EMIF04-10006F1
IPAD
TM
4号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备是必需的：
移动电话和通信系统
电脑，打印机和MCU板
s
s
描述
该EMIF04-10006F1是一个高度集成的器件
旨在抑制所有系统的EMI / RFI噪声
遭受电磁干扰。该
EMIF04倒装芯片封装装置，所述封装尺寸
等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路，该电路
防止设备受到破坏时，
对ESD浪涌了15kV的。该装置包括四个
EMIF滤波器和4分离的ESD二极管。
好处
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗：
2.92毫米X 1.29毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC 61000-4-2第4级：
s
s
s
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D3
GND
D4
I4
I3
GND
O3
I2
I1
GND
D1
A
B
O4
O2
O1
D2
C
15kV
8千伏
（空气放电）
（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
基本单元配置
输入1
输出1
输入4
输出4
输入2
输出2
D1
D2
输入3
输出3
D3
D4
GND
过滤单元：
v I / O = 100
克莱恩= 60pF
TM
： IPAD是意法半导体公司的商标。
2003年1月 - 埃德： 1
1/6
EMIF04-10006F1
绝对额定值
（限制值）
符号
P
R
P
T
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
每个电阻的直流电源
每包的总DC电源
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
0.1
0.6
125
-40+ 85
125
单位
W
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
V
CL
V
BR
V
RM
V
F
I
RM
I
R
V
I
I
F
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入之间的串联电阻
和输出
每行输入电容
I
PP
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
分钟。
5.5
典型值。
7
马克斯。
9
500
单位
V
nA
pF
V
RM
= 3.3％的V
I = 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1兆赫， 30毫伏（上过滤单元）
80
50
100
60
120
70
2/6
EMIF04-10006F1
图。 1 ：
S21 （ dB）的衰减测量和
APLAC仿真。
APLAC 7.62用户：意法半导体
00
dB
图。 2 ：
模拟串扰测量。
APLAC 7.62用户：意法半导体
00
dB
-12.5
-25
i3_o2.s2p
-25
-50
-37.5
i3-o3-load
模拟
F / Hz的
-50
1M
3M
10M
30M
100M 300M
1G
3G
-75
-100
100k
1M
10M
100M
1G
F / Hz的
图。 3 ：
数字串扰的测量。
图。 4 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ + 15kV空气
放电）上的一个输入V （中）和一个输出电压V （下） 。
图。 5 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ -15kV空气
放电）上的一个输入V （中）和一个输出电压V （下） 。
图。 6 ：
线电容与所施加的电压为
过滤器。
C（ pF）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
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IPAD
TM
4号线EMI滤波器
和ESD保护
主要产品特性
凡EMI滤波ESD敏感设备是必需的：
移动电话和通信系统
电脑，打印机和MCU板
s
s
描述
该EMIF04-10006F1是一个高度集成的器件
旨在抑制所有系统的EMI / RFI噪声
遭受电磁干扰。该
EMIF04倒装芯片封装装置，所述封装尺寸
等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路，该电路
防止设备受到破坏时，
对ESD浪涌了15kV的。该装置包括四个
EMIF滤波器和4分离的ESD二极管。
好处
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗：
2.92毫米X 1.29毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC 61000-4-2第4级：
s
s
s
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
D3
GND
D4
I4
I3
GND
O3
I2
I1
GND
D1
A
B
O4
O2
O1
D2
C
15kV
8千伏
（空气放电）
（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
基本单元配置
输入1
输出1
输入4
输出4
输入2
输出2
D1
D2
输入3
输出3
D3
D4
GND
过滤单元：
v I / O = 100
克莱恩= 60pF
TM
： IPAD是意法半导体公司的商标。
2003年1月 - 埃德： 1
1/6
EMIF04-10006F1
绝对额定值
（限制值）
符号
P
R
P
T
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
每个电阻的直流电源
每包的总DC电源
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
0.1
0.6
125
-40+ 85
125
单位
W
W
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
V
CL
V
BR
V
RM
V
F
I
RM
I
R
V
I
I
F
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入之间的串联电阻
和输出
每行输入电容
I
PP
符号
V
BR
I
RM
R
I / O
C
LINE
I
R
= 1毫安
测试条件
分钟。
5.5
典型值。
7
马克斯。
9
500
单位
V
nA
pF
V
RM
= 3.3％的V
I = 10毫安
V
R
= 2.5 V ， F = 1兆赫， 30毫伏（上过滤单元）
80
50
100
60
120
70
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EMIF04-10006F1
图。 1 ：
S21 （ dB）的衰减测量和
APLAC仿真。
APLAC 7.62用户：意法半导体
00
dB
图。 2 ：
模拟串扰测量。
APLAC 7.62用户：意法半导体
00
dB
-12.5
-25
i3_o2.s2p
-25
-50
-37.5
i3-o3-load
模拟
F / Hz的
-50
1M
3M
10M
30M
100M 300M
1G
3G
-75
-100
100k
1M
10M
100M
1G
F / Hz的
图。 3 ：
数字串扰的测量。
图。 4 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ + 15kV空气
放电）上的一个输入V （中）和一个输出电压V （下） 。
图。 5 ：
ESD回应IEC61000-4-2 （ -15kV空气
放电）上的一个输入V （中）和一个输出电压V （下） 。
图。 6 ：
线电容与所施加的电压为
过滤器。
C（ pF）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
F=1MHz
V
OSC
=30mV
RMS
T
j
=25°C
V
R
(V)
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