EN27LV020 / EN27LV020B
EN27LV020 / EN27LV020B
2Megabit低电压
EPROM （ 256K ×8 ）
特点
读取时间
:
-
90ns,
-
120ns,
-
为150ns ， -200ns
+ 3.3V单电源供电
调控的电源3.0V - 3.6V
(EN27LV020
)
-Unregulated电源2.7V - 3.6V
（ EN27LV020B电池供电系统）
高可靠性的CMOS技术
闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
32引脚PDIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程电压+ 12.75V
QuikRite
TM
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
15毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
概述
该EN27LV020 / EN27LV020B是一个低电压，低功耗的2兆， 3.3V单时间
可编程（OTP）的只读存储器（EPROM） 。组织成256K的话，每8位
总之，它的功能QuikRite
TM
单地址位置编程，典型地在每字节为20μs 。任何
字节可在小于为90ns访问。该EN27LV020 / EN27LV020B具有独立的输出
启用（ OE ）和芯片使能（ CE ）控制消除总线争用问题。该
EN27LV020具有3.0V至3.6 V的Vcc一个公差范围，使其适用于在系统中使用
已稳压电源。该EN27LV020B具有2.7 V至VCC公差范围
3.6V ，使其成为电池供电系统的理想设备。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ7
CE
OE
PGM
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
A17
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
1
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
初步
EN27LV020 / EN27LV020B
图4.框图
CE
PGM
OE
控制
逻辑
输入/
产量
缓冲器
DQ0 - DQ7
8
y解码器
A0 - A17
地址
输入
X解码器
1024
Y选择
2048
2M位
CELL
矩阵
VCC
VSS
VPP
功能说明
THE QUIKRITE
TM
编程EN27LV020 / EN27LV020B的
当EN27LV020 / EN27LV020B交付，该芯片具有所有2M位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过程序装入EN27LV020 / EN27LV020B
的编程。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加于V
PP
脚， OE是
V
IH
和CE和PGM是在V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27LV020 / EN27LV020B的每个地址。编程的这部分
算法完成在V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM位编程为一个
足够高的阈值电压。这确保了所有的位有足够的余量。后
最终地址完成时，整个EPROM存储器读取在V
CC
= V
PP
= 5.25
±
0.25V至
验证整个存储器。 EN27LV020 / EN27LV020B可以使用相同的编程
规划算法为5V读EPROM EN27C020 。
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
TM
3
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
初步
EN27LV020 / EN27LV020B
编程禁止模式
多EN27LV020编程/ EN27LV020B在不同的数据并行也
通过编程禁止模式很容易完成。除了行政长官，都喜欢的输入
平行EN27LV020 / EN27LV020B可能是共同的。一个TTL低层次的编程脉冲应用
到EN27LV020 / EN27LV020B CE输入与V
PP
= 12.75
±
0.25V ， PGM低， OE
高意愿的程序， EN27LV020 / EN27LV020B 。一个高层次的CE输入抑制其他
EN27LV020 / EN27LV020B被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与OE和CE在V进行
IL
， PGM
在V
IH
和V
PP
在它的编程电压。
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM
这将确定它的制造商和型号。此模式适用于通过编程使用
与要被编程的设备，用于自动匹配装置的目的及其
相应的规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 °C的环境
当编程EN27LV020 / EN27LV020B所需要的温度范围。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
在EN27LV020 / EN27LV020B的。两个标识符字节然后可从该设备测序
从V切换地址线A0输出
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须
可以在V举行
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27LV020 / EN27LV020B这两个标识符字节中给出了模式选择表。
所有标识符的制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）
定义为奇偶校验位。如果A1 = V
IL
中， EN27LV020 / EN27LV020B会读出二进制
7F ，延续代码，代码来表示制造商ID代码不可用。
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
4
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
初步
EN27LV020 / EN27LV020B
读取模式
这两者的EN27LV020 / EN27LV020B具有两个控制功能，必须在逻辑
纳以便在输出端得到的数据。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）是输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，独立的设备的选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
加
）等于延迟从CE到输出
(t
CE
） 。数据可在输出端（T
OE
） OE的下降沿，假设在CE后
一直不高和地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27LV020 / EN27LV020B由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到10μA电流。这是摆在CMOS待机时， CE是在V
CC
±
0.3 V的EN27LV020
/ EN27LV020B还具有一个TTL待机模式这减小了最大V
CC
以目前0.6
毫安。这是摆在TTL待机时， CE是在V
IH
。当处于待机模式，则输出
在一个高阻抗状态，独立的参考输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能提供给
允许：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
因此建议的CE被解码并作为主设备的选择功能，
而OE可向阵列中的所有设备共同连接，并连接到
阅读来自系统控制总线线路。这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚才有效数据时所需的
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应之间的每个设备上使用
VCC和VSS ，以减少瞬态效应。此外，为了克服由于电压降
通过在印刷电路板的电感效应的痕迹上的EPROM阵列，一个4.7μF散装
电解电容应V之间使用
CC
和V
SS
每个8设备。位置
电容器的应该是接近的地方，将电源连接到该阵列。
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:
-
90ns,
-
120ns,
-
为150ns ， -200ns
+ 3.3V单电源供电
调控的电源3.0V - 3.6V
(EN27LV020
)
-Unregulated电源2.7V - 3.6V
（ EN27LV020B电池供电系统）
高可靠性的CMOS技术
闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
32引脚PDIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程电压+ 12.75V
QuikRite
TM
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
15毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
概述
该EN27LV020 / EN27LV020B是一个低电压，低功耗的2兆， 3.3V单时间
可编程（OTP）的只读存储器（EPROM） 。组织成256K的话，每8位
总之，它的功能QuikRite
TM
单地址位置编程，典型地在每字节为20μs 。任何
字节可在小于为90ns访问。该EN27LV020 / EN27LV020B具有独立的输出
启用（ OE ）和芯片使能（ CE ）控制消除总线争用问题。该
EN27LV020具有3.0V至3.6 V的Vcc一个公差范围，使其适用于在系统中使用
已稳压电源。该EN27LV020B具有2.7 V至VCC公差范围
3.6V ，使其成为电池供电系统的理想设备。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A17
DQ0-DQ7
CE
OE
PGM
功能
地址
输出
芯片使能
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图4.框图
CE
PGM
OE
控制
逻辑
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产量
缓冲器
DQ0 - DQ7
8
y解码器
A0 - A17
地址
输入
X解码器
1024
Y选择
2048
2M位
CELL
矩阵
VCC
VSS
VPP
功能说明
THE QUIKRITE
TM
编程EN27LV020 / EN27LV020B的
当EN27LV020 / EN27LV020B交付，该芯片具有所有2M位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过程序装入EN27LV020 / EN27LV020B
的编程。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加于V
PP
脚， OE是
V
IH
和CE和PGM是在V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于
以8位并行数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27LV020 / EN27LV020B的每个地址。编程的这部分
算法完成在V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM位编程为一个
足够高的阈值电压。这确保了所有的位有足够的余量。后
最终地址完成时，整个EPROM存储器读取在V
CC
= V
PP
= 5.25
±
0.25V至
验证整个存储器。 EN27LV020 / EN27LV020B可以使用相同的编程
规划算法为5V读EPROM EN27C020 。
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编程禁止模式
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通过编程禁止模式很容易完成。除了行政长官，都喜欢的输入
平行EN27LV020 / EN27LV020B可能是共同的。一个TTL低层次的编程脉冲应用
到EN27LV020 / EN27LV020B CE输入与V
PP
= 12.75
±
0.25V ， PGM低， OE
高意愿的程序， EN27LV020 / EN27LV020B 。一个高层次的CE输入抑制其他
EN27LV020 / EN27LV020B被编程。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与OE和CE在V进行
IL
， PGM
在V
IH
和V
PP
在它的编程电压。
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM
这将确定它的制造商和型号。此模式适用于通过编程使用
与要被编程的设备，用于自动匹配装置的目的及其
相应的规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 °C的环境
当编程EN27LV020 / EN27LV020B所需要的温度范围。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
在EN27LV020 / EN27LV020B的。两个标识符字节然后可从该设备测序
从V切换地址线A0输出
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须
可以在V举行
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27LV020 / EN27LV020B这两个标识符字节中给出了模式选择表。
所有标识符的制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）
定义为奇偶校验位。如果A1 = V
IL
中， EN27LV020 / EN27LV020B会读出二进制
7F ，延续代码，代码来表示制造商ID代码不可用。
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读取模式
这两者的EN27LV020 / EN27LV020B具有两个控制功能，必须在逻辑
纳以便在输出端得到的数据。芯片使能（ CE ）是功率控制和
应该用于设备的选择。输出使能（ OE ）是输出控制和应
用于门的数据到输出引脚，独立的设备的选择。假设
地址是稳定的，地址存取时间（t
加
）等于延迟从CE到输出
(t
CE
） 。数据可在输出端（T
OE
） OE的下降沿，假设在CE后
一直不高和地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27LV020 / EN27LV020B由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到10μA电流。这是摆在CMOS待机时， CE是在V
CC
±
0.3 V的EN27LV020
/ EN27LV020B还具有一个TTL待机模式这减小了最大V
CC
以目前0.6
毫安。这是摆在TTL待机时， CE是在V
IH
。当处于待机模式，则输出
在一个高阻抗状态，独立的参考输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能提供给
允许：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
因此建议的CE被解码并作为主设备的选择功能，
而OE可向阵列中的所有设备共同连接，并连接到
阅读来自系统控制总线线路。这保证了所有选择的存储设备是在
其低功耗待机模式，而输出引脚才有效数据时所需的
从一个特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应之间的每个设备上使用
VCC和VSS ，以减少瞬态效应。此外，为了克服由于电压降
通过在印刷电路板的电感效应的痕迹上的EPROM阵列，一个4.7μF散装
电解电容应V之间使用
CC
和V
SS
每个8设备。位置
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