Excelics
EPB018A5/A7/A9-70
数据表
超低噪声,高增益异质结场效应管
非密封的低成本陶瓷70万包装
典型0.50 0.90分贝噪声系数和11.5 13.0分贝
相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
位于Super低噪声,高增益和高
可靠性
O
'
??? 0LQ ?
6
6
*
所有尺寸在密耳。
电气特性(T
a
= 25 C)
符号
NF
参数/测试条件
噪声系数, F = 12GHz的
VDS = 2V ,IDS = 15毫安
Ga
P
1dB
G
1dB
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
*
民
典型值
0.50
0.65
0.95
13.0
12.5
11.5
15.0
15.0
14.0
11.5
45
90
-0.8
最大
0.60
0.80
1.20
单位
dB
相关的增益, F = 12GHz的
VDS = 2V ,IDS = 15毫安
在1dB压缩输出功率
VDS = 3V ,IDS = 25毫安
增益1dB压缩
VDS = 3V ,IDS = 25毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
EPB018A5-70
EPB018A7-70
EPB018A9-70
EPB018A5-70
EPB018A7-70
EPB018A9-70
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
11.5
11.0
10.5
dB
DBM
dB
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
VDS = 2V , VGS = 0V
15
50
VDS = 2V , VGS = 0V
VDS = 2V ,IDS = 1.0毫安
漏极耐压IGD =为10uA
源极击穿电压的Ig =为10uA
热阻
-3
-3
-6
-6
480
*
C / W
总体Rth的depands的情况下安装。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
5V
4V
VDS
栅源电压
-3V
-2V
VGS
漏电流
IDSS
60mA
IDS
正向栅电流
2mA
0.3mA
Igsf
输入功率
12dBm
@ 1dB压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
285mW
240mW
Pt
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网站:
www.excelics.com
Excelics
EPB018A5/A7/A9-70
数据表
超低噪声,高增益异质结场效应管
非密封的低成本陶瓷70万包装
典型0.50 0.90分贝噪声系数和11.5 13.0分贝
相关的增益AT 12GHz的
0.3 ×180 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结简介
位于Super低噪声,高增益和高
可靠性
O
'
??? 0LQ ?
6
6
*
所有尺寸在密耳。
电气特性(T
a
= 25 C)
符号
NF
参数/测试条件
噪声系数, F = 12GHz的
VDS = 2V ,IDS = 15毫安
Ga
P
1dB
G
1dB
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
*
民
典型值
0.50
0.65
0.95
13.0
12.5
11.5
15.0
15.0
14.0
11.5
45
90
-0.8
最大
0.60
0.80
1.20
单位
dB
相关的增益, F = 12GHz的
VDS = 2V ,IDS = 15毫安
在1dB压缩输出功率
VDS = 3V ,IDS = 25毫安
增益1dB压缩
VDS = 3V ,IDS = 25毫安
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
EPB018A5-70
EPB018A7-70
EPB018A9-70
EPB018A5-70
EPB018A7-70
EPB018A9-70
f=12GHz
f=18GHz
f=12GHz
f=18GHz
11.5
11.0
10.5
dB
DBM
dB
80
mA
mS
-2.5
V
V
V
o
VDS = 2V , VGS = 0V
15
50
VDS = 2V , VGS = 0V
VDS = 2V ,IDS = 1.0毫安
漏极耐压IGD =为10uA
源极击穿电压的Ig =为10uA
热阻
-3
-3
-6
-6
480
*
C / W
总体Rth的depands的情况下安装。
最大额定值在25
O
C
符号
参数
绝对
1
连续
2
漏源电压
5V
4V
VDS
栅源电压
-3V
-2V
VGS
漏电流
IDSS
60mA
IDS
正向栅电流
2mA
0.3mA
Igsf
输入功率
12dBm
@ 1dB压缩
针
o
通道温度
175 C
150
o
C
总胆固醇
储存温度
-65/175
o
C
-65/150
o
C
TSTG
总功耗
285mW
240mW
Pt
注:1,超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
Excelics半导体公司, 2908斯科特大道,圣克拉拉, CA 95054
电话: ( 408 ) 970-8664传真: ( 408 ) 970-8998网站:
www.excelics.com