EMIF06-AUD01F2
音频接口6线EMI滤波器和ESD保护
特点
■
■
4线EMI滤波器和内部ESD保护
和外部（头戴式）麦克风
2线EMI滤波器和耳机ESD保护
音箱
好处
■
■
■
■
■
■
■
电磁干扰（I / O）的低通滤波器
高效率的EMI滤波器
极低PCB空间消耗： 4.6毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
倒装芯片封装，颠簸20
描述
该EMIF06 - AUD01F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁
干扰。倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路，
防止损坏的应用程序时，它是
受到ESD浪涌高达15 kV 。
图1 。
引脚配置
1
2
MIC2N
符合下列标准
■
IEC 61000-4-2第4级外部引脚
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
IEC 61000-4-2第1级的内部销
- 2千伏（空气放电）
- 2千伏（接触放电）
■
应用
3
MIC2P
4
Spk_R
5
Spk_L
ESD保护和EMI / RFI滤波的音频
底部连接器接口，其中EMI滤波
ESD敏感设备是必需的：
■
■
A
B
C
D
MIC1P
移动电话和通信系统
无线模块
MIC1N
BIAS1
GND
INT
HOOK
GND
GND
MIC1P
INT
MIC2N
INT
BIAS2
Spk_L
INT
MIC1N
INT
BIAS3
MIC2P
INT
Spk_R
INT
PHG
硅方
2008年2月
REV 1
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EMIF06-AUD01F2
表3中。
符号
V
BR
I
RM
C1-C4
(1)
C5-C6
(1)
R1
(2)
R2
(2)
特征
电气特性 - 值（T
AMB
= -40 ° C至+ 85°C ，除非另有说明）
参数
二极管的反向击穿电压
漏电流流过钳位
二极管
电容上的MIC线
通道电容SPK_L ， SPK_R
勾上拉电阻
外接麦克风拉电阻
测试条件
I
R
= 1毫安
T
AMB
= 25 °C
V
R
每行= 3 V DC
T
AMB
= 25 °C
V = 0 V ， F = 1MHz时，
V
OSC
= 30毫伏
T
AMB
= 25 °C
1.3
60
47
2.2
100
1
10
15
V
dc
= 0 - 2.4 V,
(4)
F = 20赫兹 - 20千赫兹，
R
根
= 600
Ω,
V
OUT
= 1.5 V
PP
R
负载
= 200 kΩ,
T
AMB
= 25 °C
均衡
（或差模）
民
14.0
0.5
典型值
最大
单位
V
A
nF
pF
kΩ
kΩ
Ω
kΩ
Ω
kΩ
R3,R4, R7, R8
(2)
麦克风串联电阻
R6, R9
(2)
R10, R11
(3)
R12, R13
(2)
内置麦克风拉起并
下拉电阻
SPK串联电阻
SPK PHG电阻
MICx通道
THD
失真
-75
分贝（A ）
1.电容容差± 30 ％
2.电阻容差±10 ％
3.电阻容差± 20 ％
4.查看
图20
和
图21
3/14
特征
EMIF06-AUD01F2
1.1
RF滤波
在模拟输入的低信号电平与所述脉冲发射机的电话是一个
组合，需要高效的RF滤波。
必须避免RF -整改。
因此，在阻带的衰减是最佳的频带800-2480兆赫。
表4 。
阻带性能800 - 2480兆赫
衰减
通道
MIC1_x到MIC1_x -INT
MIC2_x到MIC2_x -INT
MIC1_P到BIAS1
MIC2_P到BIAS2
SPK_x到SPK_x -INT
测试条件
民
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
25
25
25
25
25
典型值
最大
单位
dB
dB
dB
dB
dB
表5 。
阻带性能的10 - 800兆赫
衰减
测试条件
民
典型值
最大
单位
dB
dB
dB
dB
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
R
来源
= 50
Ω,
R
负载
= 1 kΩ
20
20
20
20
通道
MIC1_x到MIC1_x -INT
MIC2_x到MIC2_x -INT
MIC1_P到BIAS1
MIC2_P到BIAS2
1.2
网络连接gure 3 。
衰减特性
S21衰减测量
MIC1_P和MIC1_N线
(50
Ω
/ 50
Ω)
图4中。
S21衰减测量
MIC1_P和MIC1_N线
(50
Ω
/ 1 KΩ模拟）
0.00
dB
-10.00
0
dB
-10
-20.00
-20
-30.00
-30
-40.00
-40
-50.00
-50
F / Hz的
-60.00
100.0k
MIC1_P线
1.0M
10.0M
MIC1_N线
100.0M
1.0G
F / Hz的
-60
R
来源
= 50
Ω
/ R
负载
= 50
Ω
100k
1M
MIC1_P线
10M
MIC1_N线
R
来源
= 50
Ω
/ R
负载
= 1 K
Ω
100M
1G
4/14
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