【EMF20/UMF20N晶体管电源管理（双晶体管）EMF20/UMF20N2SC4617and DT】,IC型号EMT6,EMT6 PDF资料,EMT6经销商,ic,电子元器件-51电子网

EMF20/UMF20N

晶体管

电源管理（双晶体管）

EMF20/UMF20N

2SC4617and DTC144E都在EMT6或UMT6包单独安置。

应用

电源管理电路

外形尺寸

（单位：毫米）

EMF20

0.13

ROHM ： EMT6

每根导线具有相同的尺寸

结构

硅外延平面晶体管

UMF20N

缩写符号： F20

(4)

(3)

0.65

1.3

0.65

0.7

0.9

0.5

特点

1）电源开关电路在单个封装中。

2 ）安装成本和面积可减少一半。

0.22

(4)

(5)

(6)

(3)

(2)

1.2

1.6

(1)

0.5 0.5

1.0

1.6

0.2

等效电路

(3)

(2)

(1)

(6)

1.25

2.1

0.15

DTr2

(4)

ROHM ： UMT6

EIAJ ： SC -88

(5)

R1=47k

R2=47k

(6)

00.1

Tr1

0.1Min.

(1)

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： F20

包装，标志和包装规格

TYPE

EMF20 UMF20N

包

EMT6

UMT6

记号

F20

CODE

T2R

基本订购单位（件） 8000

3000

2.0

(5)

(2)

1/4

EMF20/UMF20N

晶体管

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

Tr1

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

范围

150

150 （ TOTAL ）

150

+150

单位

每个元素120MW不得超过。

DTr2

范围

参数

符号

电源电压

10~+40

输入电压

100

集电极电流

输出电流

150(TOTAL)

功耗

150

结温

TSTG

+150

储存温度范围

内置晶体管的特性。

每个元素120MW不得超过。

每个端子安装在一个推荐的土地。

单位

电气特性

(Ta=25°C)

Tr1

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

跃迁频率

输出电容

符号最小值。典型值。马克斯。单位

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

CE （SAT）

COB

180

0.1

0.4

390

3.5

=50A

=1mA

=50A

=60V

=7V

=50mA/5mA

=6V,

=1mA

条件

兆赫V

=12V,

=2mA,

f=100MHz

=12V,

=0A,

f=1MHz

DTr2

参数

输入电压

输出电压

输入电流

输出电流

直流电流增益

跃迁频率

输入阻抗

电阻率

*特点

内置的晶体管。

符号

我（关闭）

我（上）

O（上）

O（关）

分钟。

3.0

32.9

0.8

典型值。

100

250

1.0

马克斯。

0.5

300

180

500

61.1

1.2

单位

兆赫

条件

=5V,

=100A

=0.3V,

=2mA

=10mA,

=0.5mA

=5V

=50V,

=0V

=5V,

=5mA

=10V,

=5mA,

f=100MHz

2/4

EMF20/UMF20N

晶体管

电气特性曲线

Tr1

集电极电流：我

（MA ）

=6V

集电极电流：我

（MA ）

100

Ta=25C

集电极电流：我

（MA ）

0.50mA

0.45

.40m

0.35mA

0.30mA

Ta=25C

30A

27A

24A

21A

Ta=100C

25C

0.25mA

0.20mA

18A

15A

0.5

0.2

0.1

0.2

0.15mA

0.10mA

12A

0.05mA

=0A

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

=0A

基地发射极电压： V

(V)

集电极到发射极电压： V

(V)

集电极到发射极电压： V

(V)

图1发射极接地传播

特征

图2接地发射极输出

特性（I）的

图3接地发射极输出

特性（II）的

500

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(

Ta=25C

Ta=100C

=5V

0.5

Ta=25C

直流电流增益：H

200

25C

55C

0.2

100

0.1

=50

0.05

0.02

0.01

0.2

0.5

10 20

50 100 200

0.2

0.5

10 20

50 100 200

0.5

10 20

50 100 200

集电极电流：我

（MA ）

集电极电流：我

（MA ）

集电极电流：我

（MA ）

图4直流电流增益与集电极

电流（I）

图5直流电流增益与集电极

电流（II）的

图6集电极 - 发射极饱和

电压与集电极电流

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(V)

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(V)

集电极饱和电压： V

CE （SAT）

(V)

0.5

Ta=25C

=10

0.5

=50

0.2

0.1

0.05

0.1

0.05

=50

0.1

0.05

Ta=100C

25C

55C

Ta=100C

25C

55C

0.02

0.01

0.2

0.5

50 100

0.01

0.2

0.5

50 100 200

0.01

0.2

0.5

50 100 200

集电极电流：我

（MA ）

集电极电流：我

（MA ）

集电极电流：我

（MA ）

图7集电极 - 发射极饱和

电压与集电极电流（I）

图8集电极 - 发射极饱和

电压与集电极电流（II）的

图9集电极 - 发射极饱和

电压与集电极电流（III）的

3/4

EMF20/UMF20N

晶体管

基地集热器时间常数：抄送

bb'

（ ps的）

集电极输出电容：玉米棒

（PF ）

发射极输入电容

： CIB

（PF ）

跃迁频率：F

（兆赫）

500

Ta=25C

=6V

兴业银行

Ta=25C

f=1MHz

=0A

200

Ta=25C

f=32MH

=6V

100

200

100

0.5

0.2

0.5

0.2

0.5

50 100

发射极电流：我

（MA ）

集电极 - 基极电压： V

(V)

发射器基极电压

: V

(V)

发射极电流：我

（MA ）

图10增益带宽积主场迎战

发射极电流

图11集电极输出电容主场迎战

集电极 - 基极电压

发射器的输入电容与

发射极 - 基极电压

图12中相应集电极时间常数与

发射极电流

DTr2

100

输出电流：木卫一

(A)

=0.3V

10m

=5V

500

直流电流增益：摹

=5V

Ta=100°C

25°C

40°C

输入电压： V

我（上）

(V)

500m

200m

100m

100 200

500 1m

5m 10m 20m

50m 100m

Ta=40°C

25°C

100°C

2米TA = 100℃

25°C

40°C

500

200

100

200

100

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

100 200 500 1m

5m 10m 20m

50m 100m

输出电流：我

(A)

输入电压： V

我（关闭）

(V)

输出电流：我

(A)

图9输入电压与输出电流

（ON特性）

图10输出电流与输入电压

（关特征）

图11直流电流增益与输出

当前

500m

输出电压： V

O（上）

(V)

=20

Ta=100°C

25°C

40°C

200m

100m

50m

20m

10m

100 200

500 1m

5m 10m 20m

50m 100m

输出电流：我

(A)

图12输出电压和输出

当前

4/4

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平

可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，

交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等

安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

关于出口管制令日本

产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）

订单在日本。

在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）

对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。

Appendix1-Rev1.0