【EN25F20用途宙硅解决方案公司（以下简称“李炎” ）将要提供有关其产品的顶级标志集成电路与<】,IC型号EN25F20-100GCP,EN25F20-100GCP PDF资料,EN25F20-100GCP经销商,ic,电子元器件-51电子网

EN25F20

用途

宙硅解决方案公司（以下简称“李炎” ）将要提供有关其产品的顶级标志

集成电路与< cFeon >自2009年1月1日，没有部件号的任何改变和

集成电路的组合物。李炎仍保持质量的承诺为所有的产品与

相同宙之前交付。请注意与变化，感谢您

好心的合作和全力支持EON的产品系列。

EON产品的新的顶部标记

cFeon顶部标记示例：

cFeon

产品型号： XXXX -XXX

批号： XXXXX

日期代码：

XXXXX

规格连续性

有没有改变此数据表作为提供设备作为宙产品的结果。任何

已经作出的变化是正常的数据片的改进的结果，并且将记录在

文档修订概要，其中支持。今后日常的产品更新时会发生

相应的，并且更改将被记录在修订摘要。

订购零件编号的连续性

李炎继续支持以“宙”和“ cFeon ”顶标线开始已有部分号码。对

在过渡期间，订购这些产品，请注明“李炎顶标”或“ cFeon顶标”

在您的采购订单。

欲了解更多信息

请联系您当地的销售办事处关于李炎记忆体解决方案的更多信息。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

牧师楼发表日期： 2010/05/25

EN25F20

2兆位串行闪存与4KB的扇区制服

特点

单电源工作

- 全电压范围： 2.7-3.6伏

串行接口架构

- SPI兼容：模式0和模式3

2兆位串行闪存

- 2 M比特/ 256千字节/ 1024页

- 每个可编程页的256字节

高性能

- 100MHz的时钟速率

低功耗

- 19 mA典型工作电流

- 1

典型的掉电电流

统一的部门架构：

4 KB的64个扇区

64字节的4块

任何部门或块可以

独立擦除

软件和硬件写保护：

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

高性能的编程/擦除速度

页编程时间： 1.5ms的典型

扇区擦除时间： 150ms的典型

块擦除时间800毫秒典型

芯片擦除时间：3秒典型

可锁定256字节的OTP安全部门

最低100K耐力周期

封装选项

- 8引脚SOP 150mil体宽

- 8接触VDFN

- 所有无铅封装符合RoHS标准

商用和工业温度

范围

概述

该EN25F20是2M位（ 256K字节）串行闪存，具有先进的写保护机制，

通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1 256个字节在一个

时间，使用页面编程指令。

该EN25F20被设计成允许或者单

扇区/块

在同一时间或整片擦除操作。该

EN25F20可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置

能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期

或阻止。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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www.eonssi.com

牧师楼发表日期： 2010/05/25

EN25F20

图一接线图

8 - 铅SOP

8 - 联系VDFN

图2.框图

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2008/12/15

EN25F20

信号说明

串行数据输入（ DI ）

SPI串行数据输入引脚（DI）提供了一种用于指令，地址和数据是串行

写入（移入）的设备。数据被锁存串行时钟（ CLK ）输入引脚的上升沿。

串行数据输出（ DO ）

SPI串行数据输出（ DO）引脚提供的数据和状态的方式进行串行读取

（移出）的设备。数据被移出串行时钟（ CLK ）输入引脚的下降沿。

串行时钟（CLK ）

SPI串行时钟输入（ CLK）引脚提供了串行输入和输出操作的时序。（ "See

SPI Mode" ）

片选信号（ CS ＃）

在SPI片选（ CS ＃）引脚可启用和禁用设备操作。当CS ＃为高的设备是

取消和串行数据输出（ DO ）引脚处于高阻抗。取消选中时，器件

功耗会在待机状态下的水平，除非内部擦除，编程或状态寄存器周期

进行中。当CS ＃被拉低该设备将被选中，功耗将增加至

活性水平与指示可以写入和从设备中读取的数据。上电后， CS ＃绝

一个新的指令前高后低的过渡将被接受。

HOLD （ HOLD ＃）

HOLD引脚可同时积极选择的设备被暂停。当HOLD被拉低，

在CS ＃为低时， DO引脚将处于高阻抗，并在去离子和CLK引脚上的信号将是

忽略（不关心）。当多个设备共享相同的SPI保持功能会很有用

信号。

写保护（ WP ＃）

写保护（ WP ＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用

与结合状态寄存器的块保护（ BP0 ， BP1和BP2 ）位和状态寄存器

保护（SRP ）位，它的一部分或整个存储器阵列可以是硬件保护。

表1.引脚名称

符号

引脚名称

CLK

CS ＃

WP ＃

HOLD ＃

VCC

VSS

串行时钟输入

串行数据输入

串行数据输出

芯片使能

写保护

HOLD输入

电源电压（ 2.7-3.6V ）

地

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

2004宙硅解决方案公司，

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修订版E，发行日期： 2008/12/15

EN25F20

存储器组织

该存储器分为：

262,144字节

统一的部门架构

64字节的4块

4 KB的64个扇区

1024页（每页256字节）

每一页可单独编程（位从1设定为0）。该设备部门，

块或片擦除，但不能页擦除。

表2.均匀BLOCK部门架构

块

扇形

….

03F000h

03E000h

03D000h

03C000h

03B000h

….

030000h

02F000h

….

020000h

01F000h

….

010000h

00F000h

….

004000h

003000h

002000h

001000h

000000h

地址范围

03FFFFh

03EFFFh

03DFFFh

03CFFFh

03BFFFh

030FFFh

02FFFFh

020FFFh

01FFFFh

010FFFh

00FFFFh

004FFFh

003FFFh

002FFFh

001FFFh

000FFFh

….

2004宙硅解决方案公司，

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

….

www.eonssi.com

修订版E，发行日期： 2008/12/15

EN25F20

2兆位串行闪存与4KB的扇区制服

特点

单电源工作

- 全电压范围： 2.7-3.6伏

2兆位串行闪存

- 2 M比特/ 256千字节/ 1024页

- 每个可编程页的256字节

高性能

- 100MHz的时钟速率

低功耗

- 5毫安典型工作电流

- 1

μA

典型的掉电电流

统一的部门架构：

4 KB的64个扇区

64字节的4块

任何部门或块可以

独立擦除

- 通过写保护全部或部分内存

软件

- 启用/禁用保护与WP ＃引脚

高性能的编程/擦除速度

页编程时间： 1.5ms的典型

扇区擦除时间： 150ms的典型

块擦除时间800毫秒典型

芯片擦除时间：3秒典型

可锁定256字节的OTP安全部门

最低100K耐力周期

封装选项

- 8引脚SOP 150mil体宽

- 8接触VDFN

- 所有无铅封装符合RoHS标准

商用和工业温度

范围

软件和硬件写保护：

概述

该EN25F20是2M位（ 256K字节）串行闪存，具有先进的写保护

的机制，通过高速SPI兼容总线访问。该存储器可以被编程为1

256个字节的时间，使用页面编程指令。

该EN25F20被设计为允许在同一时间可以是单扇区或整片擦除操作。该

EN25F20可以被配置为保护存储器的软件保护模式的一部分。该装置

能维持最低的100K编程/擦除的每一个扇区周期。

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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版本B ，发行日期： 2007/05/15

EN25F20

图一接线图

8 - 铅SOP

8 - 联系VDFN

图2.框图

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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版本B ，发行日期： 2007/05/15

EN25F20

信号说明

串行数据输入（ DI ）

SPI串行数据输入引脚（DI）为指令，地址和数据是一种手段

连续写入（移入）设备。数据锁定在串行时钟的上升沿（CLK）

输入引脚。

串行数据输出（ DO ）

SPI串行数据输出（ DO）引脚提供的数据和状态的方式进行串行读取

（移出）的设备。数据被移出串行时钟（ CLK ）输入引脚的下降沿。

串行时钟（CLK ）

SPI串行时钟输入（ CLK）引脚提供了串行输入和输出操作的时序。（ "See

SPI Mode" ）

片选信号（ CS ＃）

在SPI片选（ CS ＃）引脚可启用和禁用设备操作。当CS ＃为高电平设备

被取消和串行数据输出（ DO ）引脚处于高阻抗。取消选中时，

器件的功耗会在待机水平，除非内部擦除，编程或状态

寄存器周期正在进行中。当CS ＃被拉低该设备将被选中，电力

消耗将增加至活性水平与指示可以写入和从所述读出的数据

装置。上电后， CS ＃必须从高分到低分新的指令前过渡将是

接受的。

HOLD （ HOLD ＃）

HOLD引脚可同时积极选择的设备被暂停。当HOLD被带到

低，而CS ＃为低时， DO引脚将在对DI和CLK引脚高阻抗，信号将

被忽略（不关心）。当多个设备共享相同的保持功能可以是有用的

SPI信号。

写保护（ WP ＃）

写保护（ WP ＃）引脚可用于防止状态寄存器被写入。在使用

与结合状态寄存器的块保护（ BP0和BP1 ）位和状态寄存器保护

（SRP ）位，它的一部分或整个存储器阵列可以硬件保护。

表1.引脚名称

符号

CLK

CS ＃

WP ＃

HOLD ＃

VCC

VSS

引脚名称

串行时钟输入

串行数据输入

串行数据输出

芯片使能

写保护

HOLD输入

电源电压（ 2.7-3.6V ）

地

该数据表可以通过后续的版本中修改

或修改，由于改变的技术规格。

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版本B ，发行日期： 2007/05/15

EN25F20

存储器组织

该存储器分为：

262,144字节

统一的部门架构

64字节的4块

4 KB的64个扇区

1024页（每页256字节）

每一页可单独编程（位从1设定为0）。该设备部门，

块或片擦除，但不能页擦除。

表2.均匀BLOCK部门架构

块

扇形

….

地址范围

03F000h

….

030000h

02F000h

….

020000h

01F000h

….

010000h

00F000h

….

004000h

003000h

002000h

001000h

000000h

03FFFFh

030FFFh

02FFFFh

020FFFh

01FFFFh

010FFFh

00FFFFh

004FFFh

003FFFh

002FFFh

001FFFh

000FFFh

….

操作特性

SPI模式

该EN25F20通过一个SPI兼容总线组成的四个信号访问：串行时钟（ CLK ），

片选信号（ CS ＃），串行数据输入（ DI ）和串行数据输出（ DO ）。两个SPI总线操作模式0

（0,0）和3 （1,1）被支持。模式0和模式3之间的主要区别，如图

3 ，关注SCK信号的正常状态时， SPI总线主机在待机和数据不

被传输到串行闪存。对于模式0 SCK信号通常是低的。模式3的SCK

信号通常是高的。在这两种情况下，数据输入的DI引脚进行采样在SCK的上升沿。

在DO引脚输出数据时钟输出在SCK的下降沿。

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EN25F20

图3. SPI模式

网页编程

以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，并且一个

页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是在内部

项目周期（时间TPP的）。

传播这个开销，页编程（PP）的指令允许多达256个字节被编程

一时间（改变位从1变为0 ），只要它们存在于连续地址的同一页上

内存。

扇区擦除，块擦除和芯片擦除

在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用，则

内存字节需要被擦除为全1 （ FFH ）。这可以在同一时间内达到一个扇区，使用

扇区擦除（ SE ）指令，一次一个块使用块擦除（ BE ）指令或整个

整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动时间的内部擦除周期（

谢TBE或TCE）。 ERASE指令前必须有一个写使能（ WREN）指令。

投票在写，编程或擦除周期

在写状态寄存器（ WRSR ），计划（ PP）或擦除时间的进一步改进（ SE ， BE或

CE）可以通过不等待最坏情况下的延迟（ TW ， TPP ， TSE ， tBEor TCE）来实现。写在

制品（WIP ）位设置在状态寄存器，以使应用程序可以监视它的价值，

投票是建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期完成。

有源电力，待机功耗和深度掉电模式

当片选（ CS ＃）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片选

（ CS ＃）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有的内部循环

已完成（编程，擦除，写状态寄存器）。然后将设备进入待机功耗

模式。该器件消耗下降至

CC1

深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电模式

（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到

CC2

。该装置保持在这个

模式，直到另一个特定的指令（发布从深度掉电模式和读取设备ID

（ RDI）指令）被执行。

所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这可以被用作

一个额外的软件保护机制，当装置处于非活动状态的使用，以保护设备从

意外写操作，编程或擦除指令。

状态寄存器。

状态寄存器包含一些状态和控制位的，可以读取或设置

（如适用）通过具体的指示。

WIP位。

写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态

WEL位。

写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。

BP1 ， BP0位。

块保护（ BP1 ， BP0 ）位是非易失性的。它们定义了区域的大小是

软件保护，以防止编程和擦除指令。

SRP位/

OTP_LOCK

位

状态寄存器保护（ SRP ）位一起操作与写

保护（WP ＃）信号。状态寄存器保护（ SRP）位和写保护（ WP ＃）信号，使

该数据表可以通过后续的版本中修改

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