EMT1DXV6T1 ， EMT1DXV6T5
电气特性
(T
A
= 25°C)
特征
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 50
MADC ，
I
E
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 50
MADC ，
I
E
= 0)
集电极 - 基极截止电流
(V
CB
= -30伏直流，我
E
= 0)
发射基截止电流
(V
EB
= -5.0伏，我
B
= 0)
集电极 - 发射极饱和电压（注2 ）
(I
C
= -50 MADC ，我
B
= -5.0 MADC ）
DC电流增益（注2）
(V
CE
= -6.0伏，我
C
= -1.0 MADC ）
跃迁频率
(V
CE
= -12伏直流，我
C
= -2.0 MADC ， F = 30兆赫）
输出电容
(V
CB
= -12伏直流，我
E
= 0 ADC中，f = 1 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
女士，
特区
≤
2%.
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
120
f
T
C
OB
140
3.5
pF
560
兆赫
0.5
民
60
50
6.0
典型值
最大
0.5
0.5
单位
VDC
VDC
VDC
nA
mA
VDC
订购信息
设备
EMT1DXV6T1
EMT1DXV6T1G
EMT1DXV6T5
EMT1DXV6T5G
包
SOT563*
SOT563*
SOT563*
SOT563*
航运
4000单位/带卷&
4000单位/带卷&
8000单位/带卷&
8000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
*这个包本身是无铅。
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2
EMT1DXV6T1 ， EMT1DXV6T5
包装尺寸
SOT - 563 ，比6领先
CASE 463A -01
本期
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
IS基础材料的最小厚度。
MILLIMETERS
民
喃最大
0.50
0.55
0.60
0.17
0.22
0.27
0.08
0.12
0.18
1.50
1.60
1.70
1.10
1.20
1.30
0.5 BSC
0.10
0.20
0.30
1.50
1.60
1.70
英寸
喃最大
0.021 0.023
0.009 0.011
0.005 0.007
0.062 0.066
0.047 0.051
0.02 BSC
0.004 0.008 0.012
0.059 0.062 0.066
民
0.020
0.007
0.003
0.059
0.043
D
X
A
L
4
6
5
1
2
3
E
Y
H
E
暗淡
A
b
C
D
E
e
L
H
E
b
e
5
6 PL
M
C
X Y
0.08 (0.003)
风格1 ：
PIN 1体1
2. BASE 1
3.集热器2
4.发射器2
5. BASE 2
6.集热器1
焊接足迹*
0.3
0.0118
0.45
0.0177
1.0
0.0394
1.35
0.0531
0.5
0.5
0.0197 0.0197
尺度20:1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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4
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