EMLS232TA系列
512K ×32× 4Banks低功耗SDRAM
文档标题
512K ×32× 4Banks低功耗SDRAM Specificaton
修订历史
版本号
0.0
0.1
0.2
0.3
最初的草案
垫坐标被更新。
垫分配发生变化。 （ BA0 ， BA1 ）
DQ顺序改变
历史
草案日期
2006年9月21日
2006年12月6日
二○○六年十二月十九日
2007年10月9日
备注
先进
先进
先进
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邮编： 690-717
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有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系EMLSI办公室。
修订版0.3
EMLS232TA系列
512K ×32× 4Banks低功耗SDRAM
512K X 32位×4银行低功耗SDRAM
特点
概述
2.8V的电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
。 PASR （部分阵列自刷新） 。
。内部自动TCSR
（温度补偿自刷新）
。 DS （驱动力）
。深度掉电
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64刷新周期（ 4K周期） 。
商业操作温度（ -0 70 ）
扩展温度操作（ -25 85 ）
¤
该EMLS232TA系列是67,108,864位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 534288字32位，
制造与Ramsway的高性能CMOS技术。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟和I / O事务处理可在每时钟
周期。工作频率范围，可编程突发
长度和可编程延迟允许在同一个设备要
对于各种高带宽和高性能有用MEM-
储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
EMLS232TAW-6(E)
记
:
1.在箱子40的频率， CL1可以得到支持。
2. Ramsway没有设计或制造用于在设备或系统中使用的是根据情况，其中人的生命是用来
潜在的威胁。请ramsway考虑使用产品的时候联系到内存的营销团队
此处包含的任何特定目的，如医疗，航空航天，核能，军工，汽车或海底中继器的使用。
最大频率。
133
（ CL3 ） ， 100
(CL2)
接口
LVCMOS
包
晶圆商务。
修订版0.3
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