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EN71GL128B0
用途
宙硅解决方案公司（下文中称为“宙” ）将要提供的产品的顶部
标志上的集成电路与< cFeon >自2009年1月1日，没有零件的任何改变
号和IC的组合物。李炎仍保持质量的所有承诺
该产品具有相同宙的前交付使用。请与被告知
改变，感谢您的善意合作，全面支持EON的产品系列。
EON产品的新的顶部标记
cFeon顶部标记示例：
cFeon
产品型号： XXXX -XXX
批号： XXXXX
日期代码：
XXXXX
规格连续性
有没有改变此数据表作为提供设备作为宙产品的结果。
已经作出的任何变化是正常的数据片的改进的结果，并且是
在文档的修订概要，其中指出支持。未来将会发生日常的产品更新
在适当的时候，和变化，都可以在修改摘要。
订购零件编号的连续性
李炎继续支持现有的以“宙”和“ cFeon ”开头的部分号码前
标记。在过渡期间，订购这些产品，请注明“李炎顶部标记”或
“ cFeon顶标”对您的采购订单。
欲了解更多信息
请联系您当地的销售办事处关于李炎记忆体解决方案的更多信息。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009年5月27日
EN71GL128B0
堆叠式多芯片产品（ MCP ）闪存和RAM
128兆位（ 8M ×16位） CMOS 3.0伏只页面模式闪存
内存和32兆位（ 2M ×16位）伪静态RAM
EN71GL128基地MCP
特色鲜明
MCP特点
2.7 V至3.3 V电源电压
高性能
- 70纳秒
包
- 7 ×9× 1.2毫米56球FBGA
工作温度
- 25 ° C至+ 85°C
概述
该EN71GL系列是堆叠式多芯片产品（ MCP ）封装产品线，包括：
EN29GL128 （页模式）的闪存芯片。
伪SRAM 。
有关详细规格，请参考下表中列出的个人数据资料。
设备
NOR闪存
伪SRAM
文件
EN29GL128
ENPSL32
产品选择指南
128MB闪存
设备型号＃
闪存访问时间
EN71GL128B0
70ns
PSRAM的密度
PSRAM访问时间
32M PSRAM
70ns
页面读取时间
25ns
包
56 FBGA
PSRAM页读取时间
25ns
该数据表可以通过后续的版本中修改
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或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009年5月27日
EN71GL128B0
MCP框图
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009年5月27日
EN71GL128B0
接线图
MCP
EN71GL128B0
仅闪烁地址
A22, A21
共享地址
A20 – A0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009年5月27日
EN71GL128B0
引脚说明
信号
A22–A0
DQ15–DQ0
CE1#f
CE1#ps
CE2ps
OE ＃
WE＃
RY / BY ＃
UB ＃
磅＃
RESET＃
WP ＃ / ACC
V
CC
f
V
CC
ps
V
SS
NC
描述
23地址输入（通用）
16数据输入/输出（普通）
芯片使能1 （闪存）
芯片使能1 （ PSRAM ）
芯片使能2 （ PSRAM ）
输出使能（普通）
写使能（普通）
就绪/忙输出（闪存）
高字节控制（ PSRAM ）
低字节控制（ PSRAM ）
硬件复位引脚，低电平有效（闪光灯）
硬件写保护/加速引脚（闪光）
闪存3.0伏，只有单电源供电
PSRAM电源
设备接地（公共）
引脚没有内部连接
逻辑符号
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期： 2009年5月27日
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