EN29LV641H / L EN29LV640U
EN29LV641H / L EN29LV640U
64兆位（ 4096K ×16位）快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读，
擦除和编程操作
低功耗的缺点
umption （ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
目前在待机或自动
睡眠模式。
软件特点：
行业组保护
- 提供部门，以防止程序锁
或擦除单个部门内业务
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
受保护的行业。
标准数据＃投票和切换位
特征
解锁绕道程序命令支持
扇区擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
扇区擦除挂起模式
支持JEDEC通用闪存接口
（ CFI ） 。
硬件特性：
RESET ＃硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
WP ＃输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许
保护第一个或最后一个32K字的部门，
不管以前的行业保护状态
ACC输入引脚
- 加速度（ ACC ）功能提供
加速程序时间高
吞吐量的生产。
JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存标准
在0.18微米工艺制造
技术
灵活的部门架构：
- 一百28 32K字
部门。
最低100K的程序/擦除次数
周期。
-
-
-
高性能的编程和擦除
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 64S典型
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球11毫米x 12毫米FBGA
概述
该EN29LV641H / L / EN29LV640U是一个64兆位（ 4,194,304x16 ） ，电可擦，读/写
非挥发性快闪记忆体。任一词通常可以在8μs进行编程。该装置是完全
指令集与JEDEC单电源闪存标准兼容。
该EN29LV641H / L / EN29LV640U设计，让无论是单扇区或整片擦除
操作，其中每个类别组可以被保护，以防止编程/擦除操作或
暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2005/06/28
EN29LV641H / L EN29LV640U
产品选择指南
产品编号
稳压电压范围： V
CC
=3.0 – 3.6 V
速度选项
全电压范围： V
CC
=2.7 – 3.6 V
最大访问时间（纳秒）
最大CE＃访问时间（纳秒）
最大OE ＃访问时间（纳秒）
70
70
30
90
90
90
35
EN29LV641H / L / EN29LV640U
70R
框图
V
CC
V
SS
RESET＃
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
RY / BY ＃
部门保护开关
DQ15-DQ0
擦除电压发生器
输入/输出缓冲器
WE＃
WP ＃
ACC ＃
命令
注册
CE＃
OE ＃
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
V
CC
探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A21-A0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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版本B ，发行日期： 2005/06/28
EN29LV641H / L EN29LV640U
连接图
注意：
没有RY / BY ＃引脚TSOP封装，V
IO
应直接连接到VCC 。
注意：
没有WP ＃引脚FBGA封装V
IO
应直接连接到VCC 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29LV641H / L EN29LV640U
表1.引脚说明
逻辑图
引脚名称
A21-A0
DQ15-DQ0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
加
RY / BY ＃
RESET＃
V
cc
V
IO
V
ss
NC
功能
22地址输入
16数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
硬件写保护输入
加速输入
就绪/忙状态输出
硬件复位输入管脚
电源电压（ 2.7-3.6V ）
输出缓冲器电源该引脚
应直接连接到VCC
地
没有连接到任何东西
注意：
WP ＃引脚是EN29LV641H / L而已。
RY / BY＃可供EN29LV640U只。
A21 – A0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
加
RESET＃
V
IO
RY / BY ＃
DQ15 - DQ0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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EN29LV641H / L EN29LV640U
订购信息
EN29LV641
H
─
90
T
I
P
内容包装
（空白）=传统
P =无铅
温度范围
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
包
T = 48针TSOP
W = 63球细间距球栅阵列（ FBGA ）
0.80毫米间距的11mm x 12毫米封装
速度选项
见产品选型指南和有效组合
部门写保护（WP ＃ = 0 ）
H =最高地址部门保护
L =最低地址部门保护
基本零件编号
EN29LV641 / EN29LV640U
64兆位（ 4M ×16位）统一闪存部门
可选的数据I / O电压
3V读取，擦除和编程
产品选择指南
为TSOP封装的有效组合
EN29LV641H–90
EN29LV641L–90
EN29LV641H–70R,
EN29LV641L–70R
VCC
V
cc
= 2.7V-3.6V
TI ， TC
V
cc
= 3.0V-3.6V
为FBGA封装的有效组合
EN29LV640U–90
EN29LV640U–70R
WI ， WC
VCC
V
cc
= 2.7V-3.6V
V
cc
= 3.0V-3.6V
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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64兆位（ 4096K ×16位）快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读，
擦除和编程操作
低功耗的缺点
umption （ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
目前在待机或自动
睡眠模式。
软件特点：
行业组保护
- 提供部门，以防止程序锁
或擦除单个部门内业务
- 另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
受保护的行业。
标准数据＃投票和切换位
特征
解锁绕道程序命令支持
扇区擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
扇区擦除挂起模式
支持JEDEC通用闪存接口
（ CFI ） 。
硬件特性：
RESET ＃硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
WP ＃输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许
保护第一个或最后一个32K字的部门，
不管以前的行业保护状态
ACC输入引脚
- 加速度（ ACC ）功能提供
加速程序时间高
吞吐量的生产。
JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存标准
在0.18微米工艺制造
技术
灵活的部门架构：
- 一百28 32K字
部门。
最低100K的程序/擦除次数
周期。
-
-
-
高性能的编程和擦除
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 64S典型
封装选项
- 48引脚TSOP
- 63球11毫米x 12毫米FBGA
概述
该EN29LV641H / L / EN29LV640U是一个64兆位（ 4,194,304x16 ） ，电可擦，读/写
非挥发性快闪记忆体。任一词通常可以在8μs进行编程。该装置是完全
指令集与JEDEC单电源闪存标准兼容。
该EN29LV641H / L / EN29LV640U设计，让无论是单扇区或整片擦除
操作，其中每个类别组可以被保护，以防止编程/擦除操作或
暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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产品选择指南
产品编号
稳压电压范围： V
CC
=3.0 – 3.6 V
速度选项
全电压范围： V
CC
=2.7 – 3.6 V
最大访问时间（纳秒）
最大CE＃访问时间（纳秒）
最大OE ＃访问时间（纳秒）
70
70
30
90
90
90
35
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70R
框图
V
CC
V
SS
RESET＃
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
RY / BY ＃
部门保护开关
DQ15-DQ0
擦除电压发生器
输入/输出缓冲器
WE＃
WP ＃
ACC ＃
命令
注册
CE＃
OE ＃
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
V
CC
探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A21-A0
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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连接图
注意：
没有RY / BY ＃引脚TSOP封装，V
IO
应直接连接到VCC 。
注意：
没有WP ＃引脚FBGA封装V
IO
应直接连接到VCC 。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
逻辑图
引脚名称
A21-A0
DQ15-DQ0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
加
RY / BY ＃
RESET＃
V
cc
V
IO
V
ss
NC
功能
22地址输入
16数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
硬件写保护输入
加速输入
就绪/忙状态输出
硬件复位输入管脚
电源电压（ 2.7-3.6V ）
输出缓冲器电源该引脚
应直接连接到VCC
地
没有连接到任何东西
注意：
WP ＃引脚是EN29LV641H / L而已。
RY / BY＃可供EN29LV640U只。
A21 – A0
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
加
RESET＃
V
IO
RY / BY ＃
DQ15 - DQ0
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或修改，由于改变的技术规格。
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订购信息
EN29LV641
H
─
90
T
I
P
内容包装
（空白）=传统
P =无铅
温度范围
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
包
T = 48针TSOP
W = 63球细间距球栅阵列（ FBGA ）
0.80毫米间距的11mm x 12毫米封装
速度选项
见产品选型指南和有效组合
部门写保护（WP ＃ = 0 ）
H =最高地址部门保护
L =最低地址部门保护
基本零件编号
EN29LV641 / EN29LV640U
64兆位（ 4M ×16位）统一闪存部门
可选的数据I / O电压
3V读取，擦除和编程
产品选择指南
为TSOP封装的有效组合
EN29LV641H–90
EN29LV641L–90
EN29LV641H–70R,
EN29LV641L–70R
VCC
V
cc
= 2.7V-3.6V
TI ， TC
V
cc
= 3.0V-3.6V
为FBGA封装的有效组合
EN29LV640U–90
EN29LV640U–70R
WI ， WC
VCC
V
cc
= 2.7V-3.6V
V
cc
= 3.0V-3.6V
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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