EN29LV800
EN29LV800
8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
在0.28微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 个人扇区擦除支持
- 行业保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
0.28微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
>100K编程/擦除周期耐力
da0.
48引脚TSOP （类型1 ）
商业级温度范围
概述
该EN29LV800是8兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。
该EN29LV800设有3.0V电压的读写操作，具有存取时间快55ns到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV800有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
REV 0.4发布日期： 2002年1月29日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN29LV800
产品选择指南
产品编号
稳压电压范围： VCC = 3.0 - 3.6 V
速度选项
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
70
70
30
-90
90
90
35
-70R
EN29LV800
框图
VCC
VSS
RY / BY
块保护开关
DQ0 - DQ15 （ A- 1 ）
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A18
4800大美景观道路，套房202
5
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引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
在0.28微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 个人扇区擦除支持
- 行业保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
0.28微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
>100K编程/擦除周期耐力
da0.
48引脚TSOP （类型1 ）
商业级温度范围
概述
该EN29LV800是8兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。
该EN29LV800设有3.0V电压的读写操作，具有存取时间快55ns到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV800有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
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产品选择指南
产品编号
稳压电压范围： VCC = 3.0 - 3.6 V
速度选项
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
70
70
30
-90
90
90
35
-70R
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框图
VCC
VSS
RY / BY
块保护开关
DQ0 - DQ15 （ A- 1 ）
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
OE
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
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8兆位（ 1024K ×8位/ 512K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
操作和写操作和用于与兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
在0.28微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而
科幻fteen 64字节扇区（字节模式）
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32千字部门（字模式）
- 支持整片擦除
- 个人扇区擦除支持
- 行业保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
0.28微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
>100K编程/擦除周期耐力
da0.
48引脚TSOP （类型1 ）
商业级温度范围
概述
该EN29LV800是8兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为1,048,576字节或524,288字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。
该EN29LV800设有3.0V电压的读写操作，具有存取时间快55ns到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV800有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
）和写使能（ WE）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的
100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
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速度选项
全电压范围： VCC = 2.7 - 3.6 V
最大访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问， NS （T
ce
)
最大OE ＃访问， NS （T
oe
)
70
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30
-90
90
90
35
-70R
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框图
VCC
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块保护开关
DQ0 - DQ15 （ A- 1 ）
擦除电压发生器
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
输入/输出缓冲器
WE
命令
注册
CE
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数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
VCC探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A0-A18
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