EN25F05
图3. SPI模式
网页编程
以编程一个数据字节时，两条指令必须：写使能（WREN ），这是一个字节，
和一个页编程（PP）的序列，它由4个字节加上数据。这之后是
内部编程周期（时间TPP的） 。
为了传播这种开销，页面编程（ PP ）指令允许最多256个字节是亲
编程的时间（改变位从1变为0 ） ，只要它们存在于连续的地址上
相同的内存页。
扇区擦除，块擦除和芯片擦除
在页编程（PP）的指令允许位被从1重置为0。在此之前可以应用
内存的字节必须被擦除，以全1 （ FFH ） 。这可以在一个可以实现的扇区
时间，使用的扇区擦除（ SE ）指令，一次一个块使用块擦除（ BE ）
指令或者整个内存，使用芯片擦除（ CE ）指令。这将启动
内部擦除周期（持续时间TSE TBE或TCE） 。 ERASE指令前必须有一个写
使能（WREN ）指令。
投票在写，编程或擦除周期
在写状态寄存器（ WRSR ） ，计划（ PP ）或删除（ SE时间的进一步改进， BE
或CE ）可以通过不等待最坏情况下的延迟（ TW ， TPP ， TSE ， TBE或TCE）来实现。该
写在制品（WIP ）位在状态寄存器提供这样应用程序可以
监控它的价值，轮询它建立在以前的写周期，项目周期或擦除周期
就完成了。
有源电力，待机功耗和深度掉电模式
当片选（ CS ＃ ）为低电平时，器件处于启用状态，在有源模式。当片
选（CS ＃ ）为高电平时，设备被禁用，但可以留在有源模式下，直到所有
内部时钟周期完成（编程，擦除，写状态寄存器） 。然后将设备进入
在待机功耗模式。该器件消耗下降至我
CC1
.
深度掉电模式时输入特定的指令（在进入深度掉电
模式（DP）的指令）被执行。该器件消耗进一步下降到我
CC2
。该设备重
电源在此模式下，直到另一个特定的指令（发布从深度掉电模式和
读取设备ID （ RDI ）的指令）执行。
所有其它指令被忽略，而该设备在深度掉电模式。这可以是
作为一个额外的软件的保护机构，当该装置处于非活动状态的使用，以保护
设备防止意外写，编程或擦除指令。
状态寄存器。
状态寄存器包含一个数状态和控制位的，可以读
或者设置（如适用）通过具体的指示。
WIP位。
写在制品（WIP ）位表明内存是否忙于写状态
注册，编程或擦除周期。
WEL位。
写使能锁存器（ WEL）位表示内部写使能锁存状态。
该数据表可以通过后续的版本中修改
或修改，由于改变的技术规格。
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2004宙硅解决方案公司， www.essi.com.tw
版本B ，发行日期： 2008年6月23日
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