EMP110
已更新二〇〇四年十二月十五日
5.9 - 7.9 GHz功率放大器MMIC
特点
5.9 - 7.9 GHz的工作频率范围
在1dB压缩27.0dBm输出功率
19.0分贝典型小信号增益
-41dBc OIMD3 @Each音噘17 dBm的
点至点和点对多点广播
军用雷达系统
尺寸： 1130um X 2250um
厚度： 85um + 15微米
应用
注意！ ESD敏感器件。
电气特性
(
TB = 25
°C,
50欧姆， VDS = 7 V ， Idsq = 400 mA时，除非另有说明
)
符号
F
P1dB
GSS
OIMD3
输入RL
输出RL
IDSS
VDS
NF
RTH
Tb
符号
VDS
V
GS
IDS
I
GSF
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T
参数/测试条件
工作频率范围
在1分贝增益压缩输出功率
小信号增益
输出3
rd
阶互调失真
@ ΔF = 10MHz时，每个音调噘17dBm的，
7V ， 60 ％ + 10 ％的Idss
输入回波损耗
输出回波损耗
饱和漏极电流
漏源极电压
噪声系数@ 7GHz的
热电阻（的Au-Sn共晶附在后面）
工作底板温度
特征
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
正向栅电流
输入功率
通道温度
储存温度
总功耗
绝对
12V
-8V
IDSS
57mA
24dBm
175°C
-65/175°C
6.2W
- 35
连续
8V
-4V
650mA
9.5毫安
@ 3分贝压缩
150°C
-65/150°C
5.2W
VDS = 3V ，V
GS
=0V
490
民
5.9
26.0
16.0
27.0
19.0
-41
-12
-6
570
7
7
22
+ 85
o
典型值
最大
7.9
单位
GHz的
DBM
dB
-38
-8
dBc的
dB
dB
660
8
mA
V
dB
C / W
C
在25 °C最大额定值
1,2
1.操作装置以外的任何一个以上的评价，可能会导致永久性的损坏。
2.偏置条件也必须满足下列方程的Vds * IDS < （T
CH
-tb ） / R
TH
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
Excelics半导体公司310德Guigne车道，桑尼维尔，CA 94085
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电话： 408-737-1711传真： 408-737-1868网址：
www.excelics.com
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5.9 - 7.9 GHz功率放大器MMIC
典型特性：
1.
小信号性能
（ @ 7V ， 400毫安）
EMP110小信号性能
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
4
DB （ | S [ 2,1 ] | ） *
DB（ | S [1,1] | ） *
DB （ | S [ 2,2] | ） *
6
8
频率（GHz ）
10
2. OIMD VS噘@ 7V ， 400毫安
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-55
-60
-65
-70
0
5
10
15
20
(@8GHz,
f=10MHz)
3， P-1的Vds VS @ Idsq = 400毫安
EMP110的P1dB （DBM ）与Vds的
30
29
28
27
DBM
EMP110 OIMD （ DBC）与噘（ DBM）
OIMD （ DBC）
OIMD3
OIMD5
26
25
24
23
22
Vds=7V
Vds=5V
25
5
6
7
频率（GHz ）
8
9
每个音调的Pout （ dBm的）
应用信息（注意：这是一个ESD敏感器件）
芯片载体应与膨胀的GaAs热coefficienat并具有高的热传导率，例如铜
钨或钼铜。芯片载体应该是镍镀金，并能承受325C的20
分钟。
芯片粘接应该用惰性气体环境中金/天（ 80/20 ）共晶合金来完成。背面用作散热，
DC和RF触点。
所有的芯片粘接和引线键合设备，特别是其触摸芯片的工具，应良好接地，以避免意外
通过模头排出。
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5.9 - 7.9 GHz功率放大器MMIC
装配图
的射频导线的长度应尽可能地短。使用射频垫和50欧姆线之间的至少两根导线
并分开导线，以减少互感。
芯片大纲
芯片尺寸1130 X 2250微米
芯片厚度： 85
±
15微米
PAD尺寸： 100× 100微米
以微米所有尺寸
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