
2
1
0.155 (3.937)
0.130 (3.302)
SMB/DO-214AA
颜色频带为负极
0.096 (2.438)
0.083 (2.108)
2.0安培超快整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
R
θJL
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
参数
平均整流电流
.375 "引线长度@ T
A
= 110°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境**
热阻，结到铅**
存储温度范围
工作结温
价值
2.0
单位
A
50
1.66
13.3
75
20
-50至+150
-50至+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在FR- 4 PCB 0.013毫米。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
2A
2B
100
70
100
10
350
20
0.90
18
2C
150
105
150
2D
200
140
200
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
nS
V
pF
反向重复峰值电压
最大RMS电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
最大反向电流
@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
最大反向恢复时间
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
RR
= 0.25 A
最大正向电压@ 2.0 A
典型结电容
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1999
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
ES2A - ES2D ，版本A
ES2A - ES2D
典型特征
正向电流降额曲线
2.5
正向特性
50
正向电流（ A）
10
正向电流（ A）
2
1.5
单相
半波
60HZ
电阻或
感性负载
0.375" （ 9.0毫米） LEAD
长度
1
1
0.5
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
0
0
25
50
75
100
125
150
环境温度（ C）
175
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
正向电压（ V）
1.6
1.8
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流（ A）
60
50
40
30
20
10
0
反向电流（
A)
1000
反向特性
T
A
= 100
C
100
10
T
A
= 75
C
1
T
A
= 25
C
1
2
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10
20
50
循环次数在60Hz
100
0.1
0
20
40
60
80
100
120
140
1999额定峰值反向电压百分比（％ ）
结电容
60
50
电容（pF）
40
30
20
10
0
0.1
0.5 1
5 10 20 50 100
反向电压（ V）
500
50
无感
50
无感
+0.5A
(-)
TRR
DUT
50V
（约）
50
无感
脉冲
发电机
（注2 ）
(+)
示波器
（注1 ）
0
-0.25A
注意事项：
1.上升时间= 7.0 ns（最大值） ;输入阻抗= 1.0兆欧22 PF 。
2.上升时间= 10 ns（最大值） ;源阻抗= 50Ω 。
-1.0A
1.0cm
设定时基
5/10纳秒/厘米
反向恢复时间Characterstic和测试电路图
ES2A - ES2D ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
QQ：2880707522 复制
