初步
EN29GL064
64兆位（ 8192K ×8位/ 4096K ×16位）闪存
页模式闪存， CMOS 3.0伏只
特点
单电源工作
- 全电压范围： 2.7 3.6伏读
写操作
高性能
- 存取时间快70纳秒
V
IO
输入/输出1.65 3.6伏特
- 所有的输入电平（地址，控制和DQ输入
电平）和输出由电压确定
在V
IO
输入。 V
IO
范围为1.65至V
CC
8字/ 16字节的页面读取缓冲区
16字/ 32字节的写缓冲整体减少
编程时间多字的更新
安全硅行业区域
- 128字/ 256字节扇区永久，
通过一个8字安全识别/ 16
字节随机电子序列号
- 可以编程并锁定在出厂
或由客户
灵活的部门架构：
- 部门统一型号：
一百28均匀
32Kword / 64K字节扇区
- 引导扇区型号：
八顶部或底部的8 KB的引导扇区
和127 32Kword /
64K字节扇区。
暂停和恢复的命令
编程和擦除操作
写操作状态位指示程序
和擦除操作完成
支持CFI （通用闪存接口）
高级行业持续的方法
保护
WP ＃ / ACC输入
- 加速编程时间（当VHH是
应用篇）系统，在更大的吞吐量
生产
- 保护第一个或最后一个扇区不管
部门保护设置
硬件复位输入（ RESET ＃ ）复位装置
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）检测
编程或擦除周期完成
最低100K的程序/擦除次数
周期。
-
-
-
封装选项
48针TSOP
56引脚TSOP
64 - ball加固BGA
EN29GL064
工业级温度范围。
概述
该EN29GL064提供25 ns的快速页面访问时间与相应的随机存取时间
快70纳秒。它具有一个写缓冲器，允许编程最多16个字/ 32字节
在一次操作中，从而加快有效的编程时间比标准的编程算法。
这使得该器件非常适用于当今的嵌入式应用需要更高的密度，更好的
性能和更低的功耗。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期：二零零九年三月二十零日
初步
EN29GL064
图3. 64 - ball加固球栅阵列（顶视图，球朝下）
A8
俄罗斯足协
A7
A13
A6
A9
A5
WE＃
A4
RY / BY ＃
A3
A7
A2
A3
A1
俄罗斯足协
B8
俄罗斯足协
B7
A12
B6
A8
B5
RESET＃
B4
WP ＃ / ACC
B3
A17
B2
A4
B1
俄罗斯足协
C8
俄罗斯足协
C7
A14
C6
A10
C5
A21
C4
A18
C3
A6
C2
A2
C1
俄罗斯足协
D8
V
IO
D7
A15
D6
A11
D5
A19
D4
A20
D3
A5
D2
A1
D1
俄罗斯足协
E8
VSS
E7
A16
E6
DQ7
E5
DQ5
E4
DQ2
E3
DQ0
E2
A0
E1
俄罗斯足协
F8
俄罗斯足协
F7
G8
俄罗斯足协
G7
H8
俄罗斯足协
H7
VSS
H6
DQ6
H5
DQ4
H4
DQ3
H3
DQ1
H2
VSS
H1
俄罗斯足协
BYTE ＃ DQ15 / A -1
F6
DQ14
F5
DQ12
F4
DQ10
F3
DQ8
F2
CE＃
F1
V
IO
G6
DQ13
G5
VCC
G4
DQ11
G3
DQ9
G2
OE ＃
G1
俄罗斯足协
注意：
足协=留作将来使用
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司，
www.eonssi.com
A版，发行日期：二零零九年三月二十零日
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