EMIF03-SIM01F2
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
主要产品应用：
EMI滤波和ESD保护：
■
SIM卡接口（用户识别模块）
■
UIM接口（通用识别模块）
描述
该EMIF03 - SIM01F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁干扰
分配办法。该EMIF03倒装芯片封装是指
封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这可防止设备损坏时，
受到ESD浪涌了15kV的。
好处
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
■
高效率的EMI滤波
■
无铅封装
■
极低PCB空间消耗：
1.42毫米X 1.42毫米
■
非常薄的封装： 0.65毫米
■
高效率的ESD抑制
■
的单片集成提供高可靠性
■
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
4级
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
倒装芯片
（ 8颠簸）
表1 ：订购代码
产品型号
EMIF03-SIM01F2
记号
FC
图1 ：引脚配置（球侧）
3
RST
in
2
RST
OUT
1
A
CLT
OUT
CLT
in
GND
B
C
数据
in
V
CC
数据
OUT
图2 ：配置
V
CC
100
RST IN
R1
47
CLK IN
R2
100
DATA IN
R3
数据输出
CLK出
RST OUT
克莱恩= 35pF最大。
GND
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
十二月2004
第2版
1/7
EMIF03-SIM01F2
表2 ：绝对额定值
（限制值）
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
°C
°C
°C
表3 ：电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
95
44.65
95
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
每行= 3V
1.5
100
47
100
105
49.35
105
35
分钟。
6
1
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
F
I
图3 ： S21 （ dB）的衰减测量
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
图4 ：模拟串扰测量
dB
100.0M
1.0G
兆赫
2/7
EMIF03-SIM01F2
图5 ：数字串扰测量
图6 ： ESD回应IEC61000-4-2
（ + 15kV空气放电）上的一个输入V （中）和上
一个输出端（ Vout）外部
V(in1)
V(out1)
图7 ： ESD回应IEC61000-4-2
（ + 15kV空气放电）上的一个输入V （中）和上
一个输出端（ Vout）外部
图8：线路电容与所施加的
电压（典型值）
V(in1)
35
30
25
20
C（ pF）的
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
V(out1)
15
VR （ V）
10
0
1
2
3
4
5
6
3/7
EMIF03-SIM01F2
图10 ：订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 1 ： 500微米，凹凸=为315μm
= 2 ：无铅间距= 500μm的，凹凸=为315μm
= 3 ：无铅间距= 400μm的，凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 ：倒装芯片封装机械数据
500m ± 50
650m ± 65
315m ± 50
500m ± 50
1.42mm ± 50m
图12 ：脚打印推荐
图13 ：标记
1.42mm ± 50m
365
点， ST标志
XX =标记
Z =包装
位置
YWW =日期代码
（ Y =年
WW =周）
240
365
铜焊盘直径：
推荐250微米， 300微米最大
E
焊锡模板开口道： 330μm
阻焊层开口的建议：
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
40
220
在微米所有尺寸
5/7
EMIF03-SIM01F2
3-线IPAD ， EMI滤波器包括ESD保护
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
高效率的EMI滤波
无铅封装
非常低的PCB空间占用：
1.42毫米X 1.42毫米
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
图1 。
引脚布局（凹凸面）
3
RST
in
FL IP芯片
（ 8颠簸）
2
RST
OUT
1
A
CLT
OUT
符合下列标准
■
IEC 61000-4-2输入引脚4级
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
MIL SRD 883E - 方法3015-6 3级
图2中。
V
CC
CLT
in
GND
B
C
数据
in
V
CC
数据
OUT
■
应用
EMI滤波和ESD保护：
■
■
CON组fi guration
100
Ω
SIM接口（用户识别模块）
UIM接口（通用身份识别模块）
RST IN
R1
47
Ω
CLK IN
R2
100
Ω
DATA IN
R3
RST OUT
CLK出
数据输出
描述
该EMIF03 - SIM01F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁
干扰。该EMIF03倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
该过滤器包括ESD保护电路，
防止损坏应用时
受到ESD浪涌了15千伏。
克莱恩= 35pF最大。
GND
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
2008年4月
REV 3
1/7
www.st.com
7
EMIF03-SIM01F2
特征
网络连接gure 3 。
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
S21 （ dB）的衰减测量图4 。
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
模拟串扰测量
dB
1.0M
10.0M
F / Hz的
A3_A2(RST)
100.0M
1.0G
B3_B1(CLK)
C3_C1(DAT)
兆赫
图5中。
数字串扰测量
图6 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ -15 kV空气放电）对一个输入
（ Vin）和与一个输出（ Vout）外部
V(in1)
V(out1)
图7 。
ESD回应IEC 61000-4-2
（ +15 kV空气放电）对一个输入
（ Vin）和与一个输出（ Vout）外部
V(in1)
网络连接gure 8 。
线路电容与应用
电压（典型值）
C（ pF）的
35
30
25
20
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
V(out1)
15
VR （ V）
10
0
1
2
3
4
5
6
3/7
应用信息
EMIF03-SIM01F2
2
应用信息
图9 。
APLAC模型
RSERIES
Port1
50
MODEL = demif03
MODEL = demif03
Port2
50
子
子
VCC
DEMIF03二极管型号
- RS = 1.2
- CJO = 17P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
50p
0.05
MODEL = demif03_Vcc
0.08nH
RSERIES = 47R （ CLK线）
= 100R （ RST &数据线）
DEMIF03_Vcc二极管型号
- RS = 1.5
- CJO = 20P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
子
0.1
3
订购信息计划
图10.订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 2 ：无铅，距= 500μm时，碰到= 315微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
4/7
EMIF03-SIM01F2
包装信息
4
包装信息
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
二级互连标记内盒上的标签，以符合JEDEC
标准JESD97 。涉及到焊接条件最大额定值也标上
内盒标签。 ECOPACK是ST的商标。 ECOPACK规范可在
www.st.com 。
图11.包装尺寸
500 m ± 50
650 m ± 65
315 m ± 50
500 m ± 50
210 m
1.42 mm ± 50 m
图12.足迹
图13.标记
点， ST标志
XX =标记
Z =制造
位置
YWW =日期代码
（ Y =年
WW =周）
铜焊盘直径：
250微米的建议， 300微米最大
210 m
1.42mm ± 50 m
E
焊锡模板开口道： 330微米
阻焊层开口的建议：
340微米分钟为315微米的铜焊盘直径
X X Z
WW
图14.倒装芯片磁带和卷轴规格
点确定针的位置A1
4 ± 0.1
1.5 ± 0.1
1.75 ± 0.1
3.5 ± 0.1
1.52
8 ± 0.3
ST
E
ST
E
ST
E
xxx
YWW
xxx
YWW
xxx
YWW
1.52
0.73 ± 0.05
4 ± 0.1
尺寸：mm
放卷的用户方向
5/7
EMIF03-SIM01F2
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
主要产品应用：
EMI滤波和ESD保护：
■
SIM卡接口（用户识别模块）
■
UIM接口（通用识别模块）
描述
该EMIF03 - SIM01F2是一个高度集成的
器件设计用于抑制所有的EMI / RFI噪声
系统受到电磁干扰
分配办法。该EMIF03倒装芯片封装是指
封装尺寸等于芯片尺寸。
这个滤波器包括ESD保护电路
这可防止设备损坏时，
受到ESD浪涌了15kV的。
好处
■
EMI对称（ I / O ），低通滤波器
■
高效率的EMI滤波
■
无铅封装
■
极低PCB空间消耗：
1.42毫米X 1.42毫米
■
非常薄的封装： 0.65毫米
■
高效率的ESD抑制
■
的单片集成提供高可靠性
■
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
4级
15千伏（空气放电）
8千伏（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
倒装芯片
（ 8颠簸）
表1 ：订购代码
产品型号
EMIF03-SIM01F2
记号
FC
图1 ：引脚配置（球侧）
3
RST
in
2
RST
OUT
1
A
CLT
OUT
CLT
in
GND
B
C
数据
in
V
CC
数据
OUT
图2 ：配置
V
CC
100
RST IN
R1
47
CLK IN
R2
100
DATA IN
R3
数据输出
CLK出
RST OUT
克莱恩= 35pF最大。
GND
TM ：
IPAD是意法半导体公司的商标。
十二月2004
第2版
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EMIF03-SIM01F2
表2 ：绝对额定值
（限制值）
符号
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
°C
°C
°C
表3 ：电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
R
d
I
PP
R
I / O
C
LINE
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
95
44.65
95
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
输入&之间的串联电阻
产量
每行输入电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
每行= 3V
1.5
100
47
100
105
49.35
105
35
分钟。
6
1
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
I
PP
V
CL
V
BR
V
RM
I
RM
I
R
V
F
V
I
F
I
图3 ： S21 （ dB）的衰减测量
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
图4 ：模拟串扰测量
dB
100.0M
1.0G
兆赫
2/7
EMIF03-SIM01F2
图5 ：数字串扰测量
图6 ： ESD回应IEC61000-4-2
（ + 15kV空气放电）上的一个输入V （中）和上
一个输出端（ Vout）外部
V(in1)
V(out1)
图7 ： ESD回应IEC61000-4-2
（ + 15kV空气放电）上的一个输入V （中）和上
一个输出端（ Vout）外部
图8：线路电容与所施加的
电压（典型值）
V(in1)
35
30
25
20
C（ pF）的
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
V(out1)
15
VR （ V）
10
0
1
2
3
4
5
6
3/7
EMIF03-SIM01F2
图10 ：订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
X = 1 ： 500微米，凹凸=为315μm
= 2 ：无铅间距= 500μm的，凹凸=为315μm
= 3 ：无铅间距= 400μm的，凹凸= 250微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
图11 ：倒装芯片封装机械数据
500m ± 50
650m ± 65
315m ± 50
500m ± 50
1.42mm ± 50m
图12 ：脚打印推荐
图13 ：标记
1.42mm ± 50m
365
点， ST标志
XX =标记
Z =包装
位置
YWW =日期代码
（ Y =年
WW =周）
240
365
铜焊盘直径：
推荐250微米， 300微米最大
E
焊锡模板开口道： 330μm
阻焊层开口的建议：
340μm分的为315μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
40
220
在微米所有尺寸
5/7
QQ：2881677436 复制
