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EMIF06-10006F1
IPAD
TM
6号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
手机
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF06-10006F1是一个高度集成的器件
旨在抑制所有系统的EMI / RFI噪声
遭受电磁干扰。该
EMIF06倒装芯片封装装置,所述封装尺寸
等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路,该电路
防止设备受到破坏时,
对ESD浪涌了15kV的。该装置包括6个EMIF
过滤器。
好处
EMI对称( I / O ),低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗:
2.92毫米X 1.29毫米
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
( IEC61000-4-2第4级)
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
倒装芯片封装
引脚配置(球侧)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
I6
GND
O6
I5
I4
GND
O4
I3
I2
GND
I1
A
B
符合以下标准:
IEC 61000-4-2第4级:
15千伏(空气放电)
8千伏
(接触放电)
MIL STD 883E - 方法3015-6 3类: 30kV的
基本单元配置
100
O5
O3
O2
O1
C
100
输入1
30pF
30pF
输出1
输入4
30pF
30pF
输出4
100
100
输入2
30pF
30pF
输出2
输入5
30pF
30pF
输出5
100
100
输入3
30pF
30pF
输出3
输入6
30pF
30pF
输出6
TM
: IPAD是意法半导体公司的商标。
2004年3月 - 埃德: 2
1/6
EMIF06-10006F1
绝对额定值
(限制值)
符号
P
R
P
T
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
每个电阻的直流电源
每包的总DC电源
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
0.1
0.6
125
-40+ 85
125
单位
W
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
V
CL
V
BR
V
RM
V
F
I
RM
I
R
V
I
I
F
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入之间的串联电阻
和输出
每行电容
I
PP
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
分钟。
5.5
典型值。
7
马克斯。
9
500
单位
V
nA
pF
V
RM
= 3.3%的V
I = 10毫安
V
R
= 2.5 V , F = 1兆赫, 30毫伏(上过滤单元)
80
50
100
60
120
70
2/6
EMIF06-10006F1
图。 1 :
S21 ( dB)的衰减测量和
APLAC仿真。
0.00
dB
-12.50
图。 2 :
模拟串扰测量。
APLAC 7.62用户:意法半导体
00
dB
-25
i3_o2.s2p
-25.00
-50
-37.50
-75
测量
模拟
F / Hz的
-50.00
100.0k
-100
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
F / Hz的
100k
1M
10M
100M
1G
图。 3 :
数字串扰的测量。
图。 4 :
ESD回应IEC61000-4-2 ( + 15kV空气
放电)上的一个输入V (中)和一个输出电压V (下) 。
图。 5 :
ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV空气
放电)上的一个输入V (中)和一个输出电压V (下) 。
图。 6 :
线电容与所施加的电压为
过滤器。
C( pF)的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
3/6
EMIF06-10006F1
APLAC模型
Rbump
Ii*
Lbump
Rs=100
Lbump
Rbump
爱*
RSUB
Cz=41pF@0V
Cbump
RSUB
Cz=41pF@0V
RSUB
Lbump
爱* =输出的每个细胞
二* =输入每个单元的
Cbump
Rbump
CGND
LGND
RGND
EMIF06-10006F1模型
接地回路的每个接地凸点
APLAC参数
aplacvar卢比
aplacvar锆石
aplacvar Lbump
aplacvar Rbump
aplacvar Cbump
aplacvar RSUB
aplacvar RGND
aplacvar LGND
aplacvar CGND
100
41 pF的
50 pH值
20 m
1.2 pF的
100 m
100 m
100 pH值
0.15 pF的
4/6
EMIF06-10006F1
订货编号
EMIF
EMI滤波器
行数
yy
-
XXX ZZ
F
1
节距= 500微米
凹凸=为315μm
FL IP芯片
X:电阻值(
)
Z:电容值/ 10 (PF )
or
应用程序( 3个字母)和版本(2位)
包装机械数据
315m ± 50
500m ± 50
250m ± 50
435m ± 50
650m ± 65
50
1
m
±5
2.92mm ± 50m
FOOT PRINT建议
记号
1.29mm ± 50m
0
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
点, ST标志
XXX =标记
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
545
400
545
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分钟为300μm的铜焊盘直径
x x x
W W
100
230
在微米所有尺寸
5/6
EMIF06-10006F1
IPAD
TM
6号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求:
手机
电脑和打印机
通信系统
MCU板
描述
该EMIF06-10006F1是一个高度集成的器件
旨在抑制所有系统的EMI / RFI噪声
遭受电磁干扰。该
EMIF06倒装芯片封装装置,所述封装尺寸
等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路,该电路
防止设备受到破坏时,
对ESD浪涌了15kV的。该装置包括6个EMIF
过滤器。
好处
EMI对称( I / O ),低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗:
2.92毫米X 1.29毫米
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
( IEC61000-4-2第4级)
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
倒装芯片封装
引脚配置(球侧)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
I6
GND
O6
I5
I4
GND
O4
I3
I2
GND
I1
A
B
符合以下标准:
IEC 61000-4-2第4级:
15千伏(空气放电)
8千伏
(接触放电)
MIL STD 883E - 方法3015-6 3类: 30kV的
基本单元配置
100
O5
O3
O2
O1
C
100
输入1
30pF
30pF
输出1
输入4
30pF
30pF
输出4
100
100
输入2
30pF
30pF
输出2
输入5
30pF
30pF
输出5
100
100
输入3
30pF
30pF
输出3
输入6
30pF
30pF
输出6
TM
: IPAD是意法半导体公司的商标。
2004年3月 - 埃德: 2
1/6
EMIF06-10006F1
绝对额定值
(限制值)
符号
P
R
P
T
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
每个电阻的直流电源
每包的总DC电源
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
0.1
0.6
125
-40+ 85
125
单位
W
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
V
CL
V
BR
V
RM
V
F
I
RM
I
R
V
I
I
F
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入之间的串联电阻
和输出
每行电容
I
PP
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
分钟。
5.5
典型值。
7
马克斯。
9
500
单位
V
nA
pF
V
RM
= 3.3%的V
I = 10毫安
V
R
= 2.5 V , F = 1兆赫, 30毫伏(上过滤单元)
80
50
100
60
120
70
2/6
EMIF06-10006F1
图。 1 :
S21 ( dB)的衰减测量和
APLAC仿真。
0.00
dB
-12.50
图。 2 :
模拟串扰测量。
APLAC 7.62用户:意法半导体
00
dB
-25
i3_o2.s2p
-25.00
-50
-37.50
-75
测量
模拟
F / Hz的
-50.00
100.0k
-100
1.0M
10.0M
100.0M
1.0G
F / Hz的
100k
1M
10M
100M
1G
图。 3 :
数字串扰的测量。
图。 4 :
ESD回应IEC61000-4-2 ( + 15kV空气
放电)上的一个输入V (中)和一个输出电压V (下) 。
图。 5 :
ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV空气
放电)上的一个输入V (中)和一个输出电压V (下) 。
图。 6 :
线电容与所施加的电压为
过滤器。
C( pF)的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
3/6
EMIF06-10006F1
APLAC模型
Rbump
Ii*
Lbump
Rs=100
Lbump
Rbump
爱*
RSUB
Cz=41pF@0V
Cbump
RSUB
Cz=41pF@0V
RSUB
Lbump
爱* =输出的每个细胞
二* =输入每个单元的
Cbump
Rbump
CGND
LGND
RGND
EMIF06-10006F1模型
接地回路的每个接地凸点
APLAC参数
aplacvar卢比
aplacvar锆石
aplacvar Lbump
aplacvar Rbump
aplacvar Cbump
aplacvar RSUB
aplacvar RGND
aplacvar LGND
aplacvar CGND
100
41 pF的
50 pH值
20 m
1.2 pF的
100 m
100 m
100 pH值
0.15 pF的
4/6
EMIF06-10006F1
订货编号
EMIF
EMI滤波器
行数
yy
-
XXX ZZ
F
1
节距= 500微米
凹凸=为315μm
FL IP芯片
X:电阻值(
)
Z:电容值/ 10 (PF )
or
应用程序( 3个字母)和版本(2位)
包装机械数据
315m ± 50
500m ± 50
250m ± 50
435m ± 50
650m ± 65
50
1
m
±5
2.92mm ± 50m
FOOT PRINT建议
记号
1.29mm ± 50m
0
铜焊盘直径:
推荐250微米, 300微米最大
点, ST标志
XXX =标记
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
545
400
545
焊锡模板开口道: 330μm
阻焊层开口的建议:
340μm分钟为300μm的铜焊盘直径
x x x
W W
100
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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