( 100V至200V / 1.2A )
特征
正向特性
5
3
10
ERB32(1.2A)
反向特性
I
F
[A]
1.0
0.5
0.3
I
R
[A]
1
0.1
0.1
0.05
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0
100
200
300
V
F
[V]
V
R
[V]
电流降额(我
F( AV )
-T
a
)
100
1.4
1.2
1.0
50
30
结电容特性
I
F( AV )
0.8
[A]
0.6
C
j
[ pF的]
10
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
5
3
10
30
50
100
300
T
a
[°C]
V
R
[V]
浪涌能力
100
50
30
I
FSM
[A]
10
5
3
1
3
5
10
30
[时间] (在50Hz )
富士半导体公司 - P.O.箱702708 - 达拉斯,德克萨斯州75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
BL
特点
银河电子
ERB32-01 --- ERB32-02
电压范围: 100 --- 200伏
电流: 1.2 A
高效率整流
低成本
扩散结
低漏
低正向压降
高电流能力
能与乙醇,异丙醇容易清洗
和类似的溶剂
塑料材料进行U / L承认94V - 0
DO - 15
机械数据
案例: JEDEC DO - 15 ,模压塑料
终端:轴向引线,每焊
MIL-STD - 202方法208
极性:颜色频带为负极
重量: 0.014盎司, 0.39克
安装位置:任意
最大额定值和电气特性
25评分
环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。对于容性负载, 20%减免。
ERB32 - 01
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大平均FORW ARD整流电流
9.5毫米引线长度,
@T
A
=75
ERB32 - 02
200
140
200
1.2
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
100
70
100
山顶FORW ARD浪涌电流
8.3ms单半正弦波-W AVE
叠加在额定负荷
@T
J
=125
I
FSM
50.0
A
最大瞬时FORW ARD电压
@ 1.2A
最大反向电流
@T
A
=25
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
英镑
0.92
5.0
50.0
50
50
50
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
V
A
ns
pF
/W
在额定阻断电压DC @T
A
=100
最大反向恢复时间
典型结电容
典型热阻
(Note1)
(Note2)
(Note3)
工作结温范围
存储温度范围
注:1,测量与我
F
= 0.5A ,我
R
= 1A ,我
rr
=0.25A.
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2.测得1.0MH
Z
和4.0V DC应用转ERSE V oltage 。
3.热阻f光盘结到环境。
文档编号0262019
BL
银河电子
1.
收视率和特性曲线
ERB32-01 - ERB32-02
图1 - 试验电路图和反向恢复时间特性
50
N 1.
10
N 1.
+0.5A
t
rr
.T 。
.U
(+)
25VD
C
(约)
(-)
(+)
PU
LSE
摹ER
EN ATO
(N TE
O 2)
0
-0.25A
1
NIN
O -
DC
ü TIVE
伊洛有限公司
SC式体育
(N TE1 )
O
(-)
-1.0A
1cm
注: 1.RISE时间= 7ns的最大输入阻抗= 1MΩ.22pF
2.RISE时间= 10ns的MAX.SOURCE阻抗50Ω = 。
设定时基20/30 NS /厘米
图2 --FORWARD降额曲线
正向平均整流电流。
图3 - 典型结电容
结电容, pF的
1.4
1.2
1
0.8
单相
半波60Hz的
电阻或
感性负载
200
100
60
40
20
10
4
T
J
=25
安培
0.6
0.4
0.2
0
2
1
0.1 0.2
0
20
40
60 80
100
120 140 150
0.4
1
2
4
10 20
40
100
环境温度。
反向电压,伏
80
70
60
T
J
=125
8.3ms单半
正弦波
正向电流
图4 - 峰值正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流。
图5 - 典型正向特性
10
1.0
安培
50
40
30
20
10
0
1
2
4
8 10
20
40 60 80 100
安培
0.1
T
J
=25
脉冲宽度= 300
S
0.01
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2
循环次数在60Hz
正向电压,伏
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银河电子
2.