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EMIF02-USB03F2
2号线EMI滤波器
包括ESD保护
IPAD
产品特点
ESD保护和EMI滤波:
USB OTG端口
描述
该EMIF02 - USB03F2是一个高度集成的阵列
旨在抑制EMI / RFI噪声USB
OTG (在路上) 。
该EMIF02 - USB03F2倒装芯片封装方式
封装尺寸等于芯片尺寸。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏的外部联系人。
好处
2线低通滤波器+ 2线ESD保护
高效率的EMI滤波
无铅封装
极低PCB空间消耗: < 3.25毫米
2
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
( IEC61000-4-2第4级)
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成和晶圆级封装。
符合以下标准:
IEC61000-4-2
在外部引脚15kV的4级(空气放电)
8千伏(接触放电)
内部引脚电平1
2kV的(空气及触点
放)
倒装芯片
( 11焊球)
图1 :引脚配置(球侧)
3
ID
2
Dz
1
A
Pd1
VBUS
PUP
B
C
D
D+
OUT
D-
OUT
Pd2
D+
in
D-
in
GND
图2 :示意图
PUP
Dz
ID
VBUS
EMIF02-USB03F2
R3=1.3k
D +出来
D-出
C
C
R2=33
R1=33
在D +
D- IN
R5=15k
R4=17k
表1 :订购代码
产品型号
EMIF02-USB03F2
Pd2
记号
FU
Pd1
克莱恩= 20 pF的最大值。
TM :
IPAD是意法半导体公司的商标。
2004年10月
第3版
1/7
EMIF02-USB03F2
表2 :绝对额定值
(T
AMB
= 25°C))
符号
参数和测试条件
外部引脚(D1 ,C1, A2,A3, B3)的
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
内部销( D3, C3,C2 , B2,B1 )
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触discharg
最高结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
2
2
125
- 40至+ 85
- 55至+ 150
单位
V
PP
kV
T
j
T
op
T
英镑
°C
°C
°C
表3 :电气特性
(T
AMB
= 25°C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
C
LINE
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
每行输入线电容
测试条件
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
@ 0V
容差±5 %
容差±5 %
容差±5 %
容差±5 %
分钟。
14
典型值。
0.1
33
1.30
17
15
马克斯。
0.5
20
单位
V
A
pF
k
k
k
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
1
,R
2
R
3
R
4
R
5
图3 :应用原理
VBUS
3.3V
ID
PUP
Dz
ID
VBUS
VBUS
ID
USB OTG Xceiver
EMIF02-USB03F2
R3=1.3k
D+
D-
D +出来
D-出
C
C
R2=33
R1=33
在D +
D+
D- IN
D-
R5=15k
R4=17k
GND
Pd2
Pd1
GND
R1 = R2 = 33
克莱恩= 20 pF的最大值。
2/7
USB OTG接口
EMIF02-USB03F2
图4 :测量过滤
EMIF02-USB03F2_EVAL-SAMPLES_PM431
APLAC 7.70用户:意法半导体
2004年7月22日
0.00
dB
-10.00
图5 :模拟串扰测量
0.00
dB
-10.00
-20.00
-30.00
EMIF02-USB03F2_EVAL-SAMPLES_PM431
APLAC 7.70用户:意法半导体2004年7月22日
-20.00
-40.00
-50.00
-30.00
-60.00
-70.00
-40.00
-80.00
-90.00
-50.00
100.0k
1.0M
C1 / C3线
10.0M
F / Hz的
D1 / D3线
100.0M
1.0G
-100.00
100.0k
1.0M
C1 / D3线
10.0M
F / Hz的
100.0M
A2 / A3线
1.0G
图6 : ESD回应IEC61000-4-2
( + 15kV空气放电)上的一个输入V (中)和上
一个输出端( Vout)外部
图7 : ESD回应IEC61000-4-2 ( -15kV
空气放电)上的一个输入V (中),并在一个
输出( Vout)外部
图8 :结电容与反向
施加的电压(典型值)的
C( pF)的
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
R
(V)
3/7
EMIF02-USB03F2
图9 : APLAC模型
C3
Ls
Port1
50
A3
A2
B3
B2
B1
C2
D2
MODEL = D02_usb03_gnd
MODEL = D02_usb03
体积
体积
B2 B1
R_1k3
C3
R_33R
R_17k
C1
D3
R_33R
体积
体积
体积
体积
体积
C2
D2
R_15k
D1
Lbump
Rbump
MODEL = D02_usb03
MODEL = D02_usb03
CGND
LGND
体积
Cbump Rsubump
A2
Cbump Rsubump
B2
Cbump Rsubump
C2
Cbump Rsubump
C3
Cbump Rsubump
B3
体积
A3
体积
D1
Cbump Rsubump
体积
体积
D3
Cbump Rsubump
体积
体积
C1
Cbump Rsubump
体积
体积
B1
Cbump Rsubump
体积
体积
体积
Cbump Rsubump
体积
体积
RGND
Rs
Lbump Rbump
C1
Rbump Lbump
Rs
Ls
Port2
50
图10 : APLAC参数
LS 950pH
RS 150米
R_33R 33
R_1k3 1.3K
R_15k 15K
R_17k 17K
Cz_usb03 11pF
Rs_usb03 1
Cz_usb03_gnd 220PF
Rs_usb03_gnd 0.9
LGND 50PH
RGND百米
CGND 0.15pF
Lbump 50PH
Rbump 20米
Cbump 2.4pF
Rsubump百米
4/7
EMIF02-USB03F2
图11 :订购代码
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值(欧姆)
Z =电容值/ 10 (PF )
or
3字母=应用
2位=版本
F =倒装芯片
X = 1 : 500微米,凹凸=为315μm
= 2 :无铅间距= 500μm的,凹凸=为315μm
yy
-
XXX ZZ
Fx
图12 :倒装芯片封装机械数据
500m ± 50
315m ± 50
650m ± 65
500m ± 50
1.57mm ± 50m
图14 :脚印建议
2.07mm ± 50m
图15 :标记
565
400
545
铜焊盘直径:
建议使用250微米, 300微米最大。
焊锡模板开口道:
330μm推荐
点, ST标志
XX =标记
Z =包装的位置
YWW =日期代码
( Y =年
WW =周)
E
阻焊层开口的建议:
340μm分钟。为300μm的铜焊盘直径
X X Z
WW
100
230
在微米所有尺寸
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    EMIF02-XZZFF
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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