EN29F080
EN29F080
8兆位（ 1024K ×8位）快闪记忆体
特点
5.0V
±
10 ％ ，单电源操作
- 最大程度降低系统级功耗要求
在0.35微米制程技术制造的
高性能
- 存取时间快45纳秒
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低功耗
25毫安典型的读操作工作电流
30毫安典型的编程/擦除电流
1 μA典型待机电流（标准访问
时间到活动模式）
灵活的部门架构：
64K字节每16个部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
集团部门保护：
行业组锁定的硬件方法
为了防止任何编程或擦除操作
该部门组内
另外，临时机构集团
撤消允许在以前的代码更改
锁定行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 16S典型
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.35微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
>100K编程/擦除周期耐力
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供了硬件检测方法
编程或擦除周期完成。
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）
- 复位内部状态机读取模式
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概述
该EN29F080是8兆位，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
到1024K的话，每字8位，内存8M被布置在八个均匀的扇区
64K字节的每个。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F080特点5.0V
电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS ，以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F080有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写使能（
宽E
)
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单（或
多）扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
版本C ，发行日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
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