EM微电子 -
MARIN SA
忒修斯
TM
30金
EMTG30
30KB超低价闪存的智能卡IC
环境
电源电压A类， B： 3.0V至5.0V
±
10%
-25 + 85° C工作温度
最大电源电流6毫安@ 15MHz的， B类
> 4 kV ESD保护HBM
中央处理器
软件兼容行业标准CMOS 80X51
与16位CPU的性能水平加速架构
高达30 MHz内部CPU时钟
空闲模式
空闲和停止模式可选模式
与CPU处于空闲/停止模式NVM更新操作
IO发送和接收与CPU处于空闲模式
最大空闲电流/时钟停止： 100微安
安全
独特的芯片标识号
篡改的通知
内部时钟发生
IC下稳定电压工作
DPA / SPA耐药机制
欠压/过压传感器（ VCC）
内存控制
通用非易失性存储器： GPNVM
安全的内存管理机制
快速字节的程序： 40美国/字节
GP NVM页擦除： 2毫秒
I / O
ISO 7816-3标准的电气接口
与T = 0和T = 1协议的ISO 7816-3标准的接口
ETU定时器/计数器取代8051 T0 / T1定时器
回忆
768字节RAM （ 256B本地内存+ 512B XRAM ）
30KB GPNVM （用户） = 240页128 B
用户代码，常量存储空间（ ROM ）
用户非易失性数据存储器（ EEPROM）中
1KB GPNVM （系统）= 8页128 B
系统参数
装载机扩展
备份缓存/硬API代码
10年的数据保留
GPNVM自行车耐力> 100千次
装载机的BootROM T0和T14兼容
引导加载程序命令集扩展功能
芯片形式
8 “晶圆锯或unsawn
背面研磨和痛苦的选择
180微米厚度的最大值
模块
典型应用：
SIM卡的GSM第2阶段或2阶段+ 16KB
开发工具中的Keil的uVision2 / 3完全整合
DEVKIT仿真器，示例，文档样本
EMTG30
安全模块
UVD / OVD
DPA / SPA
PROTECTIONS
电源管理系统
30MHz的片上振荡器
控制时钟分频器
快速架构
80X51核心
内部V
DD
上电复位
A，B片
稳压器
ETU定时器
ISO 7816-3
随机数
发电机
256字节RAM
接口3G
安全存储器管理
引导ROM
装载机
GPNVM
系统（ 1KB ）
512个字节
内存
30K字节
[代码]
[数据
GPNVM用户
灵活的代码/数据存储器分配
]
版权
2005年， EM微电子，马林SA
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介绍
EMTG30是忒修斯系列器件中的一员
专门用于智能卡应用而设计的。这是
软件与业界标准8051兼容
微控制器，以保证最大的可用性
合格的软件。硬件实现的
核心是现代化的设计不依赖于微，
与标准8051的增幅可达4倍
每条指令的时钟。
设备的家庭的安全性使得它们特别
适用于电子商务和敏感数据
区。这实现在硬件，不仅
防止出的参数运行
设备，但硬件内存管理，以保护
对软件的安全攻击。 CPU的时钟
来自于它自己的内部振荡器，从而防止
通过时钟操作，或推断程序攻击
通过执行监视时钟电流的变化
边缘。
通用非易失性存储器（ GPNVM ）
通用非易失性存储器拥有超
低成本实现传统的EEPROM基础
使用一个独特的记忆如智能卡IC
代码和数据的存储。这其中的存储解决方案
提供紧凑的实现提供在同一
时间最大的灵活性。因此，所有的代码大小
占地面积的减少将直接受益于该应用程序。
一个简单而安全的存储保护机制
依靠代码和数据之间的柔性边界
空间。
与片上存储器多达30KB GPNVM EMTG30
根除需要的内存存储区切换或者
对于数据和代码空间。
GPNVM在每个页面为128字节的组织
结合高效的页面管理方法
提高应用水平的演出，如：
-
-
-
-
高性能存储器更新
高抗撕页
扩展应用层面的有效循环页
耐力
简单实现抗撕拉机制
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EMTG30
串行接口
EMTG30提供了一个独特的串行接口兼容
在ISO 7816-3标准有几种模式
从而实现了在9600至串行连接
每秒357K位在3.57MHz 。 EMTG30支持
T = 0异步半双工字符传输
协议， T = 1异步半双工块
传输，并用于专用的T = 14协议
快速加载代码进入OTP由卡
制造商。它可以处理的最小保护时间
通过ISO7816-指定的字符之间要求
自动3规范。 EMTG30被设计成
与ISO7816-3规范定义的兼容
集成电路卡的普遍特征
被称为智能卡。
随机数发生器
芯片上的随机数生成器是完全FIPS140-2
兼容，提供真正随机的快速流
号。这允许使用的随机数的
不仅仅是对提供的数字生成
随机化传输或产生的键。
钟
EMTG30有其自己的内部振荡器这允许
该装置的核心独立于外部的
时钟。该处理器也可以提供时钟要快得多
比IO CLK信号。这可确保消除
涉及的频率抖动和不平等的欺诈攻击
马克空间比率。内部时钟发生器是
通过一个除法器是在连接到所述芯
控制软件。这允许操作
笔者的系统控制权衡执行之间
速度和功率的设备绘制。扩展
电池寿命在手的帮助应用缓慢
接口都有涉及。
防篡改
该EMTG30具有丰富的反篡改条款
包括连接到该设备的监测
要确保超过规定标准偏差
因此在设备前被关闭了
工作条件受到侵犯。
片上稳压器
几片上调节隔离的各种元件
从变化和波动对器件的
电源电压。这可以使元素特征
精确的，因为它们在一个固定电压，它在操作
反过来最大化设备的耐力。
技术
本产品采用卓越的闪存的SuperFlash
从技术和SST的SuperFlash授权是
SST （硅存储的注册商标。
科技公司） 。
1KB的一个附加GPNVM系统区是可用的。
该系统承载区域设备系统参数。
剩余的区域可以用于多个目的
这样的引导加载程序命令的扩展， GPNVM更新
备份缓冲，硬件的API函数等...
这意味着，卷轴用户可用的存储器实际上是
超过30KB大。
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技术参数
绝对最大额定值
参数
供应工作伏
电压其余引脚
功耗
储存温度
DC特性
参数
工作温度
电源电压A类，B
电源电流B类
电源电流空闲
电源电流停止
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EMTG30
符号
V
cc
V
针
P
合计
I
CCI
-40
民
-0.3
V
ss
–0.3
限值
典型
最大
6
V
cc
+0.3
+60
+125
单位
V
V
mW
°C
符号
T
A
V
cc
I
cc
I
CCI
I
CCS
民
-25
2.7
限值
典型
3/5
最大
+85
5.5
6 （注1 ）
200 （注2）
100 （注3）
单位
°C
V
mA
μA
μA
注1：电源电流指的是5兆赫的时钟频率
注2：供电电流在3.3V和1 MHz的时钟频率，在25
0
C
注3 ：供电电流在3.3V和25
o
C
IO引脚：
参数
H输入电压
●输入电压
H输出电压（注1 ）
●输出电压
上升和下降时间
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
t
r
, t
F
条件
I
IHMAX
=±20μA
I
IL最大
=±20μA
I
Ohmax =
+20μA
I
OLmax
= -1mA
C
IN
= C
OUT
= 30 pF的
民
0.7 * V
cc
-0.3
0.7 * V
cc
0
最大
V
cc
0.8
V
cc
0.4
1
单位
V
V
V
V
μS
注1 ：假设20KΩ上拉电阻接口设备
时钟（CLK）
参数
H输出电压
●输出电压
上升和下降时间
符号
V
OH
V
OL
t
r
, t
F
条件
I
OHMAX
= +20
μA
I
OLmax
= -20μA
C
IN
= C
OUT
= 30 pF的
民
V
cc
-0.7
0
最大
V
cc
0.5
9 ％ CLK
期
单位
V
V
复位（ RST ）
参数
H输出电压
●输出电压
上升和下降时间
符号
V
OH
V
OL
t
r
, t
F
条件
I
OHMAX
= +20
μA
I
OLmax
= -20μA
C
IN
= C
OUT
= 30 pF的
民
V
cc
-0.7
0
最大
V
cc
0.6
400
单位
V
V
μs
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