EN29LV640
EN29LV640
64兆位( 4M ×16位) CMOS 3.0伏只,
统一部门快闪记忆体
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7 3.6伏读,
擦除和编程操作
低功耗的缺点
umption ( 5典型值
兆赫)
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
μA
目前在待机或自动
睡眠模式。
软件特点:
行业组保护
- 提供部门,以防止程序锁
或擦除单个部门内业务
- 另外,临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
受保护的行业。
标准数据#投票和切换位
特征
解锁绕道程序命令支持
扇区擦除挂起/恢复模式:
读取和编程过程中的另一个部门
扇区擦除挂起模式
支持JEDEC通用闪存接口
( CFI ) 。
硬件特性:
引脚兼容,密度较低,容易
替换代码扩展。
RESET #硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
WP # / ACC输入引脚
- 写保护( WP # )功能允许
保护第一个或最后一个32K字的部门,
不管以前的行业保护状态
- 加速度( ACC )功能提供
加速计划时间
JEDEC标准兼容
- 引脚和软件兼容的单
电源闪存标准
在0.18微米工艺制造
技术
灵活的部门架构:
- 一百28 32K字/
64K字节的扇区。
最低100K的程序/擦除次数
周期。
-
-
-
高性能的编程和擦除
Word程序时间: 8μs典型
扇区擦除时间: 500ms的典型
芯片擦除时间: 64S典型
封装选项
- 48引脚TSOP
- 48球FBGA
概述
该EN29LV640H / L / EN29LV640U是一个64兆位( 4Mx16 ) ,电可擦,读/写非
挥发性快闪记忆体。任一词通常可以在8μs进行编程。该装置是完全
指令集与JEDEC单电源闪存标准兼容。
该EN29LV640H / L / EN29LV640U设计,让无论是单扇区或整片擦除
操作,其中每个类别组可以被保护,以防止编程/擦除操作或
暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改,由于改变的技术规格。
2005宙硅解决方案公司, www.essi.com.tw
版本C ,发行日期: 2007/01/23
EN29LV640
产品选择指南
产品编号
速度选项
全电压范围: V
CC
=2.7 – 3.6 V
EN29LV640H/L
90
90
90
35
EN29LV640U
90
90
90
35
最大访问时间(纳秒)
最大CE#访问时间(纳秒)
最大OE #访问时间(纳秒)
框图
V
CC
V
SS
RESET#
状态
控制
编程电压
发电机
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
RY / BY #
部门保护开关
DQ15-DQ0
擦除电压发生器
输入/输出缓冲器
WE#
WP # /
加
CE#
OE #
命令
注册
数据锁存器
y解码器
地址锁存
机顶盒
Y型GATING
V
CC
探测器
定时器
X解码器
细胞矩阵
A21-A0
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或修改,由于改变的技术规格。
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连接图
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表1.引脚说明
逻辑图
引脚名称
A21-A0
DQ15-DQ0
CE#
OE #
WE#
WP # / ACC
RY / BY #
RESET#
V
cc
V
ss
NC
功能
22地址输入
16数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
写保护/加速引脚
就绪/忙状态输出
硬件复位输入管脚
电源电压( 2.7-3.6V )
地
没有连接到任何东西
RESET#
WP # / ACC
RY / BY #
A21 – A0
CE#
OE #
WE#
DQ15 - DQ0
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EN29LV640
订购信息
EN29LV640
H
─
90
T
C
P
内容包装
(空白)=传统
P =无铅
温度范围
I =工业级( -40 ° C至+ 85°C )
C =商用( 0 ° C至+ 70 ° C)
包
T = 48针TSOP
B = 48球细间距球栅阵列( FBGA )
0.80毫米间距
速度选项
见产品选型指南和有效组合
部门写保护(WP # / ACC = 0 )
H =最高地址部门保护
L =最低地址部门保护
基本零件编号
EN29LV640 / EN29LV640U
64兆位( 4M ×16位)统一闪存部门
3V读取,擦除和编程
产品选择指南
有效组合
EN29LV640H–90
EN29LV640L–90
TI , TC
BI ,BC
VCC
V
cc
= 2.7V-3.6V
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或修改,由于改变的技术规格。
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版本C ,发行日期: 2007/01/23