【EN25Q16EN25Q1616兆位串行闪存与4K字节扇区制服特点单电源工作- 全电压范围： 2.7】,IC型号EN25Q16-100HIP,EN25Q16-100HIP PDF资料,EN25Q16-100HIP经销商,ic,电子元器件-51电子网

EN25Q16

16兆位串行闪存与4K字节扇区制服

特点

单电源工作

- 全电压范围： 2.7-3.6伏

串行接口架构

- SPI兼容：模式0和模式3

16兆位串行闪存

- 16 M位/ 2048 K-字节/ 8192页

- 每个可编程页的256字节

标准，双核或四SPI

标准的SPI接口： CLK ， CS ＃， DI ， DO ， WP ＃

双SPI ： CLK ， CS ＃， DQ

， DQ

， WP ＃

四路SPI ： CLK ， CS ＃， DQ

， DQ

高性能

100MHz的时钟速率为一个数据位

80MHz的时钟速率为2个数据位

80MHz的时钟速率为4个数据位

软件和硬件写保护：

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

高性能的编程/擦除速度

页编程时间： 1.3ms典型

扇区擦除时间： 90ms的典型

块擦除时间400ms的典型

芯片擦除时间： 12秒典型

可锁定128字节的OTP安全部门

最低100K耐力周期

封装选项

8引脚SOP 150mil体宽

8引脚SOP 200mil体宽

8接触VDFN

8引脚PDIP

所有无铅封装符合RoHS标准

低功耗

- 19 mA典型工作电流

- 1

μA

典型的掉电电流

统一的部门架构：

4 KB的512个扇区

64字节的32块

任何扇区或块可以单独被删除

工业温度范围

概述

该EN25Q16是16兆位（ 2048K字节）串行闪存，具有先进的写保护

机制。该EN25Q16支持标准的串行外设接口（SPI），和一个高

高性能双核/四输出以及双/四通道I / O使用SPI接口：串行时钟，片选，

DQ系列

（DI）， DQ

（ DO ）， DQ

（ WP ＃）和DQ

（ NC ）。高达80MHz的SPI时钟频率是

支持允许160MHz的等效时钟频率为双路输出，并为320MHz的四路输出

使用双核/四输出时，快速阅读说明。该存储器可以被编程为1 256

字节的时间，使用页面编程指令。

该EN25Q16被设计成允许或者单

扇区/块

在同一时间或整片擦除操作。该

EN25Q16可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置

能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期

或阻止

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2009/10/21

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图一接线图

CS ＃

DO （ DQ

)

WP ＃（ DQ

)

VSS

VCC

NC （ DQ

)

CLK

DI （ DQ

)

8 - 铅SOP / PDIP

CS ＃

DO （ DQ

)

WP ＃（ DQ

)

VSS

VCC

NC （ DQ

)

CLK

DI （ DQ

)

8 - 铅VDFN

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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图2.框图

注意：

1. DQ

和DQ

用于双核和四核的指令。

2. DQ

？ DQ

用于四指令。

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表1.引脚名称

符号

CLK

DI （ DQ

)

DO （ DQ

)

CS ＃

WP ＃（ DQ

)

NC （ DQ

)

VCC

VSS

引脚名称

串行时钟输入

串行数据输入（数据输入输出0 ）

串行数据输出（数据输入输出1 ）

芯片使能

写保护（数据输入输出2 ）

无法连接（数据输入输出3 ）

电源电压（ 2.7-3.6V ）

地

无连接

注意：

1. DQ

和DQ

用于双核和四核的指令。

2. DQ

？ DQ

用于四指令。

信号说明

串行数据输入，输出和IO （ DI ，DO和DQ

， DQ

)

该EN25Q16支持标准的SPI ，双SPI和四路SPI操作。标准的SPI指令使用

单向DI （输入）引脚串行写指令，地址或数据的装置

串行时钟（ CLK ）输入引脚的上升沿。标准SPI还使用了单向的DO （输出）到

从下降沿信号CLK的设备读出的数据或状态。

双路和四路SPI指令使用双向IO引脚串行写入指令，地址或

数据到设备上的CLK的上升沿和读的下降沿从设备的数据或状态

的CLK 。

串行时钟（CLK ）

SPI串行时钟输入（ CLK）引脚提供了串行输入和输出操作的时序。（ "See

SPI Mode" ）

片选信号（ CS ＃）

在SPI片选（ CS ＃）引脚可启用和禁用设备操作。当CS ＃为高的设备是

取消和串行数据输出（ DO ，或者DQ

， DQ

和DQ

）引脚为高阻抗。

取消选中时，器件的功耗会在待机状态下的水平，除非内部擦除，

程序或状态寄存器周期正在进行中。当CS ＃被拉低该设备将被选中，

功耗将增加至活性水平与指示可以写入和读取数据

该设备。上电后， CS ＃必须从高分到低分新的指令前过渡将是

接受的。

写保护（ WP ＃）

写保护（ WP ＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用

与结合状态寄存器的块保护（ BP0 ， BP1and BP2 ）位和状态寄存器

保护（SRP ）位，它的一部分或整个存储器阵列可以是硬件保护。在WP ＃函数

仅适用于标准的SPI和双SPI操作时，当在四SPI ，该引脚为串行

数据IO （ DQ

）为四I / O操作。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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存储器组织

该存储器分为：

2,097,152字节

统一的部门架构

64字节的32块

4 KB的512个扇区

8192页（每页256字节）

每一页可单独编程（位从1设定为0）。该设备部门，

块或片擦除，但不能页擦除。

表2.均匀BLOCK部门架构

块

扇形

511

….

496

495

….

480

479

….

464

463

….

448

447

….

432

431

….

416

415

….

400

399

….

384

383

….

368

367

….

352

351

….

336

335

….

320

319

….

304

303

….

288

287

….

272

271

….

256

255

….

240

地址范围

1FF000h

….

1F0000h

1EF000h

….

1E0000h

1DF000h

….

1D0000h

1CF000h

….

1C0000h

1BF000h

….

1B0000h

1AF000h

….

1A0000h

19F000h

….

190000h

18F000h

….

180000h

17F000h

….

170000h

16F000h

….

160000

15F000

….

150000h

14F000h

….

140000h

13F000h

….

130000h

12F000h

….

120000h

11F000h

….

110000h

10F000h

….

100000h

0FF000h

….

0F0000h

1FFFFFh

1F0FFFh

1EFFFFh

1E0FFFh

1DFFFFh

1D0FFFh

1CFFFFh

1C0FFFh

1BFFFFh

1B0FFFh

1AFFFFh

1A0FFFh

19FFFF

190FFFh

18FFFFh

180FFFh

17FFFFh

170FFFh

16FFFFh

160FFFh

15FFFFh

150FFFh

14FFFFh

140FFFh

13FFFFh

130FFFh

12FFFFh

120FFFh

11FFFFh

110FFFh

10FFFFh

100FFFh

0FFFFFh

0F0FFFh

….

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….

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