EN29LV400A
EN29LV400A
4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3V单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
和写入操作的兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
高性能
- 存取时间快45纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 一个16 K字节， 2 8 K字节， 1个32 K-字节，
七64千字节扇区（字节模式）
- 一个8 K字， 2个4 K-字一16 K字
七是32K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构撤消
允许在先前锁定的代码更改
部门。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV400A是4兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为524,288字节或256144字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV400A提供3.0V电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV400A有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置可承受
至少100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2005宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
A版，发行日期： 2005年1月7日
EN29LV400A
连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
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48
47
46
45
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41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
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G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
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D4
E4
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G4
H4
WE＃
RESET＃
NC
NC
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY ＃
A2
NC
B2
NC
C2
NC
D2
DQ2
E2
DQ10
F2
DQ11
G2
DQ3
H2
A7
A1
A17
B1
A6
C1
A5
D1
DQ0
E1
DQ8
F1
DQ9
G1
DQ1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
BYTE ＃
地址
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
地
没有连接到任何东西
字节/字模式
功能
图1.逻辑图
EN29LV400A
A0 - A17
DQ0 DQ15
(A-1)
RESET＃
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表2A 。 TOP BOOT BLOCK部门架构
地址范围
扇形
(X16)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
3E000h-3FFFFh
3D000h-3DFFFh
3C000h-3CFFFh
38000h-3BFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
20000h-27FFFh
18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
00000h-07FFFh
扇形
SIZE
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
A17
A16
A15
A14
A13
A12
(X8)
7C000h-7FFFFh
7A000h-7BFFFh
78000h-79FFFh
70000h - 77FFFh
60000H - 6FFFFh
50000H 5FFFFh
40000H 4FFFFh
30000H 3FFFFH
20000H - 2FFFFh
10000H - 1FFFFH
00000H - 地址0FFFFh
1
1
1
1
1
1
1
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0
0
0
1
1
1
1
1
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0
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1
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1
1
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X
X
X
X
X
X
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1
0
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X
X
X
X
X
X
X
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1
0
X
X
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X
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X
X
X
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表2B 。底部引导块，扇区架构
地址范围
扇形
(X16)
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
38000h-3FFFFh
30000h-37FFFh
28000h-2FFFFh
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18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
08000h-0FFFFh
04000h-07FFFh
03000h-03FFFh
02000h-02FFFh
00000h-01FFFh
扇形
SIZE
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
A17
A16
A15
A14
A13
A12
(X8)
70000h -7FFFFh
60000H 6FFFFh
50000H 5FFFFh
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30000H 3FFFFH
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1
1
1
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0
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该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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4兆位（ 512K ×8位/ 256K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
3V单电源工作
- 全电压范围： 2.7-3.6伏读写
操作适用于电池供电的应用。
- 稳压电压范围： 3.03.6伏读
和写入操作的兼容性
高性能的3.3伏的微处理器。
高性能
- 存取时间快45纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 7毫安典型的读操作工作电流
- 15毫安典型的编程/擦除电流
- 1
A
典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
- 一个16 K字节， 2 8 K字节， 1个32 K-字节，
七64千字节扇区（字节模式）
- 一个8 K字， 2个4 K-字一16 K字
七是32K字部门（字模式）
部门保护：
- 硬件扇区，以防止锁定
程序或在单独的擦除操作
扇区
- 另外，临时机构撤消
允许在先前锁定的代码更改
部门。
高性能的编程/擦除速度
- 字节/字编程时间： 8μs典型
- 扇区擦除时间： 500ms的典型
JEDEC标准的嵌入式擦除和
程序算法
JEDEC标准的数据＃投票和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
擦除挂起/恢复模式：
阅读或在设置另一个部门
擦除挂起模式
三金属双聚三阱CMOS
闪存技术
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低1,000K编程/擦除耐力
周期
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围
概述
该EN29LV400A是4兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，
组织为524,288字节或256144字。任何字节通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV400A提供3.0V电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS到
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV400A有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单
扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置可承受
至少100K编程/擦除的每一个扇区周期。
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
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连接图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
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41
40
39
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37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
VSS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
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DQ0
OE ＃
VSS
CE＃
A0
标准
TSOP
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
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G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
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A4
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D4
E4
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G4
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WE＃
RESET＃
NC
NC
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
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RY / BY ＃
A2
NC
B2
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C2
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D2
DQ2
E2
DQ10
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DQ11
G2
DQ3
H2
A7
A1
A17
B1
A6
C1
A5
D1
DQ0
E1
DQ8
F1
DQ9
G1
DQ1
H1
A3
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A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表1.引脚说明
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
WE＃
VCC
VSS
NC
BYTE ＃
地址
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
硬件复位引脚
READY / BUSY输出
写使能
电源电压
地
没有连接到任何东西
字节/字模式
功能
图1.逻辑图
EN29LV400A
A0 - A17
DQ0 DQ15
(A-1)
RESET＃
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表2A 。 TOP BOOT BLOCK部门架构
地址范围
扇形
(X16)
10
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7
6
5
4
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1
0
3E000h-3FFFFh
3D000h-3DFFFh
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18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
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扇形
SIZE
（千字节/
K字）
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
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A17
A16
A15
A14
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(X8)
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40000H 4FFFFh
30000H 3FFFFH
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该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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表2B 。底部引导块，扇区架构
地址范围
扇形
(X16)
10
9
8
7
6
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3
2
1
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38000h-3FFFFh
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18000h-1FFFFh
10000h-17FFFh
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03000h-03FFFh
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00000h-01FFFh
扇形
SIZE
（千字节/
K字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
A17
A16
A15
A14
A13
A12
(X8)
70000h -7FFFFh
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该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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