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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第636页 > EMIF02-USM01
EMIF02-USB01
IPAD
TM
2号线EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
ESD保护和EMI滤波为USB端口。
s
描述
该EMIF02 - USB01是一个高度集成的阵列
旨在打压USB接口的EMI / RFI噪声
过滤。
该EMIF02 - USB01倒装芯片封装方式
封装尺寸等于芯片尺寸。这是
为什么EMIF02 - USB01是一个非常小的设备。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏。
好处
2线低通滤波器+ 2线ESD保护
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗: 2.5毫米
2
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
( IEC61000-4-2第4级)
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
s
s
s
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置
3
2
1
A
B
C
D
符合以下标准:
IEC61000-4-2第4级
15千伏(空气放电)
8千伏
(接触放电)
上输入&输出管脚。
E
TM
: ASD是意法半导体公司的商标。
2003年1月 - 埃德: 5
1/6
EMIF02-USB01
概要
A3
A1
B2
C1
1.3K
33R
C3
D2
( GND引脚)
33R
E1
E3
图。 1 :
筛选行为
EMIF02 - USB01 :线C1 / C3和E1的滤波响应/ E3
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
E1_E3
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
C1_C3
3.0G
图。 2 :
ESD回应IEC61000-4-2第4级
VIN
VOUT
频率/ Hz的
图。 3 :
电容与反向应用
电压
40
35
30
C( pF)的
图。 4 :
数字串扰
0.00
dB
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
25
20
15
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5 3
VR ( V)
3.5
4
4.5
5
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
-90.00
-100.0
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
3.0G
F / Hz的
2/6
EMIF02-USB01
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
坡度: 1 /路
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
1,
R
2
R
3
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
@ 0V
容差±5 %
容差±5 %
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
0.1
40
33.0
1.30
0.5
45
A
pF
k
3/6
EMIF02-USB01
APLAC模型
图。 5 :
电阻APLAC模型
3.8nH
C1
CSUB
rsub_1k3
rsub_1k3
CSUB
R_1k3
A3
体积
0.15nH
cap_33R
R_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
0.23nH
C3
cap_33R
体积
0.3nH
E1
cap_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
R_33R
0.7nH
E3
cap_33R
体积
图。 6 :
二极管的APLAC模型
A1,A3 ,B2, C1,C3, E1,E3
图。 7 :
的颠簸&地APLAC模型
连接
Cbump Rsubump
I / O
D2
体积
Lbump
100m
D2
体积
Rbump
0.15nH
D02_usb
D02_usb
D02_Nw
Lhole
caphole
Lgnd_D
Rsub_D
Rhole
D2
体积
4/6
EMIF02-USB01
图。 8 :
APLAC模型参数
aplacvar R_33R 33.9
aplacvar cap_33R 1.2pF
aplacvar R_1k3 1.3K
aplacvar锆石29pF
aplacvar Rsub_D 100
aplacvar Csub0.3pF
aplacvar Rsub_33R 15
aplacvar Rsub_1k3 50
aplacvar lhole 10pH
aplacvar Rhole 400米
aplacvar Caphole0.4pF
aplacvar Lgnd_D 150pH
LGND
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 50米
aplacvar Cbump取1.5pF
aplacvar Rsubump 150
模型D02_Nw
BV=100
IBV=1m
CJO=6.8p
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
模型D02_usb
BV=16
IBV=1m
CJO =锆石
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
图。 9 :
APLAC仿真的比较
和测得的频率响应。
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
3.0G
APLAC : C1 / C3
模拟
措施
F / Hz的
尺寸: C1_C3_symm
订货编号
EMIF
电磁
干涉滤光片
02
-
USB
01
VERSION
线NB
USB端口fonction
包装机械数据
700 ± 50
49
5
315 ± 50
650m ± 65
49
5
m
±
50
1.27mm ± 50m
1.97mm ± 50m
m
±
50
5/6
EMIF02-USB01
IPAD
TM
2号线EMI滤波器
包括ESD保护
主要应用
ESD保护和EMI滤波为USB端口。
s
描述
该EMIF02 - USB01是一个高度集成的阵列
旨在打压USB接口的EMI / RFI噪声
过滤。
该EMIF02 - USB01倒装芯片封装方式
封装尺寸等于芯片尺寸。这是
为什么EMIF02 - USB01是一个非常小的设备。
此外,该过滤器包括静电放电保护
电路,它可以防止受保护的设备从
当受到静电放电的破坏奔涌而出,
15千伏。
好处
2线低通滤波器+ 2线ESD保护
高效率的EMI滤波
极低PCB空间消耗: 2.5毫米
2
非常薄的封装: 0.65毫米
高效率的ESD抑制
( IEC61000-4-2第4级)
的单片集成提供高可靠性
通过高减少寄生元件
集成&晶圆级封装。
s
s
s
s
s
s
s
倒装芯片封装
引脚配置
3
2
1
A
B
C
D
符合以下标准:
IEC61000-4-2第4级
15千伏(空气放电)
8千伏
(接触放电)
上输入&输出管脚。
E
TM
: ASD是意法半导体公司的商标。
2003年1月 - 埃德: 5
1/6
EMIF02-USB01
概要
A3
A1
B2
C1
1.3K
33R
C3
D2
( GND引脚)
33R
E1
E3
图。 1 :
筛选行为
EMIF02 - USB01 :线C1 / C3和E1的滤波响应/ E3
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
E1_E3
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
C1_C3
3.0G
图。 2 :
ESD回应IEC61000-4-2第4级
VIN
VOUT
频率/ Hz的
图。 3 :
电容与反向应用
电压
40
35
30
C( pF)的
图。 4 :
数字串扰
0.00
dB
-10.00
-20.00
-30.00
-40.00
25
20
15
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5 3
VR ( V)
3.5
4
4.5
5
-50.00
-60.00
-70.00
-80.00
-90.00
-100.0
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
3.0G
F / Hz的
2/6
EMIF02-USB01
绝对最大额定值
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
PP
T
j
T
op
T
英镑
参数和测试条件
ESD放电IEC61000-4-2 ,空气放电
ESD放电IEC61000-4-2 ,接触放电
结温
工作温度范围
存储温度范围
价值
15
8
125
-40+ 85
-55到+150
单位
kV
°C
°C
°C
电气特性
(T
AMB
= 25 °C)
符号
V
BR
I
RM
V
RM
V
CL
Rd
I
PP
参数
击穿电压
漏电流@ V
RM
对峙电压
钳位电压
动态阻抗
峰值脉冲电流
坡度: 1 /路
符号
V
BR
I
RM
C
LINE
R
1,
R
2
R
3
I
R
= 1毫安
V
RM
= 3V
@ 0V
容差±5 %
容差±5 %
测试条件
分钟。
6
典型值。
马克斯。
单位
V
0.1
40
33.0
1.30
0.5
45
A
pF
k
3/6
EMIF02-USB01
APLAC模型
图。 5 :
电阻APLAC模型
3.8nH
C1
CSUB
rsub_1k3
rsub_1k3
CSUB
R_1k3
A3
体积
0.15nH
cap_33R
R_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
0.23nH
C3
cap_33R
体积
0.3nH
E1
cap_33R
CSUB
rsub_33R
CSUB
rsub_33R
R_33R
0.7nH
E3
cap_33R
体积
图。 6 :
二极管的APLAC模型
A1,A3 ,B2, C1,C3, E1,E3
图。 7 :
的颠簸&地APLAC模型
连接
Cbump Rsubump
I / O
D2
体积
Lbump
100m
D2
体积
Rbump
0.15nH
D02_usb
D02_usb
D02_Nw
Lhole
caphole
Lgnd_D
Rsub_D
Rhole
D2
体积
4/6
EMIF02-USB01
图。 8 :
APLAC模型参数
aplacvar R_33R 33.9
aplacvar cap_33R 1.2pF
aplacvar R_1k3 1.3K
aplacvar锆石29pF
aplacvar Rsub_D 100
aplacvar Csub0.3pF
aplacvar Rsub_33R 15
aplacvar Rsub_1k3 50
aplacvar lhole 10pH
aplacvar Rhole 400米
aplacvar Caphole0.4pF
aplacvar Lgnd_D 150pH
LGND
aplacvar Lbump 50PH
aplacvar Rbump 50米
aplacvar Cbump取1.5pF
aplacvar Rsubump 150
模型D02_Nw
BV=100
IBV=1m
CJO=6.8p
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
模型D02_usb
BV=16
IBV=1m
CJO =锆石
M=0.3333
RS=2
VJ=0.6
TT=100n
图。 9 :
APLAC仿真的比较
和测得的频率响应。
0.00
dB
-5.00
-10.00
-15.00
-20.00
-25.00
-30.00
-35.00
-40.00
-45.00
-50.00
1.0M
3.0M
10.0M
30.0M
100.0M
300.0M
1.0G
3.0G
APLAC : C1 / C3
模拟
措施
F / Hz的
尺寸: C1_C3_symm
订货编号
EMIF
电磁
干涉滤光片
02
-
USB
01
VERSION
线NB
USB端口fonction
包装机械数据
700 ± 50
49
5
315 ± 50
650m ± 65
49
5
m
±
50
1.27mm ± 50m
1.97mm ± 50m
m
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    EMIF02-USM01
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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