【EN29LV160JEN29LV160J ******草案初稿******16兆位（ 2048K ×】,IC型号EN29LV160JB90S,EN29LV160JB90S PDF资料,EN29LV160JB90S经销商,ic,电子元器件-51电子网

EN29LV160J

EN29LV160J ******草案初稿******

16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存

引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只

特点

3.0V单电源工作

- 最大程度降低系统级功耗要求

在0.28微米制程技术制造的

高性能

- 存取时间快70纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 7毫安典型的读操作工作电流

- 15毫安典型的编程/擦除电流

- 1

A

典型待机电流（标准访问

时间到活动模式）

灵活的部门架构：

- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而

31 64千字节扇区（字节模式）

- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字

和31 32 K字部门（字模式）

- 支持整片擦除

- 个人扇区擦除支持

- 行业保护：

部门，以防止硬件锁

程序或在单独的擦除操作

扇区

另外，临时机构集团

撤消允许在以前的代码更改

锁定行业。

-

高性能的编程/擦除速度

字节编程时间： 8μs典型

扇区擦除时间： 200ms的典型

芯片擦除时间： 3.5秒典型

0.

JEDEC标准的编程和擦除

COMMANDS

JEDEC标准

数据

轮询和切换

位功能

单扇区和芯片擦除

部门撤消模式

嵌入式擦除和编程算法

擦除挂起/恢复模式：

读取和编程过程中的另一个部门

擦除挂起模式

0.28微米的双金属双聚

三阱CMOS闪存技术

VCC低于写入禁止< 2.5V

>100K编程/擦除周期耐力

48引脚TSOP （类型1 ）

商业级温度范围

概述

该EN29LV160J是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，

组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。

该EN29LV160J特征3.0V电压的读写操作，具有存取时间快55ns

消除需要在高性能微处理器系统等待状态。

该EN29LV160J有独立的输出使能（

OE

），芯片使能（

CE

）和写使能（ WE）

控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区

或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除

操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的

100K编程/擦除的每一个扇区周期。

4800大美景观道路，套房202

1

圣克拉拉， CA 95054

REV 0.3发布日期： 2002年1月30日

联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

EN29LV160J

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

NC

WE＃

RESET＃

NC

RY / BY ＃

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

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9

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11

12

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20

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48

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43

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40

39

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33

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30

29

28

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26

25

A16

BYTE ＃

VSS

DQ15/A-1

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DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

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OE ＃

VSS

CE＃

A0

标准

TSOP

表1.引脚说明

引脚名称

A0-A19

DQ0-DQ14

DQ15 / A- 1

CE＃

OE ＃

RESET＃

RY / BY ＃

WE＃

VCC

VSS

NC

BYTE ＃

功能

20个地址

15数据输入/输出

DQ15 （数据输入/输出，文字模式），

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

硬件复位引脚

READY / BUSY输出

写使能

电源电压

(2.7-3.6V)

地

没有连接到任何东西

字节/字模式

图1.逻辑图

EN29LV160

A0 – A19

DQ0 DQ15

(A-1)

RESET

CE

OE

WE

字节

RY / BY

表2扇区地址表（ EN29LV160J ）

4800大美景观道路，套房202

2

圣克拉拉， CA 95054

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联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

EN29LV160J

S

埃克特尺寸

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

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SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

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SA28

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SA30

SA31

SA32

SA33

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0

1

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0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

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0

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0

1

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1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

X

0

1

A13

X

0

1

A12

X

0

1

X

（千字节/

K字）

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

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0AFFFF

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0CFFFF

0D0000–

0DFFFF

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1F8000–1F9FFF

1FA000–

1FBFFF

1FC000–

1FFFFF

字模式（ X16 ）

00000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

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C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FBFFF

FC000–FCFFF

FD000–FDFFF

FE000–FFFFF

62/32

64/32

32/16

8/4

16/8

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3

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传真： 408-235-8685

EN29LV160J

表3扇区地址表（ EN29LV160J ）

S

埃克特大小地址范围（十六进制）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

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0

1

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0

1

0

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1

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1

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1

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A15

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1

0

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1

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0

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A14

0

1

X

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1

X

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（千字节/

K字）

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字节模式（ X8 ）

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E8000–EFFFF

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F8000–FFFFF

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4

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5

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联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

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EN29LV160J ******草案初稿******

16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存

引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只

特点

3.0V单电源工作

- 最大程度降低系统级功耗要求

在0.28微米制程技术制造的

高性能

- 存取时间快70纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 7毫安典型的读操作工作电流

- 15毫安典型的编程/擦除电流

- 1

A

典型待机电流（标准访问

时间到活动模式）

灵活的部门架构：

- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节，而

31 64千字节扇区（字节模式）

- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字

和31 32 K字部门（字模式）

- 支持整片擦除

- 个人扇区擦除支持

- 行业保护：

部门，以防止硬件锁

程序或在单独的擦除操作

扇区

另外，临时机构集团

撤消允许在以前的代码更改

锁定行业。

-

高性能的编程/擦除速度

字节编程时间： 8μs典型

扇区擦除时间： 200ms的典型

芯片擦除时间： 3.5秒典型

0.

JEDEC标准的编程和擦除

COMMANDS

JEDEC标准

数据

轮询和切换

位功能

单扇区和芯片擦除

部门撤消模式

嵌入式擦除和编程算法

擦除挂起/恢复模式：

读取和编程过程中的另一个部门

擦除挂起模式

0.28微米的双金属双聚

三阱CMOS闪存技术

VCC低于写入禁止< 2.5V

>100K编程/擦除周期耐力

48引脚TSOP （类型1 ）

商业级温度范围

概述

该EN29LV160J是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，

组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在10微秒进行编程。

该EN29LV160J特征3.0V电压的读写操作，具有存取时间快55ns

消除需要在高性能微处理器系统等待状态。

该EN29LV160J有独立的输出使能（

OE

），芯片使能（

CE

）和写使能（ WE）

控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许任何单个扇区

或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止编程/擦除

操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持最低限度的

100K编程/擦除的每一个扇区周期。

4800大美景观道路，套房202

1

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联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

EN29LV160J

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

NC

WE＃

RESET＃

NC

RY / BY ＃

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A17

A7

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A1

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12

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14

15

16

17

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48

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31

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29

28

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26

25

A16

BYTE ＃

VSS

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

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OE ＃

VSS

CE＃

A0

标准

TSOP

表1.引脚说明

引脚名称

A0-A19

DQ0-DQ14

DQ15 / A- 1

CE＃

OE ＃

RESET＃

RY / BY ＃

WE＃

VCC

VSS

NC

BYTE ＃

功能

20个地址

15数据输入/输出

DQ15 （数据输入/输出，文字模式），

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

硬件复位引脚

READY / BUSY输出

写使能

电源电压

(2.7-3.6V)

地

没有连接到任何东西

字节/字模式

图1.逻辑图

EN29LV160

A0 – A19

DQ0 DQ15

(A-1)

RESET

CE

OE

WE

字节

RY / BY

表2扇区地址表（ EN29LV160J ）

4800大美景观道路，套房202

2

圣克拉拉， CA 95054

REV 0.3发布日期： 2002年1月30日

联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

EN29LV160J

S

埃克特尺寸

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

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SA11

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（千字节/

K字）

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–00FFFF

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64/32

32/16

8/4

16/8

4800大美景观道路，套房202

3

圣克拉拉， CA 95054

REV 0.3发布日期： 2002年1月30日

联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

EN29LV160J

表3扇区地址表（ EN29LV160J ）

S

埃克特大小地址范围（十六进制）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

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（千字节/

K字）

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字节模式（ X8 ）

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4800大美景观道路，套房202

4

圣克拉拉， CA 95054

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联系电话： 408-235-8680

传真： 408-235-8685

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5

圣克拉拉， CA 95054

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