EN29PL064/032
EN29PL064/032
64/32兆位（ 4/2的M× 16位） CMOS电压3.0只，
同时，读/写闪存
特色鲜明
架构优势
64/32兆位页面模式设备
- 4个字页面大小：快速页面读取访问权限
从页内的任意位置
单电源工作
- 2.7V至3.3V电压范围内有效的MCP
产品
- 单电压， 2.7V至3.6V的读取和写入
操作
同时读/写操作
- 可以将数据连续地从一个存储体读
在执行擦除/编程功能
另一家银行
- 从写零延迟切换阅读
操作
FlexBank架构（ PL064 / PL032 ）
- 4个独立的银行，拥有多达两个并发
每台设备的操作
- 银行A ：
PL064 - 8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
PL032 - 4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
- 银行B：
PL064 - 24兆位（ 32千瓦×48 ）
PL032 - 12兆位（ 32千瓦×24 ）
- 银行C：
PL064 - 24兆位（ 32千瓦×48 ）
PL032 - 12兆位（ 32千瓦×24 ）
- 银行D：
PL064 - 8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
PL032 - 4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
安全硅行业区域
- 最多64个客户，可锁定的话
在一个设备中底部和顶部的引导块
数据保存：20年典型
自行车耐力： 100K周期每扇区
典型
性能特点
-
-
-
-
-
-
高性能
页面访问时间快25纳秒
随机存取时间快70纳秒
32字/ 64字节的写缓冲区整体减少
编程时间多字的更新
功耗（在10 MHz时的典型值）
45毫安有效的读电流
17毫安编程/擦除电流
0.2 μA典型待机模式电流
软件特点
软件指令集兼容
JEDEC 42.4标准
CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息发送给
系统，允许主机软件来容易
重新配置不同的闪存器件
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，以便阅读或
在同其他部门的程序操作
银行
程序挂起/恢复计划
- 挂起的程序操作，使阅读
从行业比另一个操作
被编程
解锁绕道程序命令
- 降低了总体规划的时候
发行多个程序的命令
序列
硬件特性
就绪/忙＃引脚（ RY / BY ＃ ）
- 提供检测硬件方法
编程或擦除周期完成
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来将设备重置阅读
数组数据
WP ＃ / ACC （写保护/加速）输入
- 在V
IL
，对于第一硬件级别的保护和
最后两个4K字部门。
- 在V
IH
允许拆除部门保护
- 在V
HH
提供加速编程中
出厂设置
持久扇区保护
- 一个命令扇区保护方法来锁定
个别部门和行业的组合
基团，以防止编程或擦除操作
该部门内
- 扇区可以被锁定和解锁的系统内，在
V
CC
水平
封装选项
- 56球精细间距BGA
- 48球精细间距BGA
- 48针TSOP - 1
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
Rev. D的，发行日期： 2008/03/27
EN29PL064/032
概述
该PL064 / PL032是64/32兆位， 3.0伏只页面模式和同步读/写闪存
存储设备组织为4/2 Mwords 。该器件提供了以下软件包：
- 7毫米×9毫米， 56球精细间距BGA独立（ PL064 / PL032 ）
- 8毫米×6毫米， 48球精细间距BGA独立（ PL032 ）
- 48引脚TSOP （ PL064 / PL032 ）
字级数据（ X16 ）出现在DQ15 - DQ0 。此装置可在系统或在被编程
标准EPROM编程器。一个11.0伏V
PP
不需要用于写入或擦除操作。
该器件提供了25ns的快速页面访问时间，相应的70随机存取时间
NS ，分别允许高速微处理器，操作无需等待。为了消除
总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能（ WE＃ ）和输出使能
（ OE ＃ ）控制。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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1.同步读/写操作零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将
存储器空间分成4组，它可以被认为是四个单独的存储器阵列，只要
某些操作有关。该装置可以通过使一个改进系统的整体性能
主机系统编程或擦除一家银行，然后立即同时读取
另一家银行的零延迟（与在任一时刻运行两个同步操作） 。这
从等待完成一个程序的操作或擦除操作释放系统，大大
改善系统性能。
该装置可被安排在底部和顶部的扇区配置。银行组织
如下：
银行
A
B
C
D
PL064部门
8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
24兆位（ 32千瓦×48 ）
24兆位（ 32千瓦×48 ）
8兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×15 ）
PL032部门
4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
12兆位（ 32千瓦×24 ）
12兆位（ 32千瓦×24 ）
4兆位（ 4千瓦×8和32千瓦×7 ）
1.1页模式功能
页大小是4个字。后初始页面访问完成时，页面模式操作
提供了页面内的任意位置快速读取访问速度。
1.2标准闪存产品特点
该设备需要
单3.0伏电源
（ 2.7 V至3.6 V ），用于读取和写入
功能。内部产生的并提供了用于程序和擦除稳压电压
操作。
该设备完全指令集的兼容
42.4 JEDEC单电源闪存
标准。
命令使用标准微处理器写入写入命令寄存器
时序。寄存器的内容作为输入到内部状态机控制的擦除和
编程电路。写周期也在内部锁存器所需要的地址和数据
编程和擦除操作。读数据从装置的类似于读取来自其他
Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序指令序列。解锁绕道
模式，要求只有两个写周期，而不是编程的数据有利于更快的编程时间
四。设备擦除时通过执行擦除命令序列。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作完成后通过阅读DQ7
（数据＃投票）和DQ6 （切换）
状态位。
后一个程序或擦除周期已经完成，
该设备已准备好读取阵列数据或接受另一个命令。
扇区擦除架构允许存储扇区进行擦除和重新编程，而不
影响到其他部门的数据内容。从工厂发货时，该设备被完全擦除。
硬件数据保护
措施包括低V
CC
探测器可以自动抑制写
在电源转换操作。硬件扇区保护功能禁用这两个节目
和擦除操作中的存储器扇区的任意组合。这可以在系统来实现，或
通过编程设备。
擦除暂停/删除恢复
功能允许用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据，或程序数据，即不选择擦除的任何扇区。真
背景擦除可以由此来实现。如果读从安全硅行业领域需要
（一次性编程区域）之后的擦除暂停，则用户必须使用适当的命令
顺序进入和退出这一地区。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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该
程序挂起/恢复计划
功能使用户持有的编程操作
到来自未选择用于编程的任何扇区中读出的数据。如果读出从所需要的
安全硅行业领域，持久保护区，或CFI区，后一个程序暂停，
然后，用户必须使用适当的命令序列以进入和退出该区域。
该器件提供两种省电功能。当地址已稳定为指定的
的时间内，该器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备
入待机模式。功率消耗在这两种模式下大大降低。
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或修改，由于改变的技术规格。
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2.订购信息
EN29PL064
-
70
T
I
P
内容包装
（空白）=传统
P =无铅
温度范围
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
包
T = 48针TSOP
B = 48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
0.80毫米间距，采用6mm x 8毫米包
C = 56球细间距球栅阵列（ FBGA ）
0.80毫米间距，采用7mm x 9毫米包
速度
70 = 70ns的
基本零件编号
EN =宙硅解决方案公司
29PL = FLASH ， 3.0V读取程序擦除，
同时，读/写，页面模式
064 = 64兆位（4M ×16位）
032 = 32兆位（2M ×16位）
3.产品选择指南
产品型号
速度选项
V
CC
= 2.7 V – 3.6 V
EN29PL032 / EN29PL064
70
70
25
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
CE
)
最大页面访问， NS （T
PACC
)
最大OE ＃访问， NS （T
OE
)
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