EPA240D-100P
已更新二○○五年十一月一十四日
高效异质结功率FET
非密封的100mil金属法兰包装
+33 dBm的典型输出功率
20分贝典型功率增益为2GHz
0.4× 2400 MICRON嵌“蘑菇”门
Si
3
N
4
钝化
先进的外延异质结
简介提供了额外的大功率
效率高，可靠性高
G
D
电气特性（T
a
= 25
O
C)
符号
P
1dB
G
1dB
PAE
IDSS
Gm
Vp
BVgd
BVgs
RTH
参数/测试条件
在1dB压缩输出功率
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
增益1dB压缩
F = 2GHz的
VDS = 8V ， IDS = 50 ％的Idss
F = 4GHz的
在1dB压缩功率附加效率
VDS = 8 V ， IDS = 50 ％的Idss
f=2GHz
饱和漏极电流
跨
捏-O FF电压
漏极耐压
源极击穿电压
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ， VGS = 0V
VDS = 3V ，IDS = 6毫安
Igd=2.4mA
Igs=2.4mA
-11
-7
民
31.0
18.5
典型值
33.0
33.0
20.0
14.5
55
440
480
720
760
-1.0
-15
-14
26*
-2.5
940
最大
单位
DBM
dB
%
mA
mS
V
V
V
摄氏度/ W
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
*整体的Rth取决于安装的情况下。
绝对最大
等级
1,2
符号
参数
绝对
1
连续
2
8V
-3V
620mA
20mA
@ 3分贝压缩
150
o
C
-65到+150
o
C
5.0W
漏源电压
12V
VDS
栅源电压
-8V
VGS
漏电流
IDSS
IDS
正向栅电流
120mA
Igsf
输入功率
30 dBm的
针
通道温度
175
o
C
总胆固醇
储存温度
-65到+175
o
C
TSTG
总功耗
6.0W
Pt
注：1，超过任何上述的评分可能导致永久性损伤。
2.任何超出上述评级的可能减少到低于设计目标MTTF 。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
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修订后的2005年11月
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