EN29LV320
EN29LV320
32兆位（ 4096K ×8位/ 2048K ×16位）闪存
引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读
写操作
高性能
- 存取时间快70纳秒
低功耗（ 5典型值
兆赫）
- 9 mA典型有效的读电流
- 20毫安典型的编程/擦除电流
- 少于1
A
目前在待机或自动
睡眠模式。
标准数据＃投票和切换位
特征
解锁绕道程序命令支持
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
支持JEDEC通用闪存接口
（ CFI ） 。
VCC低于写入禁止< 2.5V
最低100K的程序/擦除次数
周期。
RESET ＃硬件复位引脚
- 硬件的方法来重置设备来读取
模式。
WP ＃ / ACC输入引脚
- 写保护（ WP ＃ ）功能允许
保护最外层的两个引导扇区，
无论部门保护状态
- 加速度（ ACC ）功能提供
加速计划时间
封装选项
- 48引脚TSOP （类型1 ）
- 48球的6mm x 8毫米FBGA
商用和工业温度
范围内。
灵活的部门架构：
- 8个8 KB的行业， 63 64K字节
部门。
- 8 KB的行业为顶部或底部启动。
- 行业/类别组保护：
部门，以防止硬件锁
程序或在单独的擦除操作
扇区
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业。
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
Word程序时间： 8μs典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 70典型
JEDEC标准兼容
概述
该EN29LV320是32兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，组织
作为4,194,304字节或2.097,152字。任一词通常可以在8μs进行编程。该
EN29LV320特点3.0V电压读写操作，访问时间以最快的速度为70ns至
省去了在高性能微处理器系统等待状态。
该EN29LV320有独立的输出使能（ OE ＃ ） ，芯片使能（ CE ＃ ） ，和写使能（ WE＃ ）
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区
或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除
操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低的100K
编程/擦除的每一个扇区周期。
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
1
或修改，由于改变的技术规格。
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2006年5月16日
EN29LV320
连接图
FBGA
顶视图，球朝下
A6
B6
C6
D6
E6
F6
G6
H6
A13
A12
A14
A15
A16
BYTE ＃
DQ15/A-1
VSS
A5
B5
C5
D5
E5
F5
G5
H5
A9
A8
A10
A11
DQ7
DQ14
DQ13
DQ6
A4
B4
C4
D4
E4
F4
G4
H4
WE＃
RESET＃
NC
A19
DQ5
DQ12
VCC
DQ4
A3
B3
C3
D3
E3
F3
G3
H3
RY / BY ＃
A2
WP ＃ / ACC
B2
A18
C2
A20
D2
DQ2
E2
DQ10
F2
DQ11
G2
DQ3
H2
A7
A1
A17
B1
A6
C1
A5
D1
DQ0
E1
DQ8
F1
DQ9
G1
DQ1
H1
A3
A4
A2
A1
A0
CE＃
OE ＃
VSS
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
2
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2006年5月16日
EN29LV320
表1.引脚说明
逻辑图
引脚名称
A0-A20
DQ0-DQ14
DQ15 / A- 1
CE＃
OE ＃
WE＃
WP ＃ / ACC
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
VCC
VSS
NC
功能
21地址输入
15数据输入/输出
DQ15 （数据输入/输出，在文字模式） ，
A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
写保护/加速引脚
硬件复位引脚
字节/字模式选择
READY / BUSY输出
电源电压
(2.7-3.6V)
地
没有连接到任何东西
EN29 LV320
A0 – A20
WP ＃ / ACC
RESET＃
CE＃
OE ＃
WE＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
DQ0 DQ15
(A-1)
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
3
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2006年5月16日
EN29LV320
订购信息
─
EN29LV320
T
70
T
C
P
内容包装
（空白）=传统
P =无铅
温度范围
C =商用（ 0 ° C至+ 70 ° C）
I =工业级（ -40 ° C至+ 85°C ）
包
T = 48针TSOP
B = 48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
0.80毫米间距，采用6mm x 8毫米包
速度
70 = 70ns的
90 =为90ns
引导代码部门架构
T =热门引导扇区
B =底部引导扇区
基本零件编号
EN =宙硅解决方案公司
29LV = FLASH ， 3V读取，编程和擦除
320 = 32兆位（ 4M ×8 / 2M ×16 ）
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
4
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2006年5月16日
EN29LV320
表2A 。热门引导扇区地址表（ EN29LV320T ）
U
扇形
SA0
SA1
SA2
SA3
SA4
SA5
SA6
SA7
SA8
SA9
SA10
SA11
SA12
SA13
SA14
SA15
SA16
SA17
SA18
SA19
SA20
SA21
SA22
SA23
SA24
SA25
SA26
SA27
SA28
SA29
SA30
SA31
SA32
SA33
SA34
SA35
SA36
SA37
A20 – A12
000000xxx
000001xxx
000010xxx
000011xxx
000100xxx
000101xxx
000110xxx
000111xxx
001000xxx
001001xxx
001010xxx
001011xxx
001100xxx
001101xxx
001110xxx
001111xxx
010000xxx
010001xxx
010010xxx
010011xxx
010100xxx
010101xxx
010110xxx
010111xxx
011000xxx
011001xxx
011010xxx
011011xxx
011100xxx
011101xxx
011110xxx
011111xxx
100000xxx
100001xxx
100010xxx
100011xxx
100100xxx
100101xxx
扇区大小
（千字节/千字）
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
地址范围（H ）
字节模式（ X8 ）
000000–00FFFF
010000–01FFFF
020000–02FFFF
030000–03FFFF
040000–04FFFF
050000–05FFFF
060000–06FFFF
070000–07FFFF
080000–08FFFF
090000–09FFFF
0A0000–0AFFFF
0B0000–0BFFFF
0C0000–0CFFFF
0D0000–0DFFFF
0E0000–0EFFFF
0F0000–0FFFFF
100000–10FFFF
110000–11FFFF
120000–12FFFF
130000–13FFFF
140000–14FFFF
150000–15FFFF
160000–16FFFF
170000–17FFFF
180000–18FFFF
190000–19FFFF
1A0000–1AFFFF
1B0000–1BFFFF
1C0000–1CFFFF
1D0000–1DFFFF
1E0000–1EFFFF
1F0000–1FFFFF
200000–20FFFF
210000–21FFFF
220000–22FFFF
230000–23FFFF
240000–24FFFF
250000–25FFFF
地址范围（H ）
字模式（ X16 ）
000000–007FFF
008000–00FFFF
010000–017FFF
018000–01FFFF
020000–027FFF
028000–02FFFF
030000–037FFF
038000–03FFFF
040000–047FFF
048000–04FFFF
050000–057FFF
058000–05FFFF
060000–067FFF
068000–06FFFF
070000–077FFF
078000–07FFFF
080000–087FFF
088000–08FFFF
090000–097FFF
098000–09FFFF
0A0000–0A7FFF
0A8000–0AFFFF
0B0000–0B7FFF
0B8000–0BFFFF
0C0000–0C7FFF
0C8000–0CFFFF
0D0000–0D7FFF
0D8000–0DFFFF
0E0000–0E7FFF
0E8000–0EFFFF
0F0000–0F7FFF
0F8000–0FFFFF
100000–107FFF
108000–10FFFF
110000–117FFF
118000–11FFFF
120000–127FFF
128000–12FFFF
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
5
2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
修订版E，发表日期： 2006年5月16日
QQ：2881677436 复制
