EMIF02-USB02F2
2线IPAD ， EMI滤波与ESD保护
特点
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2线低通滤波器+ ESD保护
高效率的EMI滤波
无铅封装
非常低的PCB空间占用< 3.2毫米
2
非常薄的封装： 0.65毫米
高效率的ESD抑制
的单片集成提供高可靠性
高还原通过寄生元件
集成和晶圆级封装
图1 。
引脚布局（凹凸面）
4
3
V
CC
FL IP芯片
（ 10焊球）
2
1
I6
A
B
符合以下标准：
■
I4
O2
I3
O1
I5
I2
GND
I1
IEC 61000-4-2
- 15千伏（空气放电）
- 8千伏（接触放电）
MIL STD 883E - 方法3015-6 3级
图2中。
I6
I5
I4
D1
C
D
E
■
应用
EMI滤波和USB接口的ESD保护。
基本单元配置
V
CC
R3 1.3kΩ
R2 33Ω
I2
O2
描述
该EMIF02 - USB02F2是一个高度集成的阵列
旨在抑制了USB EMI / RFI噪声
端口。该EMIF02 - USB02F2倒装芯片封装
装置的封装尺寸等于芯片尺寸。
此外，该过滤器包括ESD保护
电路，它可以防止损坏应用
当受到ESD浪涌高达15 kV 。
R4为10kΩ
I3
25pF
25pF
GND
25pF
25pF
R1 33Ω
I1
O1
GND
2008年4月
REV 2
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www.st.com
7
应用信息
EMIF02-USB02F2
2
应用信息
图7 。
D + D- &细胞APLAC模型
C1
650
650
A3
0.8pF
+
+
CSUB
rsub_1k3
+
CSUB
rsub_1k3
+
CSUB
+
0.8pF
D2
体积
C1和E1
16.5
16.5
C3或E3
50pH
Cbump
I / O
0.8pF
MODEL = D02_usb
+
+
CSUB
rsub_33R
+
CSUB
rsub_33R
+
CSUB
+
0.8pF
MODEL = D02_usb
+
Rbump
体积
50m
100m
D2
MODEL = D02_usb
MODEL = D02_5p
MODEL = D02_5p
MODEL = D02_usb
体积
Lhole
Rsub_D
Rsub_D
100m
D2
体积
D2
网络连接gure 8 。
APLAC模型参数
CZ 17PF选择
LS 0.4nH
0.1卢比
Rsub_D 10
Csub的0.3pF
Rsub_33R 16
Rsub_1k3 18
lhole 170pH选择
Cbump 1.2pF选择
Rbump 350
D02_usb二极管模型
+ BV = 7
+ IBV = 1米
+ CJO =锆石
+ M = 0.3333
+ RS = 2
+ VJ = 0.6
+ TT = 100N
D02_5p二极管模型
+ BV = 100
+ IBV = 1米
+ CJO = 5P
+ M = 0.3333
+ RS = 2
+ VJ = 0.6
+ TT = 100N
3
订购信息计划
图9 。
订购信息计划
EMIF
EMI滤波器
行数
信息
X =电阻值（欧姆）
Z =电容值/ 10 （PF ）
or
3字母=应用
2位=版本
包
F =倒装芯片
×2 ：无铅，距= 500μm时，碰到= 315微米
yy
-
XXX ZZ
Fx
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EMIF02-USB02F2
包装信息
4
包装信息
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
二级互连标记内盒上的标签，以符合JEDEC
标准JESD97 。涉及到焊接条件最大额定值也标上
内盒标签。 ECOPACK是ST的商标。 ECOPACK规范可在
www.st.com 。
图10.倒装芯片封装尺寸
700m ± 50
315m ± 50
650m ± 65
495m ± 50
495m ± 50
285 m
1.62mm ± 50m
图11.足迹建议
铜焊盘直径：
推荐250微米， 300微米的最大
焊锡模板开口道：
330微米推荐
图12.标记
点， ST标志
XX =标记
Z =制造基地
YWW =日期代码
（ Y =年
WW =周）
285 m
1.97mm ± 50m
E
阻焊层开口的建议：
340微米分钟。为300微米的铜焊盘直径
X X Z
WW
5/7
QQ：2880707522 复制
