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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第650页 > EMIF10-LCD01F1
EMIF10-LCD01F1
IPAD
TM
10号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性：
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
LCD的手机
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF10 - LCD01F1是一个10行的高度
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。该EMIF10倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路，
这可防止设备损坏时，
受到ESD浪涌了15kV的。
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
好处
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗：
2.64毫米X 2.64毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制输入
销（ IEC6100-4-2水平4 ）
的单片集成提供高可靠性
通过IN-高降低寄生元件
tegration &晶圆级封装。
s
s
s
s
s
s
s
5
I5
I10
GND
4
I4
I9
GND
3
I3
I8
GND
2
I2
I7
GND
1
I1
I6
GND
A
B
C
D
E
O10
O5
O9
O4
O8
O3
O7
O2
O6
O1
符合以下标准：
IEC61000-4-2
4级输入引脚15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
1级输出引脚2kV的（空气放电）
2kV的（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
基本单元配置
低通滤波器
输入
产量
v I / O = 100
克莱恩= 35pF
GND
TM
： IPAD是意法半导体公司的商标。
GND
GND
2003年11月 - 埃德： 2A
1/6
EMIF10-LCD01F1
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
-40+ 85
-55到+150
单位
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
I
F
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
RT /英尺
在0V偏压
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
民
6
90
典型值
8
100
8
(1)
最大
10
500
110
35
单位
V
nA
pF
ns
引起的上升和下降时间的10-90％ ，在26 MHz的频
昆西信号V = 1.9 V （ RT /英尺输入1纳秒， 50Ω
阻抗发电机）
（ 1 ）保证设计
图。 1 ：
S21 （ dB）的所有线路衰减测量
和APLAC仿真。
图。 2 ：
模拟串扰测量。
2/6
EMIF10-LCD01F1
图。 3 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ + 15kV空气
放电）上的一个输入和一个输出。
图。 4 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ -15kV空气
放电）上的一个输入和一个输出。
V
in
V
OUT
图。 5 ：
线电容与所施加的电压。
图。 6 ：
上升时间10-90 ％，测量，
1.9V的信号在26 MHz的频率（ 50Ω信号发生器） 。
克莱因（PF ）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0
U电源（ V）
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
图。 7 ：
下降时间10-90 ％的测量与1.9V
信号在26 MHz的频率（ 50Ω信号发生器） 。
3/6
EMIF10-LCD01F1
APLAC模型。
EMIF10 - LCD01F1模型
返回地
APLAC参数。
ZRZ结构
aplacvar Remif10low 100
aplacvar Cemif10flow 17.5pF
颠簸
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 20米
aplacvar Cbump取1.5pF
体积
aplacvar RSUB百米
GND连接
aplacvar RGND百米
aplacvar LGND 200pH
aplacvar CGND 0.15pF
BV = 7
CJO = Cemif10low
IBV = 1U
IKF = 1000
IS = 10F
ISR = 100P
N=1
M = 0.3333
卢比= 0.015
VJ = 0.6
TT = 50N
订货编号
EMIF
EMI滤波器
行数
yy
-
xxx
zz
F
x
1 ：间距= 500μm的凹凸=为315μm
2 ：无铅间距= 500μm的凹凸=为315μm
3 ：无铅间距= 400μm的凹凸= 250微米
4 ：间距= 500μm的凹凸= 250微米
FL IP芯片
X：电阻值（欧姆） Z：电容值/ 10 （PF ）
or
应用程序（ 3个字母）和版本（2位）
4/6
EMIF10-LCD01F1
包装机械数据
FL IP芯片
500m ± 50
500m ± 50
315m ± 50
650m ± 65
2.64mm ± 50m
2.64mm ± 50m
250m ± 40
FOOT PRINT建议
铜焊盘直径：
推荐250微米， 300微米最大
焊锡模板开口道： 330μm
阻焊层开口的建议：
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
记号
点， ST标志
XXX =标记
YWW =日期代码
（ Y =年
WW =周）
545
545
400
x x x
WW
100
230
在微米所有尺寸
5/6
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EB51F5G20AV-12.800M-CC
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    EMIF10-LCD01F1
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