パワーデバイス/功率器件（ IGBT ）
■ IGBTモールドタイプ密封封装型的IGBT
電子レンジ用モールドタイプ
模制封装类型，如微波炉
½ 式
设备类型
1MBH60D-090A
1MBH65D-090A
V
CES
伏
900
900
V
GES
伏
±20
±20
I
C
续。
安培。
60
65
P
C
瓦
260
300
V
CE
（V
GE
=15V）
（SAT）
马克斯。
Ic
伏
安培。
3.2
5.54
60
60
tf
微秒。
0.8
0.77
R
日J- C）
（
℃/W
0.481
0.417
TO-3PL
TO-3PL
パッケージ
包
質 量
净重
克
9.5
9.5
■ IGBT用高速ダイオー
ド快恢复二极管的IGBT
モール
ドパッケージFRD
FRD成型
½ 式
设备类型
ERW01-060
ERW02-060
ERW03-060
ERW04-060
ERW05-060
ERW06-060
ERW07-120
ERW08-120
ERW09-120
ERW10-120
ERW11-120
ERW12-120
ERW13-060
V
RRM
伏
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
600
I
FM
安培。
5(T
C
=118℃)
10(T
C
=100℃)
15(T
C
=92℃)
20(T
C
=91℃)
30(T
C
=81℃)
V
F
伏
3 (I
F
= 5A)
3 (I
F
=10A)
3 (I
F
=15A)
3 (I
F
=20A)
3 (I
F
=30A)
TRR
开关时间（最大）
（微秒）的di / dt = 100A /μs的70 ％回收
0.3 (I
F
= 5A ，V
R
=200V)
0.3 (I
F
= 10A ，V
R
=200V)
0.3
0.3
0.3
(I
F
= 15A ，V
R
=200V)
(I
F
= 20A ，V
R
=200V)
(I
F
= 30A ，V
R
=200V)
パッケージ
包
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
TO-3P(single)
TO-3PL
質 量
净重
克
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
5.5
9.5
50(T
C
=77℃)
3 (I
F
=50A)
2.5(T
C
=129℃) 3 (I
F
= 2.5A)
5(T
C
=127℃)
8(T
C
=124℃)
10(T
C
=123℃)
15(T
C
=122℃)
25(T
C
=113℃)
50(T
C
=90℃)
3 (I
F
= 5A)
3 (I
F
= 8A)
3 (I
F
=10A)
3 (I
F
=15A)
3 (I
F
=25A)
3 (I
F
=50A)
0.3 (I
F
= 50A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 2.5A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 5A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 8A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 10A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 15A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 25A ，V
R
=200V)
0.3 (I
F
= 50A ，V
R
=200V)
記 号
字母符号
V
CES
:
コレクタエミッタ間電圧
V
GES
:
I
C
:
P
C
:
V
CE （SAT）
:
t
on
:
t
关闭
:
t
f
:
ゲートエミッタ間電圧
コレクタ電流
最大損失
コレクタエミッタ½和電圧
ターンオン時間
ターンオフ時間
立上り時間
集电极 - 发射极电压额定值
（门极 - 发射极短路）
栅极 - 发射极间的额定电压
（集电极 - 发射极短路）
额定集电极电流
最大功率耗散
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
下降时间
14
パワーデバイス/功率器件（ IGBT ）
■ IGBTモールドタイプ密封封装型的IGBT
電子レンジ用モールドタイプ
模制封装类型，如微波炉
½ 式
设备类型
1MBH60D-090A
1MBH65D-090A
V
CES
伏
900
900
V
GES
伏
±20
±20
I
C
续。
安培。
60
65
P
C
瓦
260
300
V
CE
（V
GE
=15V）
（SAT）
马克斯。
Ic
伏
安培。
3.2
5.54
60
60
tf
微秒。
0.8
0.77
R
日J- C）
（
℃/W
0.481
0.417
TO-3PL
TO-3PL
パッケージ
包
質 量
净重
克
9.5
9.5
■ IGBT用高速ダイオー
ド快恢复二极管的IGBT
モール
ドパッケージFRD
FRD成型
½ 式
设备类型
ERW01-060
ERW02-060
ERW03-060
ERW04-060
ERW05-060
ERW06-060
ERW07-120
ERW08-120
ERW09-120
ERW10-120
ERW11-120
ERW12-120
ERW13-060
V
RRM
伏
600
600
600
600
600
600
1200
1200
1200
1200
1200
1200
600
I
FM
安培。
5(T
C
=118℃)
10(T
C
=100℃)
15(T
C
=92℃)
20(T
C
=91℃)
30(T
C
=81℃)
V
F
伏
3 (I
F
= 5A)
3 (I
F
=10A)
3 (I
F
=15A)
3 (I
F
=20A)
3 (I
F
=30A)
TRR
开关时间（最大）
（微秒）的di / dt = 100A /μs的70 ％回收
0.3 (I
F
= 5A ，V
R
=200V)
0.3 (I
F
= 10A ，V
R
=200V)
0.3
0.3
0.3
(I
F
= 15A ，V
R
=200V)
(I
F
= 20A ，V
R
=200V)
(I
F
= 30A ，V
R
=200V)
パッケージ
包
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-220AB(single)
TO-3P(single)
TO-3P(single)
TO-3PL
質 量
净重
克
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
2.0
2.0
2.0
2.0
5.5
5.5
9.5
50(T
C
=77℃)
3 (I
F
=50A)
2.5(T
C
=129℃) 3 (I
F
= 2.5A)
5(T
C
=127℃)
8(T
C
=124℃)
10(T
C
=123℃)
15(T
C
=122℃)
25(T
C
=113℃)
50(T
C
=90℃)
3 (I
F
= 5A)
3 (I
F
= 8A)
3 (I
F
=10A)
3 (I
F
=15A)
3 (I
F
=25A)
3 (I
F
=50A)
0.3 (I
F
= 50A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 2.5A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 5A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 8A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 10A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 15A ，V
R
=200V)
0.35 (I
F
= 25A ，V
R
=200V)
0.3 (I
F
= 50A ，V
R
=200V)
記 号
字母符号
V
CES
:
コレクタエミッタ間電圧
V
GES
:
I
C
:
P
C
:
V
CE （SAT）
:
t
on
:
t
关闭
:
t
f
:
ゲートエミッタ間電圧
コレクタ電流
最大損失
コレクタエミッタ½和電圧
ターンオン時間
ターンオフ時間
立上り時間
集电极 - 发射极电压额定值
（门极 - 发射极短路）
栅极 - 发射极间的额定电压
（集电极 - 发射极短路）
额定集电极电流
最大功率耗散
集电极 - 发射极饱和电压
开启时间
打开-O FF时间
下降时间
14
QQ：2880707522 复制
