【EN25LF10EN25LF101兆位串行闪存与4KB的扇区制服特点单电源工作- 全电压范围： 2.】,IC型号EN25LF10-75GIP,EN25LF10-75GIP PDF资料,EN25LF10-75GIP经销商,ic,电子元器件-51电子网

EN25LF10

1兆位串行闪存与4KB的扇区制服

特点

单电源工作

- 全电压范围： 2.35-3.6伏

1兆位串行闪存

- 1 M位/ 128千字节/ 512页

- 每个可编程页的256字节

高性能

- 75MHz的时钟速率

低功耗

- 5毫安典型工作电流

- 1

μA

典型的掉电电流

统一的部门架构：

32个扇区4K字节

32 KB的4块

任何部门或块可以

独立擦除

软件和硬件写保护：

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

高性能的编程/擦除速度

页编程时间： 1.5ms的典型

扇区擦除时间： 150ms的典型

块擦除时间800毫秒典型

芯片擦除时间：2秒典型

可锁定256字节的OTP安全部门

最低100K耐力周期

封装选项

8引脚SOP 150mil体宽

8接触VDFN

所有无铅封装符合RoHS标准

工业温度范围

概述

该EN25LF10是1M位（ 128K字节）串行闪存，具有先进的写保护

的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1

256个字节的时间，使用页面编程指令。

该EN25LF10被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该

EN25LF10可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该

装置能承受的100K计划最低/擦除周期的每一个扇区。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2008年6月23日

EN25LF10

图一接线图

8 - 铅SOP

8 - 联系VDFN

图2.框图

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2008年6月23日

EN25LF10

信号说明

串行数据输入（ DI ）

SPI串行数据输入引脚（DI）为指令，地址和数据是一种手段

连续写入（移入）设备。数据锁定在串行时钟的上升沿（CLK）

输入引脚。

串行数据输出（ DO ）

SPI串行数据输出（ DO）引脚提供的数据和状态的方式进行串行读取

（移出）的设备。数据被移出串行时钟（ CLK ）输入引脚的下降沿。

串行时钟（CLK ）

SPI串行时钟输入（ CLK）引脚提供了串行输入和输出操作的时序。（ "See

SPI Mode" ）

片选信号（ CS ＃）

在SPI片选（ CS ＃）引脚可启用和禁用设备操作。当CS ＃为高电平设备

被取消和串行数据输出（ DO ）引脚处于高阻抗。取消选中时，

器件的功耗会在待机水平，除非内部擦除，编程或状态

寄存器周期正在进行中。当CS ＃被拉低该设备将被选中，电力

消耗将增加至活性水平与指示可以写入和从所述读出的数据

装置。上电后， CS ＃必须从高分到低分新的指令前过渡将是

接受的。

HOLD （ HOLD ＃）

在HOLD ＃引脚可同时积极选择的设备要暂停。当HOLD ＃被带到

低，而CS ＃为低时， DO引脚将在对DI和CLK引脚高阻抗，信号将

被忽略（不关心）。当多个设备共享相同的保持功能可以是有用的

SPI信号。

写保护（ WP ＃）

写保护（ WP ＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用

与结合状态寄存器的块保护（ BP0 ， BP1和BP2 ）位和状态寄存器

保护（SRP ）位，它的一部分或整个存储器阵列可以是硬件保护。

表1.引脚名称

符号

CLK

CS ＃

WP ＃

HOLD ＃

VCC

VSS

引脚名称

串行时钟输入

串行数据输入

串行数据输出

芯片使能

写保护

HOLD输入

电源电压（ 2.35-3.6V ）

地

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2008年6月23日

EN25LF10

存储器组织

该存储器分为：

131,072字节

统一的部门架构

32 KB的4块

32个扇区4K字节

512页（每页256字节）

每一页可单独编程（位从1设定为0）。该设备部门，

块或片擦除，但不能页擦除。

表2.均匀BLOCK部门架构

块

扇形

地址范围

01F000h

01E000h

01D000h

01C000h

01B000h

01A000h

019000h

018000h

017000h

016000h

015000h

014000h

013000h

012000h

011000h

010000h

00F000h

00E000h

00D000h

00C000h

00B000h

00A000h

009000h

008000h

007000h

006000h

005000h

004000h

003000h

002000h

001000h

000000h

01FFFFh

01EFFFh

01DFFFh

01CFFFh

01BFFFh

01AFFFh

019FFFh

018FFFh

017FFFh

016FFFh

015FFFh

014FFFh

013FFFh

012FFFh

011FFFh

010FFFh

00FFFFh

00EFFFh

00DFFFh

00CFFFh

00BFFFh

00AFFFh

009FFFh

008FFFh

007FFFh

006FFFh

005FFFh

004FFFh

003FFFh

002FFFh

001FFFh

000FFFh

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2008年6月23日

EN25LF10

操作特性

SPI模式

该EN25LF10通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟

（ CLK ），片选信号（ CS ＃），串行数据输入（ DI ）和串行数据输出（ DO ）。两个SPI总线

操作模式0 （ 0,0）和3 （ 1,1）的支持。模式0和之间的主要区别

模式3中，如图3所示，是关于在CLK信号的SPI总线时的正常状态

主站是在待机和数据不被传输到串行闪存。对于模式0 CLK信号

通常很低。模式3 CLK信号通常较高。在这两种情况下，数据输入的DI引脚

采样在CLK的上升沿。在DO引脚的数据输出同步输出下降沿

的CLK 。

图3. SPI模式

网页编程

以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，

和一个页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是

内部编程周期（时间TPP的）。

为了传播这种开销，页面编程（ PP ）指令允许最多256个字节是亲

编程的时间（改变位从1变为0 ），只要它们存在于连续的地址上

相同的内存页。

扇区擦除，块擦除和芯片擦除

在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用

内存的字节必须被擦除，以全1 （ FFH ）。这可以在一个可以实现的扇区

时间，使用的扇区擦除（ SE ）指令，一次一个块使用块擦除（ BE ）

指令或者整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动

内部擦除周期（持续时间TSE TBE或TCE）。 ERASE指令前必须有一个写

使能（WREN ）指令。

投票在写，编程或擦除周期

在写状态寄存器（ WRSR ），计划（ PP ）或删除（ SE时间的进一步改进， BE

或CE ）可以通过不等待最坏情况下的延迟（ TW ， TPP ， TSE ， TBE或TCE）来实现。该

写在制品（WIP ）位在状态寄存器提供这样应用程序可以

监控它的价值，轮询它建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期

就完成了。

有源电力，待机功耗和深度掉电模式

当片选（ CS ＃）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片

选（CS ＃）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有

内部时钟周期完成（编程，擦除，写状态寄存器）。然后将设备进入

在待机功耗模式。该器件消耗下降至我

CC1

深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电

模式（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到我

CC2

。该设备重

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw

版本B ，发行日期： 2008年6月23日

EN25LF10

用途

宙硅解决方案公司（以下简称“李炎” ）将要提供有关其产品的顶级标志

集成电路与< cFeon >自2009年1月1日，没有部件号的任何改变和

集成电路的组合物。李炎仍保持质量的承诺为所有的产品与

相同宙之前交付。请注意与变化，感谢您

好心的合作和全力支持EON的产品系列。

EON产品的新的顶部标记

cFeon顶部标记示例：

cFeon

产品型号： XXXX -XXX

批号： XXXXX

日期代码： XXXXX

规格连续性

有没有改变此数据表作为提供设备作为宙产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新时会发生

相应的，并且更改将被记录在修订摘要。

订购零件编号的连续性

李炎继续支持以“宙”和“ cFeon ”顶标线开始已有部分号码。对

在过渡期间，订购这些产品，请注明“李炎顶标”或“ cFeon顶标”

在您的采购订单。

欲了解更多信息

请联系您当地的销售办事处关于李炎记忆体解决方案的更多信息。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2011/05/19

EN25LF10

1兆位串行闪存与4KB的扇区制服

特点

单电源工作

- 全电压范围： 2.35-3.6伏

串行接口架构

- SPI兼容：模式0和模式3

1兆位串行闪存

- 1 M位/ 128千字节/ 512页

- 每个可编程页的256字节

高性能

- 75MHz的时钟速率

低功耗

- 19 mA典型工作电流

- 1

μA

典型的掉电电流

统一的部门架构：

32个扇区4K字节

32 KB的4块

任何部门或块可以

独立擦除

软件和硬件写保护：

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

高性能的编程/擦除速度

页编程时间： 1.5ms的典型

扇区擦除时间： 150ms的典型

块擦除时间800毫秒典型

芯片擦除时间：2秒典型

可锁定256字节的OTP安全部门

最低100K耐力周期

封装选项

8引脚SOP 150mil体宽

8接触VDFN

所有无铅封装符合RoHS标准

工业温度范围

概述

该EN25LF10是1M位（ 128K字节）串行闪存，具有先进的写保护

的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1

256个字节的时间，使用页面编程指令。

该EN25LF10被设计成允许或者单

扇区/块

在同一时间或整片擦除操作。该

EN25LF10可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该

设备可以维持最低的100K编程/擦除周期的每一个扇区

或阻止

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2011/05/19

EN25LF10

图一接线图

8 - 铅SOP

8 - 联系VDFN

图2.框图

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2011/05/19

EN25LF10

信号说明

串行数据输入（ DI ）

SPI串行数据输入引脚（DI）提供了一种用于指令，地址和数据是串行

写入（移入）的设备。数据被锁存串行时钟（ CLK ）输入引脚的上升沿。

串行数据输出（ DO ）

SPI串行数据输出（ DO）引脚提供的数据和状态的方式进行串行读取

（移出）的设备。数据被移出串行时钟（ CLK ）输入引脚的下降沿。

串行时钟（CLK ）

SPI串行时钟输入（ CLK）引脚提供了串行输入和输出操作的时序。（ "See

SPI Mode" ）

片选信号（ CS ＃）

在SPI片选（ CS ＃）引脚可启用和禁用设备操作。当CS ＃为高的设备是

取消和串行数据输出（ DO ）引脚处于高阻抗。取消选中时，器件

功耗会在待机状态下的水平，除非内部擦除，编程或状态寄存器周期

正在进行中。当CS ＃被拉低该设备将被选中，功耗将增加至

活性水平与指示可以写入和从设备中读取的数据。上电后， CS ＃

必须从高转换到低前一个新的指令将被接受。

HOLD （ HOLD ＃）

在HOLD ＃引脚可同时积极选择的设备要暂停。当HOLD ＃被带到

低，而CS ＃为低时， DO引脚将在对DI和CLK引脚高阻抗，信号会

忽略（不关心）。当多个设备共享相同的SPI保持功能会很有用

信号。

写保护（ WP ＃）

写保护（ WP ＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用

与结合状态寄存器的块保护（ BP0 ， BP1和BP2 ）位和状态寄存器

保护（SRP ）位，它的一部分或整个存储器阵列可以是硬件保护。

表1.引脚名称

符号

CLK

CS ＃

WP ＃

HOLD ＃

VCC

VSS

引脚名称

串行时钟输入

串行数据输入

串行数据输出

芯片使能

写保护

HOLD输入

电源电压（ 2.35-3.6V ）

地

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2011/05/19

EN25LF10

存储器组织

该存储器分为：

131,072字节

统一的部门架构

32 KB的4块

32个扇区4K字节

512页（每页256字节）

每一页可单独编程（位从1设定为0）。该设备部门，

块或片擦除，但不能页擦除。

表2.均匀BLOCK部门架构

块

扇形

地址范围

01F000h

01E000h

01D000h

01C000h

01B000h

01A000h

019000h

018000h

017000h

016000h

015000h

014000h

013000h

012000h

011000h

010000h

00F000h

00E000h

00D000h

00C000h

00B000h

00A000h

009000h

008000h

007000h

006000h

005000h

004000h

003000h

002000h

001000h

000000h

01FFFFh

01EFFFh

01DFFFh

01CFFFh

01BFFFh

01AFFFh

019FFFh

018FFFh

017FFFh

016FFFh

015FFFh

014FFFh

013FFFh

012FFFh

011FFFh

010FFFh

00FFFFh

00EFFFh

00DFFFh

00CFFFh

00BFFFh

00AFFFh

009FFFh

008FFFh

007FFFh

006FFFh

005FFFh

004FFFh

003FFFh

002FFFh

001FFFh

000FFFh

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2011/05/19