EN27C010
EN27C010 1Megabit EPROM （ 128K ×8 ）
特点
快速读取访问时间
:
-
45 ， -55 ， -70和-90ns
单5V电源
编程电压+ 12.75V
QuikRite
TM
闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
32引脚PDIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
30毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
高可靠性的CMOS技术
概述
该EN27C010是一个低功率的1兆位，5V -只一次性可编程（OTP）的只读
存储器（EPROM） 。组织成128K字，每个字8位，它的功能QuikRite
TM
单
地址位置的编程，典型地在每字节为20μs 。任何字节不到访问
为45nS ，省去了在高性能微处理器系统等待状态。该
EN27C010有独立的输出使能（
OE
）和芯片使能（
CE
）控制消除
总线争用问题。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
CE
OE
PGM
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
PDIP顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
1
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN27C010
图4.框图
CE
PGM
OE
控制
逻辑
输入/
产量
缓冲器
8
DQ0 - DQ7
8
1024
y解码器
A0-A16
地址
输入
X解码器
1024
Y选择
1M位
CELL
矩阵
VCC
VSS
VPP
功能说明
THE QUIKRITE
TM
编程EN27C010的
当EN27C010交付，该芯片具有所有1M位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过编程的程序加载到EN27C010 。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加于V
PP
销，
OE
是V
IH
,
和
CE
和
PGM
是在V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于与8
位并行数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27C010的每个地址。编程算法的这一部分做的
V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM的位被设定为一个足够高的阈值
电压。这确保了所有的位有足够的余量。最后的地址完成后，
整个EPROM存储器读出在V
CC
= V
PP
= 5.25
±
0.25V ，以验证整个存储器。
TM
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
3
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN27C010
编程禁止模式
多EN27C010在不同的数据并行编程也很容易完成
通过编程禁止模式。以外
CE
，平行EN27C010的都喜欢投入
可以是常见的。一个TTL低层次的编程脉冲应用到EN27C010
CE
输入与
V
PP
= 12.75
±
0.25V,
PGM
低，并
OE
高意愿的程序， EN27C010 。一个高级别
CE
输入抑制从正被编程的其他EN27C010 。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与进行
OE
和
CE
在V
IL
,
PGM
at
V
IH
和V
PP
它的编程电压。
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM的
将确定其制造商和型号。此模式适用于通过编程设备的使用
用于自动地匹配装置的目的，而其对应的被编程
规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
当编程EN27C010所需。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
的EN27C010 。两个标识符字节然后可从该装置的输出通过测序
从V切换地址线A0
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须在举行
V
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27C010 ，这两个标识符字节中给出了模式选择表。所有标识符
制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。如果A1 = V
IL
，该EN27C010会读出7F ，延续代码的二进制代码，
意味着制造商ID代码的可用性。
4800美国大百汇科技教育202
加利福尼亚州圣克拉拉95054
4
联系电话： 408-235-8680
传真： 408-235-8685
EN27C010
读取模式
该EN27C010具有两个控制功能，这两者必须在逻辑上满足以
得到的数据输出。芯片使能（
CE
）为所述功率控制，并应被用于
设备选择。输出使能（
OE
）是输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚，独立的设备选择。假设地址是稳定的，
地址访问时间（t
加
）等于从延迟
CE
输出（T
CE
） 。数据可在
输出（T
OE
）的下降沿后
OE
，假定
CE
一直不高和
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27C010由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到20μA电流。
这是摆在CMOS待机时
CE
是V
CC
±
0.3 V的EN27C010也有一个与TTL
待机模式下降低最大V
CC
1.0 mA的电流。它被放置在与TTL
待机时
CE
是V
IH
。当处于待机模式时，输出处于高阻抗
状态，独立的
OE
输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能以允许
为：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
所以建议
CE
被解码并作为主设备的选择功能，
而
OE
可向阵列中的所有设备共同连接并连接到所述读
线从系统控制总线。这保证了所有选择的存储设备都在其
低功耗待机模式，而输出引脚是唯一活性当数据从一个所希望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应之间的每个设备上使用
VCC和VSS ，以减少瞬态效应。此外，为了克服由于电压降
通过在印刷电路板的电感效应的痕迹上的EPROM阵列，一个4.7μF散装
电解电容器应的VCC和VSS之间用于每个8的设备。该
电容器的位置应靠近那里的电源被连接到所述阵列。
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编程电压+ 12.75V
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闭锁抗扰度100mA的电流
从-1V到V
CC
+ 1V
双线控制（
OE
＆放大器;
CE
)
标准产品标识码
JEDEC标准引脚
32引脚PDIP
32引脚PLCC
32引脚TSOP （类型1 ）
商用和工业温度
范围
编程算法
典型的编程时间为20μs
低功耗CMOS操作
1μA待机（典型值）
30毫安操作（最大）
CMOS-与TTL兼容的I / O
高可靠性的CMOS技术
概述
该EN27C010是一个低功率的1兆位，5V -只一次性可编程（OTP）的只读
存储器（EPROM） 。组织成128K字，每个字8位，它的功能QuikRite
TM
单
地址位置的编程，典型地在每字节为20μs 。任何字节不到访问
为45nS ，省去了在高性能微处理器系统等待状态。该
EN27C010有独立的输出使能（
OE
）和芯片使能（
CE
）控制消除
总线争用问题。
图1. PDIP
引脚名称
A0-A16
DQ0-DQ7
CE
OE
PGM
NC
功能
地址
输出
芯片使能
OUTPUT ENABLE
节目频闪
无连接
VPP
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
PDIP顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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11
12
13
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28
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26
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24
23
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21
20
19
18
17
VCC
PGM
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
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CE
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OE
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缓冲器
8
DQ0 - DQ7
8
1024
y解码器
A0-A16
地址
输入
X解码器
1024
Y选择
1M位
CELL
矩阵
VCC
VSS
VPP
功能说明
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TM
编程EN27C010的
当EN27C010交付，该芯片具有所有1M位的“一” ，或
HIGH状态。 “0”是通过编程的程序加载到EN27C010 。
在进入编程模式时12.75
±
0.25V被施加于V
PP
销，
OE
是V
IH
,
和
CE
和
PGM
是在V
IL
。用于编程，要被编程的数据被应用于与8
位并行数据引脚。
图5中的QUIKRITE程序流程图显示EON的交互式编程
算法。交互式算法采用20减少编程时间
s
100
s
编程脉冲，并给每个地址只作为许多脉冲，是必要的，以
可靠的程序中的数据。之后的每个脉冲被施加到一个给定的地址，在该数据
地址进行验证。如果数据没有经过验证，额外的脉冲给定的，直到它被证实或
直到脉冲的最大数目为止。这个过程被重复，而测序
通过EN27C010的每个地址。编程算法的这一部分做的
V
CC
= 6.25V ，以保证每一个EPROM的位被设定为一个足够高的阈值
电压。这确保了所有的位有足够的余量。最后的地址完成后，
整个EPROM存储器读出在V
CC
= V
PP
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编程禁止模式
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通过编程禁止模式。以外
CE
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可以是常见的。一个TTL低层次的编程脉冲应用到EN27C010
CE
输入与
V
PP
= 12.75
±
0.25V,
PGM
低，并
OE
高意愿的程序， EN27C010 。一个高级别
CE
输入抑制从正被编程的其他EN27C010 。
程序校验模式
验证应在编程位进行，以确定他们是
正确编程。核查应与进行
OE
和
CE
在V
IL
,
PGM
at
V
IH
和V
PP
它的编程电压。
汽车产品标识
自动产品识别模式允许读出的二进制代码的EPROM的
将确定其制造商和型号。此模式适用于通过编程设备的使用
用于自动地匹配装置的目的，而其对应的被编程
规划算法。该模式的功能，在25℃
±
5 ° C的环境温度范围
当编程EN27C010所需。
要激活此模式下，编程设备必须强制12.0 V
±
0.5V的地址线A9
的EN27C010 。两个标识符字节然后可从该装置的输出通过测序
从V切换地址线A0
IL
到V
IH
当A1 = V
IH
。所有其他地址线必须在举行
V
IL
在汽车产品标识模式。
字节0 （ A0 = V
IL
）代表制造商代码和字节1 （ A0 = V
IH
） ，该设备的代码。为
该EN27C010 ，这两个标识符字节中给出了模式选择表。所有标识符
制造商和设备代码将拥有奇校验，与MSB （ DQ7 ）定义为奇偶
位。如果A1 = V
IL
，该EN27C010会读出7F ，延续代码的二进制代码，
意味着制造商ID代码的可用性。
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EN27C010
读取模式
该EN27C010具有两个控制功能，这两者必须在逻辑上满足以
得到的数据输出。芯片使能（
CE
）为所述功率控制，并应被用于
设备选择。输出使能（
OE
）是输出控制，并应被用于栅极的数据
输出引脚，独立的设备选择。假设地址是稳定的，
地址访问时间（t
加
）等于从延迟
CE
输出（T
CE
） 。数据可在
输出（T
OE
）的下降沿后
OE
，假定
CE
一直不高和
地址已经稳定至少吨
加
- t
OE
.
待机模式
该EN27C010由CMOS待机模式这减小了最大V
CC
到20μA电流。
这是摆在CMOS待机时
CE
是V
CC
±
0.3 V的EN27C010也有一个与TTL
待机模式下降低最大V
CC
1.0 mA的电流。它被放置在与TTL
待机时
CE
是V
IH
。当处于待机模式时，输出处于高阻抗
状态，独立的
OE
输入。
两线输出控制功能
为了适应多种存储连接，两线控制功能以允许
为：
1.低内存功耗，
2.保证不会发生输出总线争用。
所以建议
CE
被解码并作为主设备的选择功能，
而
OE
可向阵列中的所有设备共同连接并连接到所述读
线从系统控制总线。这保证了所有选择的存储设备都在其
低功耗待机模式，而输出引脚是唯一活性当数据从一个所希望的
特定的存储设备。
系统注意事项
在工作和待机状态之间的切换，瞬时电流峰值产生
片上的上升沿和下降沿启动。这些瞬态电流峰值的大小
是依赖于器件的输出电容负载。至少，一个0.1μF的陶瓷
电容器（高频率，低固有电感）应之间的每个设备上使用
VCC和VSS ，以减少瞬态效应。此外，为了克服由于电压降
通过在印刷电路板的电感效应的痕迹上的EPROM阵列，一个4.7μF散装
电解电容器应的VCC和VSS之间用于每个8的设备。该
电容器的位置应靠近那里的电源被连接到所述阵列。
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