EMIF03-SIM01
A.S.D.
TM
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
EMI滤波保护及防静电的：
SIM卡接口（用户识别模块）
s
描述
该EMIF03 - SIM01是一款高度集成的阵列
旨在抑制所有的EMI / RFI噪声
系统
受
to
电磁
干扰。
该EMIF03 - SIM01倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。这就是为什么
EMIF03 - SIM01是一个非常小的装置。
此外，该过滤器包括静电放电保护
电路，它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出，
15千伏。
好处
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
A3
B3
C3
A2
B2
C2
B1
C1
s
s
s
s
s
3线对称的（ I / O）的低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗： 1.6× 1.6毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制两个输入
&输出引脚（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过英特高降低寄生元件
格雷申&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
上输入&输出管脚。
TM
： ASD是意法半导体公司的商标。
2002年7月 - 埃德： 6A
1/11
EMIF03-SIM01
概要
C2
100R
A3
47R
B1
100R
C3
C1
A2
B3
GND
B2是接地引脚
APLAC模型
RSERIES
Port1
50
MODEL = demif03
MODEL = demif03
Port2
50
子
子
VCC
DEMIF03二极管型号
- RS = 1.2
- CJO = 17P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
50p
0.05
MODEL = demif03_Vcc
0.08nH
RSERIES = 47R （ CLK线）
= 100R （ RST &数据线）
DEMIF03_Vcc二极管型号
- RS = 1.5
- CJO = 20P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
子
0.1
筛选行为
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
2/11
EMIF03-SIM01
ESD回应IEC61000-4-2 （ 15kV空气放电）
正浪涌
负浪涌
电容与反向施加电压。
C（ pF）的
35
30
25
20
15
10
0
1
2
3
4
5
6
VR （ V）
F=1MHz
VOSC = 30mV的
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
3/11
EMIF03-SIM01
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
1
1.5
95
44.65
95
100
47
100
105
49.35
105
35
技术信息
振特性
该EMIF03 - SIM01首先设计为EMI
/ RFI滤波器。这个低通滤波器的特征
通过以下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图A1shows的衰减优于
-20dB ，在移动电话频率（ 800MHz至
2.5GHz).
图。 A1 ：
频率响应曲线
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
4/11
EMIF03-SIM01
图。 A2 ：
测量条件
TEST BOARD
50
EMI03
SIM01
Vg
50
ESD保护
除了与过滤的EMIF03 - SIM01特别优化，以执行ESD保护。
ESD保护是基于使用设备中的哪个夹持于：
V
cl
=
V
br
+
R
d
I
pp
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图A3中，所述ESD冲击被夹住
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低的Vout的电平。
图。 A3 ：
ESD钳位性能
Rg
Rd
Vg
V
BR
VIN
VOUT
S1
R = 100
或47
S2
Rd
R LOAD
V
BR
设备
要
保护
EMIF03-SIM01
ESD浪涌
5/11
EMIF03-SIM01
A.S.D.
TM
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
EMI滤波保护及防静电的：
SIM卡接口（用户识别模块）
s
描述
该EMIF03 - SIM01是一款高度集成的阵列
旨在抑制所有的EMI / RFI噪声
系统
受
to
电磁
干扰。
该EMIF03 - SIM01倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。这就是为什么
EMIF03 - SIM01是一个非常小的装置。
此外，该过滤器包括静电放电保护
电路，它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出，
15千伏。
好处
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
A3
B3
C3
A2
B2
C2
B1
C1
s
s
s
s
s
3线对称的（ I / O）的低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗： 1.6× 1.6毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制两个输入
&输出引脚（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过英特高降低寄生元件
格雷申&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
上输入&输出管脚。
TM
： ASD是意法半导体公司的商标。
2002年7月 - 埃德： 6A
1/11
EMIF03-SIM01
概要
C2
100R
A3
47R
B1
100R
C3
C1
A2
B3
GND
B2是接地引脚
APLAC模型
RSERIES
Port1
50
MODEL = demif03
MODEL = demif03
Port2
50
子
子
VCC
DEMIF03二极管型号
- RS = 1.2
- CJO = 17P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
50p
0.05
MODEL = demif03_Vcc
0.08nH
RSERIES = 47R （ CLK线）
= 100R （ RST &数据线）
DEMIF03_Vcc二极管型号
- RS = 1.5
- CJO = 20P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
子
0.1
筛选行为
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
2/11
EMIF03-SIM01
ESD回应IEC61000-4-2 （ 15kV空气放电）
正浪涌
负浪涌
电容与反向施加电压。
C（ pF）的
35
30
25
20
15
10
0
1
2
3
4
5
6
VR （ V）
F=1MHz
VOSC = 30mV的
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
3/11
EMIF03-SIM01
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
1
1.5
95
44.65
95
100
47
100
105
49.35
105
35
技术信息
振特性
该EMIF03 - SIM01首先设计为EMI
/ RFI滤波器。这个低通滤波器的特征
通过以下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图A1shows的衰减优于
-20dB ，在移动电话频率（ 800MHz至
2.5GHz).
图。 A1 ：
频率响应曲线
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
4/11
EMIF03-SIM01
图。 A2 ：
测量条件
TEST BOARD
50
EMI03
SIM01
Vg
50
ESD保护
除了与过滤的EMIF03 - SIM01特别优化，以执行ESD保护。
ESD保护是基于使用设备中的哪个夹持于：
V
cl
=
V
br
+
R
d
I
pp
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图A3中，所述ESD冲击被夹住
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低的Vout的电平。
图。 A3 ：
ESD钳位性能
Rg
Rd
Vg
V
BR
VIN
VOUT
S1
R = 100
或47
S2
Rd
R LOAD
V
BR
设备
要
保护
EMIF03-SIM01
ESD浪涌
5/11
EMIF03-SIM01
A.S.D.
TM
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
EMI滤波保护及防静电的：
SIM卡接口（用户识别模块）
s
描述
该EMIF03 - SIM01是一款高度集成的阵列
旨在抑制所有的EMI / RFI噪声
系统
受
to
电磁
干扰。
该EMIF03 - SIM01倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。这就是为什么
EMIF03 - SIM01是一个非常小的装置。
此外，该过滤器包括静电放电保护
电路，它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出，
15千伏。
好处
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
A3
B3
C3
A2
B2
C2
B1
C1
s
s
s
s
s
3线对称的（ I / O）的低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗： 1.6× 1.6毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制两个输入
&输出引脚（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过英特高降低寄生元件
格雷申&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
上输入&输出管脚。
TM
： ASD是意法半导体公司的商标。
2002年7月 - 埃德： 6A
1/11
EMIF03-SIM01
概要
C2
100R
A3
47R
B1
100R
C3
C1
A2
B3
GND
B2是接地引脚
APLAC模型
RSERIES
Port1
50
MODEL = demif03
MODEL = demif03
Port2
50
子
子
VCC
DEMIF03二极管型号
- RS = 1.2
- CJO = 17P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
50p
0.05
MODEL = demif03_Vcc
0.08nH
RSERIES = 47R （ CLK线）
= 100R （ RST &数据线）
DEMIF03_Vcc二极管型号
- RS = 1.5
- CJO = 20P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
子
0.1
筛选行为
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
2/11
EMIF03-SIM01
ESD回应IEC61000-4-2 （ 15kV空气放电）
正浪涌
负浪涌
电容与反向施加电压。
C（ pF）的
35
30
25
20
15
10
0
1
2
3
4
5
6
VR （ V）
F=1MHz
VOSC = 30mV的
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
3/11
EMIF03-SIM01
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
1
1.5
95
44.65
95
100
47
100
105
49.35
105
35
技术信息
振特性
该EMIF03 - SIM01首先设计为EMI
/ RFI滤波器。这个低通滤波器的特征
通过以下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图A1shows的衰减优于
-20dB ，在移动电话频率（ 800MHz至
2.5GHz).
图。 A1 ：
频率响应曲线
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
4/11
EMIF03-SIM01
图。 A2 ：
测量条件
TEST BOARD
50
EMI03
SIM01
Vg
50
ESD保护
除了与过滤的EMIF03 - SIM01特别优化，以执行ESD保护。
ESD保护是基于使用设备中的哪个夹持于：
V
cl
=
V
br
+
R
d
I
pp
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图A3中，所述ESD冲击被夹住
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低的Vout的电平。
图。 A3 ：
ESD钳位性能
Rg
Rd
Vg
V
BR
VIN
VOUT
S1
R = 100
或47
S2
Rd
R LOAD
V
BR
设备
要
保护
EMIF03-SIM01
ESD浪涌
5/11
EMIF03-SIM01
A.S.D.
TM
3线路的EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
EMI滤波保护及防静电的：
SIM卡接口（用户识别模块）
s
描述
该EMIF03 - SIM01是一款高度集成的阵列
旨在抑制所有的EMI / RFI噪声
系统
受
to
电磁
干扰。
该EMIF03 - SIM01倒装芯片封装装置的
封装尺寸等于芯片尺寸。这就是为什么
EMIF03 - SIM01是一个非常小的装置。
此外，该过滤器包括静电放电保护
电路，它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出，
15千伏。
好处
s
s
倒装芯片封装
引脚配置（球侧）
A3
B3
C3
A2
B2
C2
B1
C1
s
s
s
s
s
3线对称的（ I / O）的低通滤波器
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗： 1.6× 1.6毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制两个输入
&输出引脚（ IEC61000-4-2第4级）
的单片集成提供高可靠性
通过英特高降低寄生元件
格雷申&晶圆级封装。
符合以下标准：
IEC61000-4-2
15千伏（空气放电）
8千伏
（接触放电）
上输入&输出管脚。
TM
： ASD是意法半导体公司的商标。
2002年7月 - 埃德： 6A
1/11
EMIF03-SIM01
概要
C2
100R
A3
47R
B1
100R
C3
C1
A2
B3
GND
B2是接地引脚
APLAC模型
RSERIES
Port1
50
MODEL = demif03
MODEL = demif03
Port2
50
子
子
VCC
DEMIF03二极管型号
- RS = 1.2
- CJO = 17P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
50p
0.05
MODEL = demif03_Vcc
0.08nH
RSERIES = 47R （ CLK线）
= 100R （ RST &数据线）
DEMIF03_Vcc二极管型号
- RS = 1.5
- CJO = 20P
- M = 0.3333
- VJ = 0.6
- ISR = 100P
- BV = 6.8
- IBV = 1米
- TT = 100N
子
0.1
筛选行为
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
2/11
EMIF03-SIM01
ESD回应IEC61000-4-2 （ 15kV空气放电）
正浪涌
负浪涌
电容与反向施加电压。
C（ pF）的
35
30
25
20
15
10
0
1
2
3
4
5
6
VR （ V）
F=1MHz
VOSC = 30mV的
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ，空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ，接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
3/11
EMIF03-SIM01
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
符号
V
BR
I
RM
R
d
R
1
R
2
R
3
C
LINE
@ 0V
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
A
pF
1
1.5
95
44.65
95
100
47
100
105
49.35
105
35
技术信息
振特性
该EMIF03 - SIM01首先设计为EMI
/ RFI滤波器。这个低通滤波器的特征
通过以下参数：
- 截止频率
- 插入损耗
- 高频抑制
图A1shows的衰减优于
-20dB ，在移动电话频率（ 800MHz至
2.5GHz).
图。 A1 ：
频率响应曲线
APLAC 7.60用户：意法半导体2001年2月22日
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
100.0k
1.0M
10.0M
F / Hz的
B3_B1(CLK)
A3_A2(RST)
C3_C1(DAT)
100.0M
1.0G
4/11
EMIF03-SIM01
图。 A2 ：
测量条件
TEST BOARD
50
EMI03
SIM01
Vg
50
ESD保护
除了与过滤的EMIF03 - SIM01特别优化，以执行ESD保护。
ESD保护是基于使用设备中的哪个夹持于：
V
cl
=
V
br
+
R
d
I
pp
这种保护功能被分裂在两个阶段。如图A3中，所述ESD冲击被夹住
第一级台S1 ，然后剩余的过电压是通过电阻R施加到第二阶段
这样的结构使输出电压非常低的Vout的电平。
图。 A3 ：
ESD钳位性能
Rg
Rd
Vg
V
BR
VIN
VOUT
S1
R = 100
或47
S2
Rd
R LOAD
V
BR
设备
要
保护
EMIF03-SIM01
ESD浪涌
5/11
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