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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第640页 > EMIF08-VID01C2
EMIF08-VID01C2
8号线低电容EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
液晶&照相机用于移动电话
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF08 - VID01C2是一个8行高
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路,
防止损坏的应用程序时,它是
受到ESD浪涌高达15kV 。
涂倒装芯片封装
引脚配置(凸点侧)
好处
12 11 10
I8
GND
摹ND
9 8 7
I6
GND
摹ND
6 5 4
I4
GND
摹ND
3 2 1
I2
GND
摹ND
高效率的EMI滤波器( -33分贝@ 900兆赫)
适用于高速低线路电容
数据总线
相机阻抗低串联电阻
适应
优化PCB空间消耗:1.29毫米×
3.92 mm
非常薄的封装: 0.695毫米
在背面,无铅涂料用树脂
高效率的ESD抑制输入端上的
销( IEC61000-4-2第4级) 。
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
I7
I5
I3
I1
A
B
C
O8
O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
符合以下标准:
IEC61000-4-2
4级输入引脚
1级输出引脚
15千伏
8千伏
2千伏
2千伏
(空气放电)
(接触放电
(空气放电)
(接触放电
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
2005年8月
REV 2
1/6
www.st.com
6
1电气特性(T
AMB
= 25°C)
EMIF08-VID01C2
图1 。
基本单元配置
输入
R
产量
R = 100
克莱恩= 16 pF的典型。 (3 V)
表1中。
符号
VPP
Tj
T
op
T
英镑
绝对额定值(限制值)
参数
ESD放电IEC61000-4-2空气放电
ESD放电IEC61000-4-2接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40至+85
-55到+150
单位
kV
KV
°C
°C
°C
1
电气特性(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
R
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
I
M
R
V
RM
V
BR
V
I
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
6
典型值
8
最大
10
500
单位
V
nA
pF
V
RM
每行= 3V
I=10mA
V
R
= 3V直流, 1兆赫
80
100
16
120
19
2/6
EMIF08-VID01C2
图2中。
dB
0
-5
-10
-15
1电气特性(T
AMB
= 25°C)
S21 ( dB)的衰减测量
网络连接gure 3 。
dB
0
-10
-20
-30
-40
模拟串扰测量
-20
-50
-25
-30
-35
-40
-60
-70
-80
-90
F(赫)
-45
100k
1M
10M
100M
1G
F(赫)
100k
1M
10M
100M
1G
-100
图4中。
ESD响应IEC61000-4-2标准
( +15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
图5中。
ESD响应IEC61000-4-2标准
( - 15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
输入
10V/d
输入
10V/d
产量
10V/d
产量
10V/d
200ns/d
200ns/d
图6 。
线路电容与应用
电压
C
LINE
(PF )
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
1
2
V
LINE
(V)
3
4
5
3/6
2订购信息计划
EMIF08-VID01C2
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
X:电阻(欧姆)
Z:电容值/ 10 pF的
or
应用程序( 3个字母)和
版本(2位)
C:有涂层倒装芯片
1 :间距= 500μm时,凹凸= 315微米
2 :无铅间距= 500μm时,凹凸= 315微米
vv
-
XXX ZZ
C
y
3
包装机械数据倒装芯片
500m +/-50
250m +/-50
315 m +/- 50
435 m +/-50
695m +/- 70
50
1
m
3.92 mm +/-50m
图7 。
记号
365
240
网络连接gure 8 。
脚印receommendation
点, ST标志
XX =标记
Z =包装
位置
YWW =日期代码
尺寸
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
X X Z
W W
w w
阻焊层开口的建议:
340μm分钟为300μm的铜焊盘直径
4/6
1.29 mm +/-50m
+/ -
50
365
40
40
40
220
EMIF08-VID01C2
图9 。
倒装芯片磁带和卷轴规格
点确定针的位置A1
4 +/- 0.1
4订购信息
f
1.5 +/- 0.1
1.75 +/- 0.1
5.5 +/- 0.5
0.73 +/- 0.05
12 +/- 0.3
12 +/- 0.3
ST
ST
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
YWW
YWW
YWW
YWW
YWW
XXZ
XXZ
XXZ
放卷的用户方向
XXZ
XXZ
4 +/- 0.1
4
订购信息
订购代码
EMIF08-VID01C2
记号
GS
FL IP芯片
重量
7.4mg
基地数量
5000
配送方式
7 “卷带
5
修订历史
日期
13-Jul-2005
11-Aug-2005
调整
1
2
初始版本。
字体在图7,图8和图9改变。
变化
5/6
EMIF08-VID01C2
8号线低电容EMI滤波器和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
液晶显示器和照相机的移动电话
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF08 - VID01C2是一个8行高
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。倒装芯片封装是指
封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路,
防止损坏的应用程序时,它是
受到ESD浪涌高达15 kV 。
12 11 10
9 8 7
I6
GND
涂倒装芯片封装
引脚配置(凹凸面)
6 5 4
I4
GND
3 2 1
I2
GND
好处
I8
GND
I7
I5
I3
I1
A
B
C
高效率的EMI滤波器( -33分贝@ 900兆赫)
适用于高速低线路电容
数据总线
相机阻抗低串联电阻
适应
优化PCB占用空间:
1.29毫米X 3.92毫米
非常薄的封装: 0.695毫米
在背面,无铅涂料用树脂
高效率的ESD抑制输入端上的
销( IEC 61000-4-2 4级) 。
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
O8
O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
符合以下标准:
IEC 61000-4-2
4级输入引脚
15千伏
8千伏
1级输出引脚
2千伏
2千伏
(空气放电)
(接触放电
(空气放电)
(接触放电
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
2006年10月
转4
www.st.com
1/6
特征
EMIF08-VID01C2
1
特征
图1 。
基本单元配置
输入
R
产量
R = 100
Ω
克莱恩= 16 pF的典型。 (3 V)
表1中。
符号
V
pp
T
j
T
op
T
英镑
绝对额定值(限制值)
参数
静电放电IEC 61000-4-2空气放电
静电放电IEC 61000-4-2接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40至+85
-55到+150
单位
kV
kV
°C
°C
°C
表2中。
符号
V
BR
I
RM
V
RM
R
C
LINE
电气特性(T
AMB
= 25° C)
参数
I
击穿电压
漏电流@ V
RM
I
RM
V
V
RM
V
BR
对峙电压
输入和输出之间的串联电阻
每行输入电容
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
6
典型值
8
最大
10
500
单位
V
nA
Ω
pF
V
RM
= 3元线V
I = 10毫安
V
R
= 3 V DC , 1兆赫
80
100
16
120
19
2/6
EMIF08-VID01C2
特征
图2中。
dB
0
-5
-10
-15
S21 ( dB)的衰减测量图3 。
dB
0
-10
-20
-
-30
-
-40
模拟串扰测量
-20
-
-50
-25
-
-60
-30
-35
-40
-
-70
-
-80
-
-90
F(赫)
-45
100k
1M
10M
100M
1G
F(赫)
100k
1M
10M
100M
1G
-
-100
图4中。
ESD回应IEC 61000-4-2
( +15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
图5中。
ESD回应IEC 61000-4-2
( - 15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
输入
输入
10V/d
10V/d
产量
10V/d
产量
10V/d
200ns/d
200ns/d
图6 。
线路电容与应用
电压
C
LINE
(PF )
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
1
2
V
LINE
(V)
3
4
5
3/6
订购信息计划
EMIF08-VID01C2
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
X:电阻(欧姆)
Z:电容值/ 10 pF的
or
应用程序( 3个字母)和
版本(2位)
C:有涂层倒装芯片
vv
-
XXX ZZ
C
y
1 :间距= 500μm时,凹凸= 315微米
2 :无铅间距= 500μm时,凹凸= 315微米
3
包装信息
图7 。
FLIP - CHIP尺寸
315 m +/- 50
500m +/-50
-
250m +/-50
-
435 m +/-50
695m +/- 70
-
50
1
m
3.92 mm +/-50m
-
网络连接gure 8 。
记号
图9 。
足迹推荐
点, ST标志
XX =标记
Z =制造基地
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
X X Z
X X Z
W W
W W
阻焊层开口的建议:
340μm分钟为300μm的铜焊盘直径
4/6
1.29 mm +/-50m
.29
+/ -
50
EMIF08-VID01C2
图10.倒装芯片磁带和卷轴规格
点确定针的位置A1
4 +/- 0.1
订购信息
1.5 +/- 0.1
1.75 +/- 0.1
3.5 +/- 0.1
0.78最大
尺寸:mm
为了满足环保要求, ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签,在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
ECOPACK规范可在这里: www.st.com 。
8 +/- 0.3
ST
E
ST
E
ST
E
xxx
YWW
放卷的用户方向
xxx
YWW
xxx
YWW
4 +/- 0.1
4
订购信息
订购代码
EMIF08-VID01C2
记号
GS
倒装芯片
重量
7.4mg
基地数量
4000
配送方式
7 “卷带
5
修订历史
日期
13-Jul-2005
11-Aug-2005
31-May-2006
26-Oct-2006
调整
1
2
3
4
初始版本。
字体在图7,图8和图9改变。
重新格式化为当前标准。深度尺寸的改变
网络连接gure 10 。
基本数量的订购信息改为4000
变化
5/6
EMIF08-VID01C2
8号线低电容EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
液晶&照相机用于移动电话
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF08 - VID01C2是一个8行高
旨在抑制EMI / RFI集成器件
在所有系统中的噪声进行电磁
干扰。倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路,
防止损坏的应用程序时,它是
受到ESD浪涌高达15kV 。
涂倒装芯片封装
引脚配置(凸点侧)
好处
12 11 10
I8
GND
摹ND
9 8 7
I6
GND
摹ND
6 5 4
I4
GND
摹ND
3 2 1
I2
GND
摹ND
高效率的EMI滤波器( -33分贝@ 900兆赫)
适用于高速低线路电容
数据总线
相机阻抗低串联电阻
适应
优化PCB空间消耗:1.29毫米×
3.92 mm
非常薄的封装: 0.695毫米
在背面,无铅涂料用树脂
高效率的ESD抑制输入端上的
销( IEC61000-4-2第4级) 。
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
I7
I5
I3
I1
A
B
C
O8
O7
O6
O5
O4
O3
O2
O1
符合以下标准:
IEC61000-4-2
4级输入引脚
1级输出引脚
15千伏
8千伏
2千伏
2千伏
(空气放电)
(接触放电
(空气放电)
(接触放电
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
2005年8月
REV 2
1/6
www.st.com
6
1电气特性(T
AMB
= 25°C)
EMIF08-VID01C2
图1 。
基本单元配置
输入
R
产量
R = 100
克莱恩= 16 pF的典型。 (3 V)
表1中。
符号
VPP
Tj
T
op
T
英镑
绝对额定值(限制值)
参数
ESD放电IEC61000-4-2空气放电
ESD放电IEC61000-4-2接触放电
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40至+85
-55到+150
单位
kV
KV
°C
°C
°C
1
电气特性(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
R
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
I
M
R
V
RM
V
BR
V
I
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
6
典型值
8
最大
10
500
单位
V
nA
pF
V
RM
每行= 3V
I=10mA
V
R
= 3V直流, 1兆赫
80
100
16
120
19
2/6
EMIF08-VID01C2
图2中。
dB
0
-5
-10
-15
1电气特性(T
AMB
= 25°C)
S21 ( dB)的衰减测量
网络连接gure 3 。
dB
0
-10
-20
-30
-40
模拟串扰测量
-20
-50
-25
-30
-35
-40
-60
-70
-80
-90
F(赫)
-45
100k
1M
10M
100M
1G
F(赫)
100k
1M
10M
100M
1G
-100
图4中。
ESD响应IEC61000-4-2标准
( +15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
图5中。
ESD响应IEC61000-4-2标准
( - 15 kV空气放电)在一
输入V
in
和一个输出电压V
OUT
输入
10V/d
输入
10V/d
产量
10V/d
产量
10V/d
200ns/d
200ns/d
图6 。
线路电容与应用
电压
C
LINE
(PF )
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
0
1
2
V
LINE
(V)
3
4
5
3/6
2订购信息计划
EMIF08-VID01C2
2
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
X:电阻(欧姆)
Z:电容值/ 10 pF的
or
应用程序( 3个字母)和
版本(2位)
C:有涂层倒装芯片
1 :间距= 500μm时,凹凸= 315微米
2 :无铅间距= 500μm时,凹凸= 315微米
vv
-
XXX ZZ
C
y
3
包装机械数据倒装芯片
500m +/-50
250m +/-50
315 m +/- 50
435 m +/-50
695m +/- 70
50
1
m
3.92 mm +/-50m
图7 。
记号
365
240
网络连接gure 8 。
脚印receommendation
点, ST标志
XX =标记
Z =包装
位置
YWW =日期代码
尺寸
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
E
焊锡模板开口道: 330μm
X X Z
W W
w w
阻焊层开口的建议:
340μm分钟为300μm的铜焊盘直径
4/6
1.29 mm +/-50m
+/ -
50
365
40
40
40
220
EMIF08-VID01C2
图9 。
倒装芯片磁带和卷轴规格
点确定针的位置A1
4 +/- 0.1
4订购信息
f
1.5 +/- 0.1
1.75 +/- 0.1
5.5 +/- 0.5
0.73 +/- 0.05
12 +/- 0.3
12 +/- 0.3
ST
ST
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
ST
E
YWW
YWW
YWW
YWW
YWW
XXZ
XXZ
XXZ
放卷的用户方向
XXZ
XXZ
4 +/- 0.1
4
订购信息
订购代码
EMIF08-VID01C2
记号
GS
FL IP芯片
重量
7.4mg
基地数量
5000
配送方式
7 “卷带
5
修订历史
日期
13-Jul-2005
11-Aug-2005
调整
1
2
初始版本。
字体在图7,图8和图9改变。
变化
5/6
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单价/备注
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EMIF08-VID01C2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
EMIF08-VID01C2
ST
24+
1970
BGA
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

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