EN29F040
EN29F040
4兆位（ 512K ×8位）快闪记忆体
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
-
-
-
-
部门架构：
64K字节每8个部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护：
部门，以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.35微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F040是4兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
成512K字，每字8位，存储器的4M被布置在八个均匀的扇区
64K字节的每个。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F040特点5.0V
电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS ，以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F040有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写使能（
宽E
)
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单（或
多）扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
1
圣克拉拉， CA 95054
Rev. D的，发表日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN29F040
表3.操作模式
4M FLASH USER MODE表
CE
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
WE
OE
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
L
A9
A8
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
X
A6
A5
X
A5
X
X
X
X
X
X
H
A5
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
X
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
X
A0
AX /年
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ （ 0-7 ）
高阻
制造
ID
器件ID （T / B ）
CODE
X
CODE
X
DIN （0-7）
H
L
L
L
L
L
L
L
脉冲
L
L
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
VID
L
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
3 ） AX / Y：组Ax =地址（X ） ，AY =地址（ Y）
表4.辨识的装置
4M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
H
(2)
DQ(7-0)
（十六进制）
制造商ID
1C
器件ID
04
注意事项：
1 ）如果制造ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ）如果一个设备ID被读取A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步的设备ID
必须读出与A 8 = H。
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5
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EN29F040
4兆位（ 512K ×8位）快闪记忆体
特点
读/写/擦除操作5.0V
操作
快速读取访问时间
- 为45nS ， 55ns ， 70ns的，并且为90ns
-
-
-
-
部门架构：
64K字节每8个部门统一
支持整片擦除
单个扇区擦除支持
部门保护：
部门，以防止硬件锁
在编程或擦除操作
个别行业
高性能的编程/擦除速度
字节编程时间： 10μs的典型
扇区擦除时间： 500ms的典型
芯片擦除时间： 3.5秒典型
JEDEC标准的编程和擦除
COMMANDS
JEDEC标准
数据
轮询和切换
位功能
单扇区和芯片擦除
部门撤消模式
嵌入式擦除和编程算法
擦除挂起/恢复模式：
读取和编程过程中的另一个部门
擦除挂起模式
0.35微米的双金属双聚
三阱CMOS闪存技术
VCC低于写入禁止< 3.2V
100K耐力周期
封装选项
- 32引脚PDIP
- 32引脚PLCC
- 32引脚的TSOP （类型1）
商用和工业温度
范围
-
-
-
低待机电流
- CMOS 1μA待机电流典型
- 1毫安TTL待机电流
低功耗工作电流
- 30毫安有效的读电流
- 30毫安编程/擦除电流
概述
该EN29F040是4兆，电可擦除，读/写非挥发性快闪记忆体。有组织的
成512K字，每字8位，存储器的4M被布置在八个均匀的扇区
64K字节的每个。任何字节通常可以在10微秒进行编程。该EN29F040特点5.0V
电压读出和写入操作时，与存取时间快，为45nS ，以消除需要等待
国家在高性能微处理器系统。
该EN29F040有独立的输出使能（
OE
） ，芯片使能（
CE
） ，以及写使能（
宽E
)
控制，这消除了总线争用问题。此装置被设计成允许或者单（或
多）扇区或整片擦除操作，其中每个扇区可分别防止
编程/擦除操作或暂时未受保护的擦除或编程。该设备可以维持
最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。
4800大美景观道路，套房202
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Rev. D的，发表日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN29F040
表3.操作模式
4M FLASH USER MODE表
CE
用户模式
待机
读
输出禁用
读
制造ID
读取设备ID
VERIFY行业
保护
扇形
保护
VERIFY行业
解除保护
扇形
解除保护
写
WE
OE
A9
X
A9
X
VID
VID
VID
VID
VID
L
A9
A8
X
A8
X
L / H
L / H
X
X
X
X
A8
A6
X
A6
X
L
L
L
L
H
X
A6
A5
X
A5
X
X
X
X
X
X
H
A5
A1
X
A1
X
L
L
H
X
H
X
A1
A0
X
A0
X
L
H
L
X
L
X
A0
AX /年
X
AX /年
X
X
X
X
X
X
X
AX /年
DQ(0-7)
高阻
DQ （ 0-7 ）
高阻
制造
ID
器件ID （T / B ）
CODE
X
CODE
X
DIN （0-7）
H
L
L
L
L
L
L
L
脉冲
L
L
X
H
H
H
H
H
脉冲
L
H
VID
L
X
L
H
L
L
L
VID
L
VID
H
注意事项：
1 ） L = V
IL
，H = V
IH
, V
ID
= 11.0V
±
0.5V
2 ） X =无关，无论是V
IH
或V
IL
3 ） AX / Y：组Ax =地址（X ） ，AY =地址（ Y）
表4.辨识的装置
4M闪存制造商/设备ID表
A8
读
制造商ID
读
器件ID
H
(1)
A6
L
L
A1
L
L
A0
L
H
H
(2)
DQ(7-0)
（十六进制）
制造商ID
1C
器件ID
04
注意事项：
1 ）如果制造ID读取与A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步
制造ID必须被读取以8 = H。
2 ）如果一个设备ID被读取A8 = L时，芯片将输出配置代码7Fh的。进一步的设备ID
必须读出与A 8 = H。
4800大美景观道路，套房202
5
圣克拉拉， CA 95054
Rev. D的，发表日期： 2001年7月5日
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
QQ：2881677436 复制
