EMZ8 / UMZ8N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ8 / UMZ8N
特征
1 ）兼具2SA2018芯片和2SC2412K芯片在EMT
或UMT包装。
外形尺寸（单位
: mm)
EMZ8
(6) (5) (4)
等效电路
(1) (2) (3)
ROHM ： EMT6
EIAJ ：
(3)
(2)
(1)
每根导线具有相同的尺寸
UMZ8N
Tr
2
Tr
1
(6) (5) (4)
(4)
(5)
(6)
(1) (2) (3)
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr1
15
12
6
500
1
150
55
+150
Tr2
60
50
7
150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150 （ TOTAL ）
每个元素120MW不得超过。
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMZ8
EMT6
Z8
T2R
8000
UMZ8N
UMT6
Z8
TR
3000
REV.C
1/4
EMZ8 / UMZ8N
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
Tr1
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
15
12
6
270
典型值。
0.1
260
6.5
马克斯。
0.1
0.1
0.25
680
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
IC =
10A
IC =
1mA
IE浏览器？
10A
VCB =
15V
VEB =
6V
IC / IB =
200mA/10mA
VCE =
2V
， IC =
10mA
VCE =
2V
， IE = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB =
10V
， IE = 0A ， F = 1MHz的
条件
Tr2
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
60
50
7
120
典型值。
180
2
马克斯。
0.1
0.1
0.4
560
3.5
单位
V
V
V
A
A
V
兆赫
pF
I
C
= 50A
I
C
= 1毫安
I
E
= 50A
V
CB
= 60V
V
EB
= 7V
I
C
/I
B
= 50毫安/ 5毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 12V，我
E
=
2mA
中，f = 100MHz的
V
CB
= 12V，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
条件
电气特性曲线
<Tr1>
1000
V
CE
=2V
200
I
B
=700A
1000
I
B
=600A
I
B
=500A
I
B
=400A
I
B
=300A
I
B
=200A
V
CE
=2V
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0
0.5
1.0
1.5
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
I
B
=100A
I
B
=0A
500
直流电流增益：H
FE
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
Ta=25
°C
脉冲
基地发射极电压： V
BE
(V)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
1000
500
I
C
/ I
B
=20
图2典型的输出特性
BASER饱和电压： V
BE （SAT）
（毫伏）
1000
500
10000
5000
2000
1000
500
200
100
50
20
10
1
2
图3直流电流增益与
集电极电流
I
C
/ I
B
=20
TA
40°C
Ta=25°C
Ta=125°C
Ta=25°C
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
(V)
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
Ta=125°C
Ta=25°C
TA
40°C
集电极饱和
电压： V
CE （SAT）
（毫伏）
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
I
C
/ I
B
=50
I
C
/ I
B
=20
I
C
/ I
B
=10
5
10 20
50 100 200
500 1000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(Ι)
图5集电极 - 发射极饱和
电压 -
集电极电流
(ΙΙ)
图6基射极饱和
电压电流vs.Collecter
REV.C
2/4
EMZ8 / UMZ8N
晶体管
发射极输入电容：
CIB （PF ）
集电极输出电容：
COB （PF ）
1000
跃迁频率：F
T
（兆赫）
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5
10 20
V
CE
=2V
Ta=25°C
1000
500
200
100
50
20
10
5
2
1
0.1 0.2
0.5
1
2
5
COB
兴业银行
I
E
=0A
f=1MHz
Ta=25°C
50 100 200
500 1000
10 20
50 100
发射极电流：我
C
（MA ）
发射极 - 基极电压： V
EB
(V)
图7增益带宽积主场迎战
发射极电流
图8集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
<Tr2>
50
V
CE
=6V
集电极电流：我
C
（MA ）
100
0.50mA
mA
0.45
A
.40m
0
0.35mA
0.30mA
60
0.25mA
0.20mA
40
0.15mA
0.10mA
20
0.05mA
I
B
=0A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
集电极电流：我
C
（MA ）
Ta=25°C
Ta=25°C
30A
27A
集电极电流：我
C
（MA ）
20
10
5
Ta=100°C
25
°C
5
5°C
80
8
24A
21A
6
18A
15A
2
1
0.5
0.2
0.1
0
4
12A
9A
2
6A
3A
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0
0
4
8
I
B
=0A
12
16
20
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
Fig.1
发射极接地传播
特征
Ta=25°C
Fig.2
接地发射极输出
特性（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=100°C
V
CE
=5V
Fig.3
接地发射极输出
特性（
ΙΙ
)
Ta=25°C
500
500
0.5
直流电流增益：H
FE
200
V
CE
=5V
3V
1V
直流电流增益：H
FE
200
25°C
55°C
0.2
I
C
/I
B
=50
20
10
100
100
0.1
0.05
50
50
0.02
20
10
0.2
20
10
0.2
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.5 1
2
5
10 20
50 100 200
0.01
0.2
0.5 1
2
5
10
20
50 100 200
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（
Ι
)
图5直流电流增益与
集电极电流（
ΙΙ
)
图。 6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
REV.C
3/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问，以ROHM的产品信息。
更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。
ROHM
客户支持系统
www.rohm.com
版权所有
2008罗姆股份有限公司。
美洲
/
欧洲
/
亚洲
/
日本
联系我们
:
站长@ rohm.co. JP
21西院Mizosaki町，右京区615-8585 ，日本
TEL ： + 81-75-311-2121
传真： + 81-75-315-0172
Appendix1-Rev2.0
EMZ8 / UMZ8N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ8 / UMZ8N
!
特征
1 ）兼具2SA2018芯片和2SC2412K芯片在EMT
或UMT包装。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMZ8
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(3)
(2)
(1)
ROHM ： EMT6
EIAJ ：
每根导线具有相同的尺寸
(4)
0.65
1.3
0.7
0.65
Tr
2
Tr
1
0.2
(3)
UMZ8N
(2)
0.5
!
等效电路
1.2
1.6
(1)
0.13
0.5 0.5
1.0
1.6
(6)
(4)
(5)
(6)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
Tr
2
60
50
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
6
7
150
150
150 （ TOTAL ）
150
55~+150
每个元素120MW不得超过。
!
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMZ8
EMT6
Z2
T2R
8000
UMZ8N
UMT6
Z2
TR
3000
(1)
2.0
(5)
EMZ8 / UMZ8N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ8 / UMZ8N
特征
1 ）兼具2SA2018芯片和2SC2412K芯片在EMT
或UMT包装。
外形尺寸
（单位：毫米）
EMZ8
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
0.13
每根导线具有相同的尺寸
(3)
(2)
(1)
ROHM ： EMT6
EIAJ ：
0.65
1.3
0.7
0.65
Tr
2
Tr
1
(4)
(3)
UMZ8N
0.2
0.5
等效电路
1.2
1.6
(1)
0.5 0.5
1.0
1.6
(6)
(5)
(4)
(5)
(6)
0.15
1.25
2.1
0.1Min.
0to0.1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr1
15
12
6
500
1
150
55
+150
Tr2
60
50
7
150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
150 （ TOTAL ）
每个元素120MW不得超过。
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMZ8
EMT6
Z8
T2R
8000
UMZ8N
UMT6
Z8
TR
3000
(1)
Rev.A的
2.0
(2)
1/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
EMZ8 / UMZ8N
晶体管
电源管理（双晶体管）
EMZ8 / UMZ8N
!
特征
1 ）兼具2SA2018芯片和2SC2412K芯片在EMT
或UMT包装。
!
外形尺寸
（单位：毫米）
EMZ8
0.22
(4)
(5)
(6)
(3)
(2)
(3)
(2)
(1)
ROHM ： EMT6
EIAJ ：
每根导线具有相同的尺寸
(4)
0.65
1.3
0.7
0.65
Tr
2
Tr
1
0.2
(3)
UMZ8N
(2)
0.5
!
等效电路
1.2
1.6
(1)
0.13
0.5 0.5
1.0
1.6
(6)
(4)
(5)
(6)
1.25
2.1
0.15
0.1Min.
0to0.1
ROHM ： UMT6
EIAJ ： SC -88
每根导线具有相同的尺寸
!
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
范围
Tr
1
15
12
Tr
2
60
50
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
6
7
150
150
150 （ TOTAL ）
150
55~+150
每个元素120MW不得超过。
!
包装，标志和包装规格
产品型号
包
记号
CODE
基本订购单位（件）
EMZ8
EMT6
Z2
T2R
8000
UMZ8N
UMT6
Z2
TR
3000
(1)
2.0
(5)
QQ：2880707522 复制
