BL
特点
低CoS的T
银河电子
ERB37-08---ERB37-10
VOLT年龄范围： 800--1000 V
CURRENT ： 1.0
快速恢复RECT IFIER
DO - 41
弥漫性ED结
低漏
低正向压降
高电流能力
EAS与氟利昂，酒精随手清理，是opropanol
和S IM ILAR s olvents
该PLAS抽动米aterial进行U / L承认94V - 0
机械数据
CAS E： JEDEC DO- 41 ，米olded PLAS抽动
长期inals ：轴向引线，S olderable元
MIL-STD - 202方法208
极性：颜色频带为负极
重量： 0.012盎司， 0.34克s
安装POS机银行足球比赛：任何
最大RAT INGS ，选出RICAL CHARACT ERIST ICS
25评分
上午bient tem温度unles s otherwis ES pecified 。
单PHAS E，半波， 60 H Z， RES是略去或电感性负载。对于容性负载， 20％减免。
ERB37-08
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均F ORW ARD rectif IED电流
9.5毫米引线长度，
@T
A
=75
ERB37-10
1000
700
1000
1.0
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
毫秒
V
DC
I
F（ AV）
800
560
800
山顶F ORW ARD浪涌电流
8.3ms单半-sine -W AVE
叠加在额定负荷
@T
J
=125
I
F SM
30.0
A
最大瞬时F ORW ARD电压
@ 1.0 A
最大反向电流
在额定阻断电压DC
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
1.5
5.0
100.0
250
12
55
-55----+150
-55----+150
V
A
ns
pF
/W
最大反向恢复时间（注1）
典型结电容
典型热阻
(Note2)
(Note3)
工作结温范围
存储温度范围
OTE ： 1 。 MEAS为带有我
F
= 0.5A ，我
R
= 1A ，我
rr
=0.25A.
2.测得1.0MH
Z
和4.0V D C的应用转ERSE V oltage 。
3.千卡人RES istanc EF ROM路口至关环境。
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文档编号0261055
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银河电子
1.
收视率和特性曲线
t
rr
50
N.1.
10
N.1.
雇员再培训局
37-08---ERB
37-10
图1 - 反向恢复时间特性和试验电路图
+0.5A
D.U.T.
(+)
50VDC
（约）
(-)
1
N.1.
( - )
0
-0.25A
脉冲
发电机
(NOTE2)
示波器
（注1 ）
( + )
-1.0A
TE
S： 1.R TIM = 7ns的M IN ü IM E中ê
ISE ê
AX 。 P T P上D C = 1M .22pF
2.R TIM = 10ns的M，使得 EIM E中ê
ISE ê
AX 。 ü P D C = 50
SE TIM BASEFO 50/100 NS /厘米
T E
R
1cm
图2 --TYPICAL正向特性
正向平均整流电流
安培
图3 - 前降额曲线
正向电流
安培
10 0
10
T
J
=25
脉冲宽度= 300US
1.5
1.25
1.0
4
2
1. 0
0. 4
0.75
■在克乐P h的发E
H A LF W上的已经6 0 H
Z
SIS TIV ê
在D ú 略去1。· A D
0.5
0. 1
0.04
0.25
0
25
50
75
100
125
150
175
0. 01
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
正向电压，伏
图4 - 典型结电容
环境温度。
图5 - 峰值正向浪涌电流
PAKE正向浪涌电流
结电容， pF的
10
16
14
40
30
T
J
=125
8.3ms单半
正弦波
安培
12
10
20
4
T
J
=25
f=1MHz
10
2
1
.1
0
1
2
4
8 10
20
40
60 80 10 0
.2
.4
1.0
2
4
10
20
40
100
反向电压，伏
循环次数在60Hz
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银河电子
2.
（ 800V至1000V / 1.0A ）
特征
正向特性
10
10
ERB37(1.0A)
反向特性
I
F
[A]
1
I
R
[
m
A]
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0
1.0
V
F
[V]
2.0
3.0
0
400
800
1200
1600
V
R
[V]
电流降额（我
F（ AV ）
-T
l
)
1.5
电流降额（我
F（ AV ）
-T
a
)
0.6
1.0
I
F（ AV ）
0.4
[A]
0.2
I
F（ AV ）
[A]
0.5
0
0
0
50
100
150
0
50
100
150
T
a
[°C]
T
l
[°C]
结电容特性
100
50
30
50
30
浪涌能力
C
j
[ pF的]
10
5
3
I
FSM
[A]
10
1
3
5
10
30
50
100
5
1
3
5
10
V
R
[V]
[时间] （在50Hz ）
富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯，德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
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