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EN25Q80A
EN25Q80A
8兆位串行闪存与4K字节扇区制服
特点
单电源工作
- 全电压范围: 2.7-3.6伏
串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
8 M位串行闪存
- 8 M位/ 1024 K-字节/ 4096页
- 每个可编程页的256字节
-
-
-
-
-
-
标准,双核或四SPI
标准的SPI接口: CLK , CS # , DI , DO , WP #
双SPI : CLK , CS # , DQ
0
, DQ
1
, WP #
四路SPI : CLK , CS # , DQ
0
, DQ
1
, DQ
2
, DQ
3
高性能
100MHz的时钟速率为一个数据位
80MHz的时钟速率为2个数据位
80MHz的时钟速率为4个数据位
软件和硬件写保护:
- 通过写保护全部或部分内存
软件
- 启用/禁用保护与WP #引脚
-
-
-
-
高性能的编程/擦除速度
页编程时间: 1.3ms典型
扇区擦除时间: 90ms的典型
块擦除时间为500ms典型
芯片擦除时间: 8秒典型
可锁定256字节的OTP安全部门
最低100K耐力周期
-
-
-
-
-
封装选项
8引脚SOP 150mil体宽
8引脚SOP 200mil体宽
8接触VDFN
8引脚PDIP
所有无铅封装符合RoHS标准
低功耗
- 19 mA典型工作电流
- 1
μA
典型的掉电电流
-
-
-
统一的部门架构:
256扇区4K字节
64字节的16块
任何扇区或块可以单独被删除
工业温度范围
概述
该EN25Q80A是8兆位( 1024K字节)串行闪存,具有先进的写保护
机制。该EN25Q80A支持标准的串行外设接口(SPI) ,和一个高
高性能双输出和四I / O使用SPI接口:串行时钟,片选,串行DQ
0
(DI),
DQ
1
( DO ) , DQ
2
( WP # )和DQ
3
( NC ) 。高达80MHz的SPI时钟频率被支持,允许
160MHz的时,使用等效时钟频率为双路输出,并为320MHz的四路输出
双核/四输出快速阅读说明。该存储器可以被编程为1 256个字节的时间,
使用页面编程指令。
该EN25Q80A被设计成允许或者单
扇区/块
在同一时间或整片擦除操作。该
EN25Q80A可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该
设备可以维持最低的100K编程/擦除周期的每一个扇区
或阻止
.
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
1
2004宙硅解决方案公司,
www.eonssi.com
Rev. D的,发行日期: 2009/10/13
EN25Q80A
图一接线图
CS #
DO ( DQ
1
)
WP # ( DQ
2
)
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC ( DQ
3
)
CLK
DI ( DQ
0
)
8 - 铅SOP / PDIP
CS #
DO ( DQ
1
)
WP # ( DQ
2
)
VSS
1
2
3
4
8
7
6
5
VCC
NC ( DQ
3
)
CLK
DI ( DQ
0
)
8 - 铅VDFN
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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EN25Q80A
图2.框图
注意:
1. DQ
0
和DQ
1
用于双核和四核的指令。
2. DQ
0
? DQ
3
用于四指令。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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EN25Q80A
表1.引脚名称
符号
CLK
DI ( DQ
0
)
DO ( DQ
1
)
CS #
WP # ( DQ
2
)
NC ( DQ
3
)
VCC
VSS
NC
引脚名称
串行时钟输入
串行数据输入(数据输入输出0 )
*1
*1
串行数据输出(数据输入输出1 )
芯片使能
写保护(数据输入输出2 )
无法连接(数据输入输出3 )
电源电压( 2.7-3.6V )
无连接
*2
*2
注意:
1. DQ
0
和DQ
1
用于双核和四核的指令。
2. DQ
0
? DQ
3
用于四指令。
信号说明
串行数据输入,输出和IO ( DI ,DO和DQ
0
, DQ
1
, DQ
2
, DQ
3
)
该EN25Q80A支持标准的SPI ,双SPI和四路SPI操作。标准的SPI指令
使用单向DI (输入)引脚串行写指令,地址或数据的装置
串行时钟( CLK )输入引脚的上升沿。标准SPI还使用了单向的DO (输出)到
从下降沿信号CLK的设备读出的数据或状态。
双路和四路SPI指令使用双向IO引脚串行写入指令,地址或
数据到设备上的CLK的上升沿和读的下降沿从设备的数据或状态
的CLK 。
串行时钟(CLK )
SPI串行时钟输入( CLK)引脚提供了串行输入和输出操作的时序。 ( "See
SPI Mode" )
片选信号( CS # )
在SPI片选( CS # )引脚可启用和禁用设备操作。当CS #为高的设备是
取消和串行数据输出( DO ,或者DQ
0
, DQ
1
, DQ
2
和DQ
3
)引脚为高阻抗。
取消选中时,器件的功耗会在待机状态下的水平,除非内部擦除,
程序或状态寄存器周期正在进行中。当CS #被拉低该设备将被选中,
功耗将增加至活性水平与指示可以写入和读取数据
该设备。上电后, CS #必须从高分到低分新的指令前过渡将是
接受的。
写保护( WP # )
写保护( WP # )引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用
与结合状态寄存器的块保护( BP0 , BP1and BP2 )位和状态寄存器
保护(SRP )位,它的一部分或整个存储器阵列可以是硬件保护。在WP #函数
仅适用于标准的SPI和双SPI操作时,当在四SPI ,该引脚为串行
数据IO ( DQ
2
)为四I / O操作。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改,由于改变的技术规格。
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EN25Q80A
存储器组织
该存储器分为:
1,048,576字节
统一的部门架构
64字节的16块
256扇区4K字节
4096页(每页256字节)
每一页可单独编程(位从1设定为0)。该设备部门,
块或片擦除,但不能页擦除。
表2.统一座建筑行业(续)
15
扇形
255
….
240
239
….
14
224
223
….
13
208
207
….
12
192
191
….
11
176
175
….
10
160
159
….
9
144
143
….
8
128
127
….
7
112
111
….
6
96
95
….
5
80
79
….
4
64
63
….
3
48
47
….
2
32
31
….
1
16
15
….
4
3
2
1
0
地址范围
0FF000h
….
0F0000h
0EF000h
….
0E0000h
0DF000h
….
0D0000h
0CF000h
….
0C0000h
0BF000h
….
0B0000h
0AF000h
….
0A0000h
09F000h
….
090000h
08F000h
….
080000h
07F000h
….
070000h
06F000h
….
060000h
05F000h
….
050000h
04F000h
….
040000h
03F000h
….
030000h
02F000h
….
020000h
01F000h
….
010000h
00F000h
….
004000h
003000h
002000h
001000h
000000h
0FFFFFh
0F0FFFh
0EFFFFh
0E0FFFh
0DFFFFh
0D0FFFh
0CFFFFh
0C0FFFh
0BFFFFh
0B0FFFh
0AFFFFh
0A0FFFh
09FFFFh
090FFFh
08FFFFh
080FFFh
07FFFFh
070FFFh
06FFFFh
060FFFh
05FFFFh
050FFFh
04FFFFh
040FFFh
03FFFFh
030FFFh
02FFFFh
020FFFh
01FFFFh
010FFFh
00FFFFh
004FFFh
003FFFh
002FFFh
001FFFh
000FFFh
….
2004宙硅解决方案公司,
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
….
0
该数据表可以通过后续的版本中修改
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