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EMIF06-1005N12
6线IPAD ，低电容
EMI滤波和ESD保护狭隘的小QFN封装
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波频率
从900 MHz到1.8 GHz的
极低PCB空间消耗：
2.5毫米X 1.2毫米
非常薄的包装：0.88 mm最大
高效率的ESD抑制输入端上的
销（ IEC 61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
无铅封装
2输入
3输入
4输入
5输入
6输入
1
12
狭窄的微型QFN 2.5毫米X 1.2毫米
图1 。
引脚配置（顶视图）
输出12
输出11
输出10
输出9
输出8
输出7
1输入
符合下列标准
■
IEC 61000-4-2 4级的输入和输出引脚
–
+
15千伏（空气放电）
–
+
8千伏（接触放电）
MIL STD 883G - 方法3015-7 3B类
（所有引脚）
■
应用
凡EMI滤波ESD敏感设备
要求：
■
■
■
■
■
图2中。
输入
基本单元配置
100
Ω
产量
液晶显示器和照相机的移动电话
电脑和打印机
通信系统
MCU板
键盘的便携设备
典型线路电容= 45 pF的@ 0 V
描述
EMIF06-1005N12是6行，高集成
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统暴露于电磁
interference.This过滤器包括ESD保护
电路，从而防止损坏
当受到ESD浪涌应用最多
15 kV的输入引脚上。
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
2010年1月
文档ID 16959牧师1
1/12
www.st.com
12
特征
EMIF06-1005N12
1
特征
表1中。
符号
绝对额定值（限制值）
参数和测试条件
静电放电IEC 61000-4-2 4级
空气放电
接触放电
ESD -机型号：
（ MM ： C = 200 pF的， R = 25
Ω
L = 500 NH）
防静电带电器件模型：
(JESD22-C101D)
结温在T
AMB
= 25 °C
工作温度范围
存储温度范围
价值
单位
V
PP
15
15
2
1
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
kV
T
j
T
op
T
英镑
°C
°C
°C
网络连接gure 3 。
符号
V
BR
V
CL
I
RM
V
RM
I
F
I
PP
I
R
V
F
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
=
电气特性（定义）
参数
击穿电压
钳位电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
正向电流
峰值脉冲电流
击穿电流
正向电压降
动态阻抗
正向电流
输入和输出之间串联resistanc
每行输入电容
I
I
F
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
PP
表2中。
符号
V
BR
V
F
I
RM
R
I / O
C
LINE
电气特性（T
AMB
= 25 °C)
测试条件
I
R
= 1毫安
I
F
= 10毫安
V
RM
= 3元线V
容差± 15 ％
V
LINE
= 0 V, V
OSC
= 30 mV时， F = 1兆赫
85
38
100
45
分钟。
6
0.5
典型值。
8
1
马克斯。
10
1.5
200
115
52
单位
V
V
nA
Ω
pF
2/12
文档ID 16959牧师1
EMIF06-1005N12
特征
图4中。
0.0
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
I2-O2
I4-O4
I1-O1
I3-O3
I5-O5
I6-O6
S21衰减测量
V
BIAS
= 0V
图5中。
- 10
- 20
- 30
- 40
- 50
- 60
- 70
- 80
- 90
- 100
- 110
- 120
- 130
300k
1M
I2-O5
I2-O3
模拟串扰测量
V
BIAS
= 0V
S21 （ dB）的
0.0
串话（分贝）
S21(dB)
S21(dB)
F
C
= 110兆赫
F = 900兆赫F = 1.8 GHz的
-35
-31
30M
100M
300M
1G
- 60
300k
F（赫）
3G
F（赫）
3M
10M
30M
100M
300M
1G
3G
1M
3M
10M
图6 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ 8 kV接触放电） 。
对滤波器输出剩余电压
V
CL
最大
V
CL
@
T为30纳秒
V
CL
@
T = 100纳秒
图7 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ -8 kV接触放电） 。
对滤波器输出剩余电压
5 V / DIV
产量
5 V / DIV
27.2 V
4.6 V
3.3 V
C1
产量
V
CL
最大
V
CL
@
T为30纳秒
V
CL
@
T = 100纳秒
-20.7 V
C1
-3.2 V
-787 mV的
20 ns /格
20 ns /格
网络连接gure 8 。
ESD测试条件为图6和图7中
>500MHz用示波器
50欧姆输入模式
D.U.T
衰减器20 ... 60分贝
50 OHM
文档ID 16959牧师1
3/12
特征
EMIF06-1005N12
图9 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ +15 kV空气放电）在同一行
图10. ESD回应IEC 61000-4-2
（ -15 kV空气放电）在同一行
5 V / DIV
C2
5 V / DIV
输入
输入
C2
100 ns /格
2 V / DIV
C3
产量
100 ns /格
2 V / DIV
产量
C3
100 ns /格
100 ns /格
图11号线电容与所施加的电压
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
C（ pF）的
V
R
(V)
6
4/12
文档ID 16959牧师1
EMIF06-1005N12
订购信息计划
2
订购信息计划
图12.订购信息计划
EMIF
yy
-
XXX
Nx
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
包
NX =窄微型QFN X线索
文档ID 16959牧师1
5/12
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