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EMZ6.8E
二极管
稳压二极管
EMZ6.8E
应用
电压调节
外形尺寸
(单位:毫米)
1.0±0.1
0.5 0.5
(5)
(4)
0.2±0.1
0.5±0.05
0.2±0.1
(1)
(2)
(3)
0.22±0.05
1.6±0.1
施工
硅外延平面
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
功耗
结温
储存温度
符号
P
范围
150
150
55~+150
Tj
TSTG
共有2个元素
电气特性
(Ta=25°C)
参数
齐纳电压
反向电流
经营性
符号
V
Z
I
R
Z
Z
分钟。
6.47
典型值。
马克斯。
7.14
0.5
40
单位
V
A
I
Z
=5mA
V
R
=3.5V
I
Z
=5mA
条件
注)请交给时注意静电。
D6F
单位
mW
C
C
特点
1 )超小型模具类型。 ( EMD5 )
2 )复合型两种阳极公共元素
3)高可靠性
1.2±0.1
1.6±0.1
0~0.1
0.13±0.05
等效电路
1/2
EMZ6.8E
二极管
OTHERS
参数
设备组成
IEC100042
充放电电容: 150pF的
放电电阻
通过10次重复
准则
无errornious操作
联系
在空气中
参数
结电容
测试条件
F = 1MHz时, VR = 5V
9pF
:
±8kV
:
±15kV
典型数据
: 330
电气特性曲线
(Ta=25°C)
100m
10m
1
终端之间的电容:C
T
(PF )
100
1m
反向电流:I
R
(A)
齐纳电流: IZ ( A)
100n
100
10
1
10n
10
1n
100p
100n
10n
6.0
10p
0
6.5
7.0
7.5
8.0
1
2
3
4
5
6
齐纳电压: VZ( V)
反向电压: V
R
(V)
1
0
1
2
3
4
5
6
反向电压: V
R
(V)
图1稳压电流特性
图2反向电流特性
图3之间的电容
终端特性
1000
功耗: PRSM ( W)
100
10
1
0.01
0.1
1
10
脉冲时间:时间(ms )
图4逆功率disapation
2/2
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用,将直接危及人的生命发生故障(如医疗器械,
交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器等
安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 ( 16项)
订单在日本。
在从日本出口,请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" (由通产省第)
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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