【EN29LV160AEN29LV160A16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存】,IC型号EN29LV160AB-70BIP,EN29LV160AB-70BIP PDF资料,EN29LV160AB-70BIP经销商,ic,电子元器件-51电子网

EN29LV160A

16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存

引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只

特点

3.0V单电源工作

- 最大程度降低系统级功耗要求

高性能

- 存取时间快70纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 9 mA典型有效的读电流

- 20毫安典型的编程/擦除电流

- 少于1

A

待机电流

- 扇区擦除时间： 500ms的典型

- 芯片擦除时间： 17.5s典型

JEDEC标准的编程和擦除

COMMANDS

JEDEC标准的数据＃投票和切换

位功能

单扇区和芯片擦除

部门撤消模式

嵌入式擦除和编程算法

擦除挂起/恢复模式：

读取和编程过程中的另一个部门

擦除挂起模式

三金属双聚三阱CMOS

闪存技术

VCC低于写入禁止< 2.5V

最低1,000K编程/擦除耐力

灵活的部门架构：

- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，

和31的64字节扇区（字节模式）

- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字

和31 32 K字部门（字模式）

部门保护：

- 硬件扇区，以防止锁定

程序或在单独的擦除操作

扇区

- 另外，临时机构集团

撤消允许在以前的代码更改

锁定行业。

高性能的编程/擦除速度

- 字节/字编程时间： 8μs典型

周期

封装选项

- 48引脚TSOP （类型1 ）

- 48球的6mm x 8毫米FBGA

商用和工业温度

范围

概述

该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，

组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。

该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间

为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。

该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃），芯片使能（ CE ＃），和写使能

（ WE＃）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许

单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护

对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置

可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。

该数据表可以通过后续的版本中修改

1

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

NC

WE＃

RESET＃

NC

RY / BY ＃

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

A16

BYTE ＃

VSS

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A0

标准

TSOP

FBGA

顶视图，球朝下

A6

B6

C6

D6

E6

F6

G6

H6

A13

A12

A14

A15

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

VSS

A5

B5

C5

D5

E5

F5

G5

H5

A9

A8

A10

A11

DQ7

DQ14

DQ13

DQ6

A4

B4

C4

D4

E4

F4

G4

H4

WE＃

RESET＃

NC

A19

DQ5

DQ12

VCC

DQ4

A3

B3

C3

D3

E3

F3

G3

H3

RY / BY ＃

A2

NC

B2

A18

C2

NC

D2

A5

D1

DQ2

E2

DQ0

E1

DQ10

F2

DQ8

DQ11

G2

DQ9

G1

DQ3

H2

DQ1

A7

A1

A17

B1

A6

C1

F1

H1

A3

A4

A2

A1

A0

CE＃

OE ＃

VSS

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表1.引脚说明

引脚名称

A0-A19

DQ0-DQ14

DQ15 / A- 1

CE＃

OE ＃

RESET＃

RY / BY ＃

WE＃

VCC

VSS

NC

BYTE ＃

20个地址

15数据输入/输出

DQ15 （数据输入/输出，文字模式），

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

硬件复位引脚

READY / BUSY输出

写使能

电源电压

(2.7-3.6V)

地

没有连接到任何东西

字节/字模式

RESET＃

图1.逻辑图

功能

EN29LV160A

A0 – A19

DQ0 DQ15

(A-1)

CE＃

OE ＃

WE＃

BYTE ＃

RY / BY ＃

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

3

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

X

0

1

A13

X

0

1

A12

X

0

1

X

62/32

64/32

32/16

8/4

16/8

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1F7FFF

1F8000–1F9FFF

1FA000–1FBFFF

1FC000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FBFFF

FC000–FCFFF

FD000–FDFFF

FE000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

4

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

0

1

X

A13

0

1

X

A12

X

0

1

X

16/8

8/4

32/16

64/32

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–003FFF

004000–005FFF

006000–007FFF

008000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–01FFF

02000–02FFF

03000–03FFF

04000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

5

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存

引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只

特点

3.0V单电源工作

- 最大程度降低系统级功耗要求

高性能

- 存取时间快70纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 9 mA典型有效的读电流

- 20毫安典型的编程/擦除电流

- 少于1

A

待机电流

- 扇区擦除时间： 500ms的典型

- 芯片擦除时间： 17.5s典型

JEDEC标准的编程和擦除

COMMANDS

JEDEC标准的数据＃投票和切换

位功能

单扇区和芯片擦除

部门撤消模式

嵌入式擦除和编程算法

擦除挂起/恢复模式：

读取和编程过程中的另一个部门

擦除挂起模式

三金属双聚三阱CMOS

闪存技术

VCC低于写入禁止< 2.5V

最低1,000K编程/擦除耐力

灵活的部门架构：

- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，

和31的64字节扇区（字节模式）

- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字

和31 32 K字部门（字模式）

部门保护：

- 硬件扇区，以防止锁定

程序或在单独的擦除操作

扇区

- 另外，临时机构集团

撤消允许在以前的代码更改

锁定行业。

高性能的编程/擦除速度

- 字节/字编程时间： 8μs典型

周期

封装选项

- 48引脚TSOP （类型1 ）

- 48球的6mm x 8毫米FBGA

商用和工业温度

范围

概述

该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，

组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。

该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间

为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。

该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃），芯片使能（ CE ＃），和写使能

（ WE＃）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许

单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护

对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置

可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。

该数据表可以通过后续的版本中修改

1

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

NC

WE＃

RESET＃

NC

RY / BY ＃

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

A16

BYTE ＃

VSS

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A0

标准

TSOP

FBGA

顶视图，球朝下

A6

B6

C6

D6

E6

F6

G6

H6

A13

A12

A14

A15

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

VSS

A5

B5

C5

D5

E5

F5

G5

H5

A9

A8

A10

A11

DQ7

DQ14

DQ13

DQ6

A4

B4

C4

D4

E4

F4

G4

H4

WE＃

RESET＃

NC

A19

DQ5

DQ12

VCC

DQ4

A3

B3

C3

D3

E3

F3

G3

H3

RY / BY ＃

A2

NC

B2

A18

C2

NC

D2

A5

D1

DQ2

E2

DQ0

E1

DQ10

F2

DQ8

DQ11

G2

DQ9

G1

DQ3

H2

DQ1

A7

A1

A17

B1

A6

C1

F1

H1

A3

A4

A2

A1

A0

CE＃

OE ＃

VSS

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表1.引脚说明

引脚名称

A0-A19

DQ0-DQ14

DQ15 / A- 1

CE＃

OE ＃

RESET＃

RY / BY ＃

WE＃

VCC

VSS

NC

BYTE ＃

20个地址

15数据输入/输出

DQ15 （数据输入/输出，文字模式），

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

硬件复位引脚

READY / BUSY输出

写使能

电源电压

(2.7-3.6V)

地

没有连接到任何东西

字节/字模式

RESET＃

图1.逻辑图

功能

EN29LV160A

A0 – A19

DQ0 DQ15

(A-1)

CE＃

OE ＃

WE＃

BYTE ＃

RY / BY ＃

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

3

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

X

0

1

A13

X

0

1

A12

X

0

1

X

62/32

64/32

32/16

8/4

16/8

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1F7FFF

1F8000–1F9FFF

1FA000–1FBFFF

1FC000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FBFFF

FC000–FCFFF

FD000–FDFFF

FE000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

4

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

0

1

X

A13

0

1

X

A12

X

0

1

X

16/8

8/4

32/16

64/32

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–003FFF

004000–005FFF

006000–007FFF

008000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–01FFF

02000–02FFF

03000–03FFF

04000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

5

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

16兆位（ 2048K ×8位/ 1024K ×16位）闪存

引导扇区快闪记忆体， CMOS 3.0伏只

特点

3.0V单电源工作

- 最大程度降低系统级功耗要求

高性能

- 存取时间快70纳秒

低功耗（ 5典型值

兆赫）

- 9 mA典型有效的读电流

- 20毫安典型的编程/擦除电流

- 少于1

A

待机电流

- 扇区擦除时间： 500ms的典型

- 芯片擦除时间： 17.5s典型

JEDEC标准的编程和擦除

COMMANDS

JEDEC标准的数据＃投票和切换

位功能

单扇区和芯片擦除

部门撤消模式

嵌入式擦除和编程算法

擦除挂起/恢复模式：

读取和编程过程中的另一个部门

擦除挂起模式

三金属双聚三阱CMOS

闪存技术

VCC低于写入禁止< 2.5V

最低1,000K编程/擦除耐力

灵活的部门架构：

- 一个16K字节， 2个8 KB的，一个32字节，

和31的64字节扇区（字节模式）

- 一个8 - K字，两个4千字，一个16- K字

和31 32 K字部门（字模式）

部门保护：

- 硬件扇区，以防止锁定

程序或在单独的擦除操作

扇区

- 另外，临时机构集团

撤消允许在以前的代码更改

锁定行业。

高性能的编程/擦除速度

- 字节/字编程时间： 8μs典型

周期

封装选项

- 48引脚TSOP （类型1 ）

- 48球的6mm x 8毫米FBGA

商用和工业温度

范围

概述

该EN29LV160A是16兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体，

组织为2,097,152字节或1,048,576字。任何字节通常可以在8μs进行编程。

该EN29LV160A特点3.0V电压读取并以最快的速度写操作，访问时间

为70ns ，从而无需在高性能微处理器系统等待状态。

该EN29LV160A有独立的输出使能（ OE ＃），芯片使能（ CE ＃），和写使能

（ WE＃）控制，这消除了总线争用问题。本设备被设计为允许

单扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别进行保护

对编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该装置

可以维持至少1,000K编程/擦除的每一个扇区周期。

该数据表可以通过后续的版本中修改

1

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

连接图

A15

A14

A13

A12

A11

A10

A9

A8

A19

NC

WE＃

RESET＃

NC

RY / BY ＃

A18

A17

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

A16

BYTE ＃

VSS

DQ15/A-1

DQ7

DQ14

DQ6

DQ13

DQ5

DQ12

DQ4

VCC

DQ11

DQ3

DQ10

DQ2

DQ9

DQ1

DQ8

DQ0

OE ＃

VSS

CE＃

A0

标准

TSOP

FBGA

顶视图，球朝下

A6

B6

C6

D6

E6

F6

G6

H6

A13

A12

A14

A15

A16

BYTE ＃

DQ15/A-1

VSS

A5

B5

C5

D5

E5

F5

G5

H5

A9

A8

A10

A11

DQ7

DQ14

DQ13

DQ6

A4

B4

C4

D4

E4

F4

G4

H4

WE＃

RESET＃

NC

A19

DQ5

DQ12

VCC

DQ4

A3

B3

C3

D3

E3

F3

G3

H3

RY / BY ＃

A2

NC

B2

A18

C2

NC

D2

A5

D1

DQ2

E2

DQ0

E1

DQ10

F2

DQ8

DQ11

G2

DQ9

G1

DQ3

H2

DQ1

A7

A1

A17

B1

A6

C1

F1

H1

A3

A4

A2

A1

A0

CE＃

OE ＃

VSS

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表1.引脚说明

引脚名称

A0-A19

DQ0-DQ14

DQ15 / A- 1

CE＃

OE ＃

RESET＃

RY / BY ＃

WE＃

VCC

VSS

NC

BYTE ＃

20个地址

15数据输入/输出

DQ15 （数据输入/输出，文字模式），

A- 1 （ LSB地址输入，字节模式）

芯片使能

OUTPUT ENABLE

硬件复位引脚

READY / BUSY输出

写使能

电源电压

(2.7-3.6V)

地

没有连接到任何东西

字节/字模式

RESET＃

图1.逻辑图

功能

EN29LV160A

A0 – A19

DQ0 DQ15

(A-1)

CE＃

OE ＃

WE＃

BYTE ＃

RY / BY ＃

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

3

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表2.前引导扇区地址表（ EN29LV160AT ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

X

0

1

A13

X

0

1

A12

X

0

1

X

62/32

64/32

32/16

8/4

16/8

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1F7FFF

1F8000–1F9FFF

1FA000–1FBFFF

1FC000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FBFFF

FC000–FCFFF

FD000–FDFFF

FE000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

4

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日

EN29LV160A

表3.底部引导扇区地址表（ EN29LV160AB ）

扇区大小

（千字节/

K字）

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

A19

0

1

A18

0

1

0

1

A17

0

1

0

1

0

1

0

1

A16

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A15

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

0

1

A14

0

1

X

A13

0

1

X

A12

X

0

1

X

16/8

8/4

32/16

64/32

地址范围（十六进制）

字节模式（ X8 ）

000000–003FFF

004000–005FFF

006000–007FFF

008000–00FFFF

010000–01FFFF

020000–02FFFF

030000–03FFFF

040000–04FFFF

050000–05FFFF

060000–06FFFF

070000–07FFFF

080000–08FFFF

090000–09FFFF

0A0000–0AFFFF

0B0000–0BFFFF

0C0000–0CFFFF

0D0000–0DFFFF

0E0000–0EFFFF

0F0000–0FFFFF

100000–10FFFF

110000–11FFFF

120000–12FFFF

130000–13FFFF

140000–14FFFF

150000–15FFFF

160000–16FFFF

170000–17FFFF

180000–18FFFF

190000–19FFFF

1A0000–1AFFFF

1B0000–1BFFFF

1C0000–1CFFFF

1D0000–1DFFFF

1E0000–1EFFFF

1F0000–1FFFFF

文字模式

(x16)

00000–01FFF

02000–02FFF

03000–03FFF

04000–07FFF

08000–0FFFF

10000–17FFF

18000–1FFFF

20000–27FFF

28000–2FFFF

30000–37FFF

38000–3FFFF

40000–47FFF

48000–4FFFF

50000–57FFF

58000–5FFFF

60000–67FFF

68000–6FFFF

70000–77FFF

78000–7FFFF

80000–87FFF

88000–8FFFF

90000–97FFF

98000–9FFFF

A0000–A7FFF

A8000–AFFFF

B0000–B7FFF

B8000–BFFFF

C0000–C7FFF

C8000–CFFFF

D0000–D7FFF

D8000–DFFFF

E0000–E7FFF

E8000–EFFFF

F0000–F7FFF

F8000–FFFFF

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

5

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本C ，发行日期： 2005年1月7日