初步
EMP216MFAW系列
2Mx16伪静态RAM
文档标题
2M ×16位的SRAM伪（ EMP216MFAW系列）规格
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
草案日期
2005年10月24日
备注
初步
4F韩国建筑金融合作社B / D， 301-1妍东，济州市，济州岛，韩国Rep.of
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初步
EMP216MFAW系列
2Mx16伪静态RAM
2MB X16伪静态RAM规格
概述
该EMP216MFAW系列是33554432位伪SRAM的，它使用的DRAM型存储器单元，但
该设备具有刷新运行和超低功耗技术。此外，
接口是兼容的，以低功率异步型SRAM 。该EMP216MFAW的组织结构
2,097,152字× 16位。
特点
- 组织： 2M X16
- 电源电压： 2.7 3.3V
- 分离I / O电源（ VCCQ ） &酷睿电源（VCC ）
- 三态输出
- 由瑞银字节的读/写控制/ LB ＃
- 支持直接深度掉电控制由ZZ ＃和自动TCSR的省电
产品系列
产品型号
工作温度。
电源
速度
(t
RC
)
功耗
(I
SB1
马克斯。 ）
待机
(I
CC2
马克斯。 ）
操作
EMP216MFAW-70E
-25
o
C至85
o
C
2.7V至3.3V
70ns
100uA
25mA
功能块图
ZZ#
CS ＃
UB ＃
磅＃
WE＃
OE ＃
自刷新
控制
控制
逻辑
列选择
行选择
A0~A20
地址
解码器
存储阵列
2M ×16
DQ0~
DQ15
DIN / Dout的BUFFER
I / O电路
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EMP216MFAW系列
2Mx16伪静态RAM
2MB X16伪静态RAM
一般WAFER规格
- 工艺技术： 0.125um CMOS深沟槽工艺
- 3金属层，包括本地互联
- 硅片厚度： 725 +/- 25um的
- 晶圆直径： 8英寸
PAD说明
名字
CS ＃
OE ＃
WE＃
ZZ#
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
低功耗控制
名字
磅＃
UB ＃
VCC
VCCQ
功能
低字节（ DQ
0~7
)
高字节（ DQ
8~15
)
电源
I / O电源
DQ
0-15
数据在输出
A
0-20
地址输入
VSS （Q ）地面
NC
无连接
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EMP216MFAW系列
2Mx16伪静态RAM
绝对最大额定值
1)
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
, V
CCQ
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.2到V
CCQ
+0.3V
-0.2
2)
至3.6V
1.0
-65到150
-25到85
单位
V
V
W
o
o
C
C
1.
应力大于上述“绝对最大额定值”，可能对器件造成永久性损坏。实用
操作应仅限于推荐工作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响其可靠性。
2.冲在断电： -1.0V的情况下，脉冲宽度为20ns <
功能说明
CS ＃
H
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
ZZ#
H
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
OE ＃
X
X
X
H
H
L
L
L
X
X
X
WE＃
X
X
X
H
H
H
H
H
L
L
L
磅＃
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
UB ＃
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
DQ
0~7
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
高-Z
数据输出
DATA IN
高-Z
DATA IN
DQ
8~15
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
数据输出
高-Z
DATA IN
DATA IN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
支持
深度掉电
支持
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
注：X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
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